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編者按：存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī),、消費(fèi)電子,、網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)、物聯(lián)網(wǎng),、國家安全等重要領(lǐng)域,，是一種重要的、基礎(chǔ)性的產(chǎn)品,。
2015年國內(nèi)集成電路市場超10000億,，其中存儲(chǔ)器的市場總額(包括邏輯芯片中的存儲(chǔ)器)超過6100億元，市場空間巨大。 本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201608/295178.htm存儲(chǔ)器領(lǐng)域的基本類型  存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域,，主要分為兩類：易失性和非易失性,。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了,，例如 DRAM,，電腦中的內(nèi)存條。非易失性：斷電以后,，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在,，主要是閃存(Nand FLASH 和 NOR FLASH)，NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ),。在整個(gè)存儲(chǔ)器芯片里面，主要有的三種產(chǎn)品是：DRAM,、NOR FLASH 和 Nand FLASH,。 DRAM市場上主要由三星、海力士和美光三大巨頭壟斷,，占比達(dá)到 90%以上,。從 Nand FLASH 市場來講，2016 年第一季度,，三星占了 35.1%,，所占市場份額很大。整個(gè)存儲(chǔ)器芯片里面,，三星所占市場份額是最大的,，目前在市場上主導(dǎo)地位的是閃存(flash memory)。當(dāng)工藝線寬小于 16nm 的時(shí)候,，傳統(tǒng)閃存面臨著一定的物理極限,。主要的問題：1、可靠性問題,。工藝線寬尺寸小于 16nm 時(shí),，厚度逐漸下降，可靠性存在問題,，可靠性限制了存儲(chǔ)器單層的厚度,。2、當(dāng)然那還有構(gòu)造問題,。3,、擦寫速度慢。4,、有效的擦寫次數(shù)。 三星 2008年基于90nm工藝制備512Mb相變存儲(chǔ)器芯片; 2011年基于58nm工藝制備1Gb相變存儲(chǔ)器芯片;2012 年基于 20nm 工藝制備 8Gb 相變存儲(chǔ)器芯片;2014 年發(fā)布相變存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)報(bào)告。 三星在相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的布局  2009 年基于 45nm 工藝制備1Gb 相變存儲(chǔ)器芯片; 2011 年發(fā)布第一款基于相變存儲(chǔ)器的 SSD;2013 年基于 45nm 工藝 1Gb 相變存儲(chǔ)器芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn);2015 年聯(lián)合 Intel發(fā)布 3D Xpoint,。 美光在相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的布局  意法半導(dǎo)體 2009 年聯(lián)合恒億共同發(fā)布 90nm 工藝 4Mb 嵌入式相變存儲(chǔ)器芯片;2010 年,，發(fā)布了通過材料改性工程 N-GeTe 實(shí)現(xiàn)更好的熱穩(wěn)定性及數(shù)據(jù)保持;2013 年，發(fā)布了通過材料改性工程 N-Ge-GST實(shí)現(xiàn) SET與高低組保持的性能平衡,。 意法半導(dǎo)體在相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的布局  IBM 2011 年 IBM發(fā)布了多值的相變存儲(chǔ)器操作算法,，然后推出了基于 MIEC 材料選通的多層crosspoint存儲(chǔ)器。 2014年IBM發(fā)布了6位多值存儲(chǔ)電阻漂移的算法解決辦法,， 2016年發(fā)布多值相變存儲(chǔ)器,，進(jìn)入 90nm 工藝。 IBM在相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的布局  國際其他產(chǎn)家,，包括英特爾,、臺(tái)積電等都有在其中做過相關(guān)工作。 國際其他廠商在相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的布局  |
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