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5G高頻讓氮化鎵放光彩 硅基氮化鎵將進(jìn)入量產(chǎn)

 懶人葛優(yōu)癱 2018-03-29

5G高頻率特性讓氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體制程成為功率放大器(PA)市場主流技術(shù),,同時(shí),,GaN功率元件也開始被大量應(yīng)用在車聯(lián)網(wǎng)及電動車領(lǐng)域。看好GaN市場強(qiáng)勁成長爆發(fā)力,,世界先進(jìn)(5347)經(jīng)過3年研發(fā)布局,,今年硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制程將進(jìn)入量產(chǎn),成為全球第一家提供8吋GaN晶圓代工的業(yè)者,,大啖5G及車電市場大餅,。

臺積電及世界先進(jìn)近年來積極投入GaN制程研發(fā),今年可望開花結(jié)果,,合力搶進(jìn)快速成長的GaN晶圓代工市場,。臺積電與德商戴樂格(Dialog)等客戶合作,已開始提供6吋GaN晶圓代工服務(wù);世界先進(jìn)與設(shè)備材料廠Kyma,、轉(zhuǎn)投資GaN硅基板廠QROMIS攜手合作,,去年底已成功試產(chǎn)8吋GaN晶圓,今年將成為全球首家提供8吋GaN晶圓代工服務(wù)的業(yè)者,。

相較于硅制程及砷化鎵(GaAs)等成熟半導(dǎo)體技術(shù),,GaN是相對較新的制程。隨著5G技術(shù)即將全面商用,,基地臺升級商機(jī)龐大,,由于5G技術(shù)上采用更高操作頻率,業(yè)界對于GaN元件將逐步取代橫向擴(kuò)散金氧半導(dǎo)體(LDMOS)并成為市場主流技術(shù)已有高度共識,。另外,,在手機(jī)PA元件部份,3G及4G主要采用GaAs制程,,5G因?yàn)楦哳l的關(guān)系,,讓GaN制程的PA元件很有機(jī)會成為市場新主流。

市調(diào)機(jī)構(gòu)拓墣指出,,GaN因具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢,,不僅可使晶片面積可大幅減少,并能簡化周邊電路的設(shè)計(jì),。同時(shí),,低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性,也能大幅降低車輛運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的能源轉(zhuǎn)換損失,,對于電動車?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭?/p>

在射頻及PA元件,、與車用電子等相關(guān)晶片市場中,包括恩智浦,、英飛凌,、德儀等IDM廠位居主導(dǎo)地位,但在GaN技術(shù)上,,IDM廠反而開始透過晶圓代工廠取得產(chǎn)能,。也因此,,世界先進(jìn)順利搶進(jìn)8吋GaN晶圓代工市場,可望爭取到更多5G及車電等相關(guān)晶圓代工訂單,。

世界先進(jìn)去年合并營收年減3.6%達(dá)249.10億元,,歸屬母公司稅后凈利年18.7%達(dá)45.05億元,每股凈利2.75元,,符合市場預(yù)期,。世界先進(jìn)董事會決議今年每普通股擬配發(fā)3元現(xiàn)金股利。由于8吋晶圓代工產(chǎn)能吃緊,,加上硅晶圓價(jià)格看漲,,世界先進(jìn)與客戶協(xié)商后已小幅調(diào)漲第一季晶圓代工價(jià)格,由于產(chǎn)能全年供不應(yīng)求,,價(jià)格應(yīng)可逐季調(diào)漲,,有助于營收及獲利表現(xiàn)。

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