關(guān)鍵字： IGBT 功率晶體管 開關(guān)速度 MOSFET

 IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件,，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功率級較為耐用）,，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),。
理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示：

IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到,，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動態(tài)特性（開關(guān)特性）,。

動態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲?。?br>

IGBT的開通過程

IGBT 在開通過程中，分為幾段時(shí)間

1.與MOSFET類似的開通過程,，也是分為三段的充電時(shí)間

2.只是在漏源DS電壓下降過程后期,，PNP晶體管由放大區(qū)至飽和過程中增加了一段延遲時(shí)間。

在上面的表格中,，定義了了：開通時(shí)間Ton,，上升時(shí)間Tr和Tr.i
除了這兩個時(shí)間以外，還有一個時(shí)間為開通延遲時(shí)間td.on:td.on=Ton-Tr.i

IGBT在關(guān)斷過程

IGBT在關(guān)斷過程中,，漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍?br>
第一段是按照MOS管關(guān)斷的特性的

第二段是在MOSFET關(guān)斷后,，PNP晶體管上存儲的電荷難以迅速釋放，造成漏極電流較長的尾部時(shí)間,。

在上面的表格中,，定義了了：關(guān)斷時(shí)間Toff，下降時(shí)間Tf和Tf.i
除了表格中以外,，還定義trv為DS端電壓的上升時(shí)間和關(guān)斷延遲時(shí)間td(off),。

漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而總的關(guān)斷時(shí)間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),，td(off)+trv之和又稱為存儲時(shí)間,。

從下面圖中可看出詳細(xì)的柵極電流和柵極電壓，CE電流和CE電壓的關(guān)系：

從另外一張圖中細(xì)看MOS管與IGBT管柵極特性可能更有一個清楚的概念：

開啟過程

關(guān)斷過程

嘗試去計(jì)算IGBT的開啟過程，主要是時(shí)間和門電阻的散熱情況,。

C.GE 柵極-發(fā)射極電容
C.CE 集電極-發(fā)射極電容
C.GC 門級-集電極電容（米勒電容）

Cies = CGE + CGC 輸入電容
Cres = CGC 反向電容
Coes = CGC + CCE 輸出電容
根據(jù)充電的詳細(xì)過程,，可以下圖所示的過程進(jìn)行分析

對應(yīng)的電流可簡單用下圖所示：

第1階段：柵級電流對電容CGE進(jìn)行充電，柵射電壓VGE上升到開啟閾值電壓VGE(th),。這個過程電流很大,，甚至可以達(dá)到幾安培的瞬態(tài)電流。在這個階段,，集電極是沒有電流的,，極電壓也沒有變化，這段時(shí)間也就是死區(qū)時(shí)間,，由于只對GE電容充電,，相對來說這是比較容易計(jì)算的，由于我們采用電壓源供電,，這段曲線確實(shí)是一階指數(shù)曲線,。

第2階段：柵極電流對Cge和Cgc電容充電，IGBT的開始開啟的過程了,，集電極電流開始增加,，達(dá)到最大負(fù)載電流電流IC，由于存在二極管的反向恢復(fù)電流,，因此這個過程與MOS管的過程略有不同,，同時(shí)柵極電壓也達(dá)到了米勒平臺電壓。

第3階段：柵極電流對Cge和Cgc電容充電,，這個時(shí)候VGE是完全不變的,，值得我們注意的是Vce的變化非常快,。

第4階段：柵極電流對Cge和Cgc電容充電,，隨著Vce緩慢變化成穩(wěn)態(tài)電壓，米勒電容也隨著電壓的減小而增大,。Vge仍舊維持在米勒平臺上,。

第5階段：這個時(shí)候柵極電流繼續(xù)對Cge充電，Vge電壓開始上升,，整個IGBT完全打開,。
我的一個同事在做這個將整個過程等效為一階過程。
如果以這個電路作為驅(qū)動電路的話：

驅(qū)動的等效電路可以表示為：

利用RC的充放電曲線可得出時(shí)間和電阻的功率,。

這么算的話,，就等于用指數(shù)曲線，代替了整個上升過程,，結(jié)果與等效的過程還是有些差距的,。
不過由于C.GE,，C.CE，C.GC是變化的,，而且電容兩端的電壓時(shí)刻在變化,，我們無法完全整理出一條思路來。
很多供應(yīng)商都是推薦使用Qg來做運(yùn)算,，計(jì)算方法也可以整理出來,，唯一的變化在于Qg是在一定條件下測定的，我們并不知道這種做法的容差是多少,。

我覺得這種做法的最大的問題是把整個Tsw全部作為充放電的時(shí)間,，對此還是略有些疑惑的。

說說我個人的看法,，對這個問題,，定量的去計(jì)算得到整個時(shí)間非常困難，其實(shí)就是仿真也是通過數(shù)字建模之后進(jìn)行實(shí)時(shí)計(jì)算的結(jié)果,，這個模型與實(shí)際的條件進(jìn)行對比也可能有很大的差距,。

