三,、開(kāi)關(guān)參數(shù)
1. 內(nèi)部門(mén)極電阻RGint
為了實(shí)現(xiàn)模塊內(nèi)部芯片的均流，模塊內(nèi)部集成了內(nèi)部門(mén)極電阻,。在計(jì)算驅(qū)動(dòng)器峰值電流的時(shí)候,，這個(gè)電阻值應(yīng)算為門(mén)極總電阻的一部分。
外部門(mén)極電阻是客戶設(shè)定的,，它影響IGBT的開(kāi)關(guān)速度,。文章來(lái)源：http://www./jc/156.html
推薦的Rgext最小值在開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)試條件中給出客戶可以使用不同的和RGon 和RGoff
最小Rgon 受限于開(kāi)通di/dt，RGoff最小受限于關(guān)斷dv/dt,。RG過(guò)小會(huì)引起震蕩而損壞IGBT
RGext 的取值
IGBT要求的RGext 的最小值
驅(qū)動(dòng)器要求的RGext 的最小值
2. 外部門(mén)極電容(CGE)
為了控制高壓IGBT的開(kāi)啟速度,，推薦使用外部門(mén)極電容CGE
有了CGE ，開(kāi)啟過(guò)程的di/dt和dv/dt可以被分開(kāi)控制,，即可以用更小的RG ;從而實(shí)現(xiàn)了低的開(kāi)關(guān)損耗和較低的開(kāi)通di/dt
3. 門(mén)極電荷(QG)
QG 用來(lái)計(jì)算驅(qū)動(dòng)所需功率,，為VGE 在+/-15V時(shí)的典型值
4. Cies, Cres
Cies = CGE + CGC: 輸入電容（輸出短路） Coss = CGC + CEC:輸出電容（輸入短路） Cres = CGC: 反向轉(zhuǎn)移電容(米勒電容) 頻率f，所需的驅(qū)動(dòng)功率:
5. 開(kāi)關(guān)時(shí)間(tdon, tr, tdoff, tf)
開(kāi)關(guān)時(shí)間很大程度上受IG(RG),、IC,、VGE、Tj等參數(shù)影響,，這些值可用來(lái)計(jì)算死區(qū)時(shí)間,。
tPHLmax：驅(qū)動(dòng)輸入高到低的延時(shí)
tPLHmmin：驅(qū)動(dòng)輸入低到高的延時(shí)
6. 開(kāi)關(guān)參數(shù)(Eon, Eoff)
英飛凌按照“10%-2%”積分限計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，而有些其他廠商按照“10%-10%”計(jì)算,，后者結(jié)果比前者會(huì)小10 –25%
Eon, Eoff受IC, VCE, 驅(qū)動(dòng)能力(VGE, IG, RG), Tj和分布電感影響我們假設(shè)Eon和Eoff 正比于IC,在VCE_test（900V)的20%范圍內(nèi)正比于VCE,，則有：
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