主板電路大集合CMOS電路是南橋RTC實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊,,南橋內(nèi)部的一個(gè)小容量存儲(chǔ)器RAM和南橋待機(jī)觸發(fā) 主板CMOS電路分析CMOS電路中的RAM存儲(chǔ)和維護(hù)主板的時(shí)間,、啟動(dòng)順序、供電狀態(tài)和邏輯關(guān)系信息,,是
南橋待機(jī)電路的重要組成,。按DEL鍵進(jìn)入BIOS后可以更改參數(shù)(均儲(chǔ)存在CMOS中)。 下圖為MS-7036主板的CMOS及RTC電路圖,。
RTC供電和復(fù)位電路主要由雙二極管,、跳線、電池座構(gòu)成,。上圖中的D25和D54均芫雙二極管,。D25實(shí)際用作
一個(gè)二極管,為RTC提供主板進(jìn)入S5態(tài)后的供電,,電能源自SVSB,,但絕大多數(shù)主板使用的是3.3VSB,而非 使用分壓電路,。D18從電池獲取電能后分兩路供電,。第一路和D25的輸出并聯(lián)后命名為VBAT送至跳線帽(VB AT實(shí)際是個(gè)G3態(tài)和S5態(tài)的覡 路Dual供電),僅為跳線帽提供G3狀態(tài)下的供電(當(dāng)主板進(jìn)入S5態(tài)后,D25的 輸出電壓要高于D18的輸出電壓,,這令D18向跳線帽供電的二極管實(shí)際上是截止的),。這樣,跳線帽無論是在 G3態(tài)還是S5及以后狀態(tài)都可令RTCRST#保持正常的常態(tài)高電平,。D18的第二路VBATO送給I/O以監(jiān)測(cè)電池電 壓,,同時(shí)送給機(jī)箱入侵檢測(cè)排針。 VBAT同時(shí)送ICH6南橋VCCRTC作為CMOS電路的供電,。此時(shí),,32.768 kHz圓筒晶振應(yīng)該起振。
按照Intel的規(guī)范,,RTC RST#(CMOS跳線中間腳)電壓最低為2.2 V,。
上圖中的VBATO與跳線無關(guān),但并不是所有的主板都這樣設(shè)計(jì),。某些主板的I/O電池電壓監(jiān)控輸入腳取自CMO
S跳線的中間腳,。這樣的主板不裝跳線帽時(shí)在I/O側(cè)或機(jī)箱入侵檢測(cè)排針上測(cè)量不到常態(tài)高電平(G3狀態(tài))。 下圖為某主板RTC供電電路的實(shí)物圖,。 電池供電經(jīng)R398 (102)后送至絲印為D9的L43雙二極管的右下腳,,3.3VSB從過孔來后經(jīng)較寬的銅皮送至D9的左 下腳,D9的中間腳直通絲印為JBAT1的CMOS跳線的方孔第1腳,,跳線的第3腳經(jīng)R396后接地,。 |
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