因此如果有人要核算整個柵極控制時(shí)序和時(shí)間，利用電容充電的辦法大致給出一個很粗略的結(jié)果是可以的,，如果要精確的,，算不出來。

對于門級電阻來說,，每次開關(guān)都屬于瞬態(tài)功耗,，可以使用以前介紹過的電阻的瞬態(tài)功率進(jìn)行驗(yàn)算吧,。

電阻抗脈沖能力

我們選電阻的大小是為了提供足夠的電流,，也是為了足夠自身散熱情況。
前級的三極管,，這個三極管的速度要非?？欤駝t如果進(jìn)入飽和的時(shí)間不夠短,，在充電的時(shí)候?qū)⒖赡苡秀Q制作用,，因此我對于這個電路的看法是一定要做測試?？蛰d的和帶負(fù)載的,，可能情況有很大的差異。

柵極驅(qū)動的改進(jìn)歷程和辦法（針對米勒平臺關(guān)斷特性）

前面都講了一些計(jì)算的東西,，這次總結(jié)一些設(shè)計(jì)法則,。

柵極電阻：其目的是改善控制脈沖上升沿和下降沿的斜率，并且防止寄生電感與電容振蕩,，限制IGBT集電極電壓的尖脈沖值,。

柵極電阻值小——充放電較快，能減小開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗，增強(qiáng)工作的耐固性,，避免帶來因dv/dt的誤導(dǎo)通,。缺點(diǎn)是電路中存在雜散電感在IGBT上產(chǎn)生大的電壓尖峰，使得柵極承受噪聲能力小,，易產(chǎn)生寄生振蕩,。

柵極電阻值大——充放電較慢，開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗增大,。

一般的：開通電壓15V±10%的正柵極電壓,，可產(chǎn)生完全飽和，而且開關(guān)損耗最小,，當(dāng)<12V時(shí)通態(tài)損耗加大,，>20V時(shí)難以實(shí)現(xiàn)過流及短路保護(hù)。關(guān)斷偏壓-5到-15V目的是出現(xiàn)噪聲仍可有效關(guān)斷,，并可減小關(guān)斷損耗最佳值約為-8～10V,。

柵極參數(shù)對電路的影響

IGBT內(nèi)部的續(xù)流二極管的開關(guān)特性也受柵極電阻的影響，并也會限制我們選取柵極阻抗的最小值,。IGBT的導(dǎo)通開關(guān)速度實(shí)質(zhì)上只能與所用續(xù)流二極管反向恢復(fù)特性相兼容的水平,。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過電壓應(yīng)力，而且由于IGBT模塊中di/dt的增大,，也增大了續(xù)流二極管的過壓極限,。

柵極電阻與關(guān)斷變化圖

柵極驅(qū)動的印刷電路板布線需要非常注意，核心問題是降低寄生電感,，對防止?jié)撛诘恼袷?，柵極電壓上升速率，噪音損耗的降低,，降低柵極電壓的需求或減小柵極保護(hù)電路的效率有較大的影響,。

措施

因此將驅(qū)動至柵極的引線加粗，將之間的寄生電感減至最低,?？刂瓢迮c柵極驅(qū)動電路需要防止功率電路和控制電路之間的電感耦合。

當(dāng)控制板和IGBT控制端子不能直接連接時(shí),，考慮用雙股絞線(2轉(zhuǎn)/CM小于3CM長)或帶狀線,，同軸線進(jìn)行連接。

柵極保護(hù)

為了保險(xiǎn)起見,，可采用TVS等柵極箝位保護(hù)電路,，考慮放置于靠近IGBT模塊的柵極和發(fā)射極控制端子附近。IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用-2 中英飛凌的電路比較典型,。

耦合干擾與噪聲

IGBT的開關(guān)會使用相互電位改變,，PCB板的連線之間彼此不宜太近,，過高的dv/dt會由寄生電容產(chǎn)生耦合噪聲。要減少器件之間的寄生電容,，避免產(chǎn)生耦合噪聲,。

由于IGBT等功率器件都存在一定的結(jié)電容，所以會造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲現(xiàn)象,。雖然我們盡量考慮去降低該影響（提高控制極驅(qū)動電壓電流,，設(shè)置結(jié)電容釋放回路等）。但是為了防止關(guān)斷延遲效應(yīng)造成上下橋臂直通,，因?yàn)橐粋€橋臂未完全關(guān)斷,，而另一橋臂又處于導(dǎo)通狀態(tài)，直通炸模塊后后果非常嚴(yán)重（最好的結(jié)果是過熱）,。

死區(qū)時(shí)間（空載時(shí)間）設(shè)置

在控制中,，人為加入上下橋臂同時(shí)關(guān)斷時(shí)間，以保證驅(qū)動的安全性,。死區(qū)時(shí)間大,，模塊工作更加可靠，但會帶來輸出波形的失真及降低輸出效率,。死區(qū)時(shí)間小,，輸出波形要好一些，只是會降低可靠性,，一般為us級,，典型數(shù)值在3us以上。

在汽車電子應(yīng)用中,，特別要注意環(huán)境溫度對toff的影響很大,，使得toff延長，并且柵極電阻的加入也是的關(guān)斷時(shí)間受一定的影響,，因此需要進(jìn)行調(diào)整,。

IGBT柵極引起的問題列表（紅色部分圈注的）：