內存市場高燒不退，其中Flash缺貨情況比DRAM更為緊俏,，業(yè)界預期,，F(xiàn)lash榮景可能延續(xù)到年底，甚至是明年,，而目前看來,，DRAM可能到第3季就會開始顯現(xiàn)部分疲態(tài)。三星電子嗅覺靈敏,，他們周一（5月29日）即表示,，正在考慮擴大其中國制造基地的存儲器芯片產能。

三星發(fā)言人稱,，正在考慮擴大西安工廠的產能,，但具體細節(jié)還未確定,，包括可能的投資規(guī)模以及新增產能將用于生產哪些產品,。內存業(yè)界指出,，各家原廠3D NAND Flash逐步開出，但預期今年內供需失衡的情況仍難以完全改善,，所以整體市況仍偏向樂觀,。

消息人士稱，三星與當地政府正進行協(xié)商最后階段,。 很可能在9月動工,。 三星西安廠現(xiàn)有第一產線是在2014年興建，月產12萬片NAND內存晶圓,，若加上規(guī)劃中的第二產線,，產量將達20萬片。

三星此前已在西安工廠投資70億美元生產3D NAND存儲器芯片,，現(xiàn)在計劃讓位于韓國京畿道平澤市的全新NAND芯片廠自6月啟動營運,，月產能可達20萬片。 消息人士還稱,，三星大陸廠將生產較低端芯片,，多數供應中國手機市場，而韓廠將專注于生產高端芯片,。

由于用戶對消費電子產品處理能力的需求不斷增長,，以及隨著技術越來越復雜，投資的生產收益下降,，預計三星等存儲器芯片公司將在2017年錄得創(chuàng)紀錄的營收和利潤,。市場研究公司IHS預計，今年的存儲器行業(yè)收入將躍升32%至創(chuàng)紀錄的1,，040億美元,。

業(yè)界高管和分析師表示，3D NAND供應商2017年全年可能難以滿足客戶的訂單,。三星提高資本支出增產3D NAND Flash,，預估投產時間落為2019年，與大陸內存廠產出的時間相近,，是否會引發(fā)市場供需陷入供過于求,，目前還難斷定。

群聯(lián)電子董事長潘健成表示,，3D NAND工藝難度高,，且需求相當強勁，主要制造大廠均表示未來三年的產能仍無法供應,，因此預料三星增產3D NAND芯片,，應是看好在3D NAND芯片取得較佳機會,。

潘健成認為，至少二年內,，NAND芯片會一直缺貨,，而且今年第3季將是史上最缺貨的一季。

此外,，三星資本支出集中增產3D NAND Flash,，目前雖未有增產DRAM計劃，但對DRAM廠而言,，仍將處于供需平衡階段,。 業(yè)界評估，DRAM價格漲勢已逐漸到達臨界點,，渠道商也已建立一定的庫存,，因此或許后續(xù)第3季的價格就會開始盤整。

南亞科則估計,，今年DRAM也是處于缺貨的一年,，下半年以第3季缺貨程度最高，缺口估有1%~2%,，預料進入傳統(tǒng)備貨旺季,，DRAM價格會再看漲。

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