最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM,，NAND,，新興和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題,。

DRAM

三星,，美光和SK hynix等主要DRAM廠商已經(jīng)生產(chǎn)出縮小至15 nm設(shè)計規(guī)則（D / R）的DRAM單元。現(xiàn)在,，他們正在開發(fā)n + 1和n + 2世代,，即所謂的1a（或1α）和1b（或1β），這意味著采用EUV的DRAM單元D / R可能能夠進(jìn)一步縮小至12nm以下,。由于圖形化,，漏電流和感測裕度的挑戰(zhàn)，單元尺寸微縮的速度越來越慢,。

Graphic DRAM和高帶寬內(nèi)存(例如GDDR6(X)和HBM2(E))采用20 nm或10 nm級的DRAM技術(shù)節(jié)點,。

通過在模塊中添加低功耗DRAM芯片，智能手機(jī)上的相機(jī)模塊實現(xiàn)了三顆芯片的堆疊,。

在先進(jìn)的DRAM產(chǎn)品中可以看到一些創(chuàng)新,，例如高k介電材料，柱形電容器,，凹槽溝道LV晶體管和HKMG外圍晶體管,。

展望DRAM技術(shù)趨勢和研發(fā)路線圖，DRAM微縮將在未來10多年中持續(xù)進(jìn)行,。

NAND

隨著主要NAND制造商爭相增加3D NAND堆疊層的數(shù)量,，他們都已經(jīng)推出了自己的96L或128L 3D NAND芯片。三星128L V-NAND（V6）,，KIOXIA和Western Digital Company（WDC）96L BiCS4,，Intel / Micron 96L / 128L和176L FG CuA以及SK hynix 128L 4D NAND PUC產(chǎn)品已投放市場。我們將討論該領(lǐng)域中許多創(chuàng)新的變化,。

除了存儲密度之外,，3D NAND還應(yīng)用于高速SSD，例如三星Z-SSD和具有多plane的并行KIOXIA XL-FLASH,。

SK hynix已達(dá)到147層垂直存儲單元堆疊,，探討了他們的解決方案以及美光的解決方案。

嵌入式和新興存儲技術(shù)

盡管Micron的X100 SSD目前僅可用于附加卡（AIC）,，但I(xiàn)ntel不僅將XPoint內(nèi)存應(yīng)用程序擴(kuò)展到常規(guī)SSD,，而且還擴(kuò)展到了Intel Optane非易失內(nèi)存。

Everspin已經(jīng)發(fā)布許多新型pMTJ MRAM產(chǎn)品（第三代，1GB /芯片基于 28nm工藝）,，Avalanche/Renesas（40納米）和三星/索尼（28FDS）,。Dialog（先前為Adesto）的第二代ReRAM（CBRAM）產(chǎn)品也已上市。

技術(shù)路線圖

本演示文稿中還包括Techinsights對當(dāng)前和將來的DRAM,，NAND和新興/嵌入式存儲器技術(shù)分析,，趨勢和路線圖，這些內(nèi)容通常僅供我們的存儲器用戶使用,。

以下是研討會的演示文稿,。