通過電光晶體的電光效應(yīng),，實(shí)現(xiàn)白光干涉中的電光調(diào)制相移原理，是一個(gè)基于物理光學(xué)和電光學(xué)原理的高級(jí)測(cè)量技術(shù),。以下是對(duì)這一原理的詳細(xì)解釋：

一,、電光效應(yīng)與電光晶體

電光效應(yīng)是指某些材料（主要是晶體）在外加電場(chǎng)的作用下,，其折射率會(huì)發(fā)生變化的現(xiàn)象,。這種效應(yīng)是電光調(diào)制的基礎(chǔ)。電光晶體是具有顯著電光效應(yīng)的材料,，它們?cè)谕饧与妶?chǎng)的作用下,，能夠改變光的傳播特性，如相位,、振幅和偏振態(tài),。

二,、電光調(diào)制原理

電光調(diào)制是利用電光效應(yīng)，通過改變外加電場(chǎng)來控制光信號(hào)的相位,、振幅或偏振態(tài)的過程,。在白光干涉測(cè)量中，電光調(diào)制器通常用于實(shí)現(xiàn)光波的相位調(diào)制,。當(dāng)白光通過電光晶體時(shí),，其相位會(huì)受到外加電場(chǎng)的影響而發(fā)生變化，從而實(shí)現(xiàn)電光調(diào)制相移,。

三,、白光干涉與電光調(diào)制相移

白光干涉是一種利用光的波動(dòng)性進(jìn)行測(cè)量的技術(shù)。當(dāng)兩束或多束相干光波在空間某點(diǎn)相遇時(shí),，它們會(huì)產(chǎn)生干涉現(xiàn)象,，形成明暗相間的干涉條紋。這些干涉條紋的位置和形態(tài)取決于光波的相位差,，而相位差則與光波經(jīng)過的光程差和調(diào)制器的相位調(diào)制量有關(guān),。

在白光干涉測(cè)量中，通過電光調(diào)制器實(shí)現(xiàn)的電光調(diào)制相移原理可以概括為以下幾個(gè)步驟：

電光晶體的選擇：選擇具有顯著電光效應(yīng)的電光晶體,，如鈮酸鋰,、鉭酸鋰等。這些晶體在外加電場(chǎng)的作用下,，能夠顯著改變光的相位,。

外加電場(chǎng)的施加：通過外部電路向電光晶體施加一個(gè)可控的電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)可以改變電光晶體的折射率,，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)光波的相位調(diào)制,。

白光干涉的測(cè)量：將經(jīng)過電光調(diào)制器調(diào)制后的白光引入干涉儀中，與另一束參考光產(chǎn)生干涉,。通過觀測(cè)干涉條紋的變化,，可以計(jì)算出相位差，進(jìn)而得到待測(cè)物體的相關(guān)信息,。

四,、應(yīng)用實(shí)例

基于電光調(diào)制相移原理的白光干涉測(cè)量技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用：

表面形貌測(cè)量：通過測(cè)量干涉條紋的變化量，可以精確計(jì)算出待測(cè)物體表面的微小起伏和缺陷,。

薄膜厚度測(cè)量：利用白光干涉測(cè)量技術(shù)可以精確測(cè)量薄膜的厚度和均勻性,。通過電光調(diào)制相移原理，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜厚度的非接觸式,、高精度測(cè)量,。

光學(xué)元件檢測(cè)：白光干涉測(cè)量技術(shù)還可用于檢測(cè)光學(xué)元件的缺陷、應(yīng)力分布等,。通過觀測(cè)干涉條紋的形態(tài)和變化,，可以判斷光學(xué)元件的質(zhì)量和性能,。

五、技術(shù)特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

高精度：電光調(diào)制相移原理可以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)別的測(cè)量精度,，滿足高精度測(cè)量的需求,。

非接觸式測(cè)量：該技術(shù)是一種非接觸式的測(cè)量方法，不會(huì)對(duì)被測(cè)物體造成損傷,，適用于脆弱或易損材料的測(cè)量,。

快速響應(yīng)：電光晶體對(duì)外加電場(chǎng)的響應(yīng)速度非常快,，可以實(shí)現(xiàn)高速測(cè)量,。

靈活性：通過調(diào)整外加電場(chǎng)的強(qiáng)度和方向，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)光波相位的精確控制,，從而適應(yīng)不同測(cè)量需求,。

綜上所述，通過電光晶體的電光效應(yīng)實(shí)現(xiàn)白光干涉中的電光調(diào)制相移原理是一種高精度,、非接觸式且快速響應(yīng)的測(cè)量技術(shù),。它在表面形貌測(cè)量、薄膜厚度測(cè)量和光學(xué)元件檢測(cè)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景和重要的研究價(jià)值,。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實(shí)時(shí)”動(dòng)態(tài)/靜態(tài) 微納級(jí)3D輪廓測(cè)量的白光干涉儀

1)一改傳統(tǒng)白光干涉操作復(fù)雜的問題,，實(shí)現(xiàn)一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實(shí)現(xiàn)卓越的重復(fù)性表現(xiàn),。

2)系統(tǒng)集成CST連續(xù)掃描技術(shù),，Z向測(cè)量范圍高達(dá)100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率,，為復(fù)雜形貌測(cè)量提供全面解決方案,。

3）可搭載多普勒激光測(cè)振系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)“動(dòng)態(tài)”3D輪廓測(cè)量,。

實(shí)際案例

1,，優(yōu)于1nm分辨率，輕松測(cè)量硅片表面粗糙度測(cè)量,，Ra=0.7nm

2,，毫米級(jí)視野，實(shí)現(xiàn)5nm-有機(jī)油膜厚度掃描

3,，卓越的“高深寬比”測(cè)量能力,，實(shí)現(xiàn)光刻圖形凹槽深度和開口寬度測(cè)量。