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Transphorm最新白皮書:常關(guān)D模式GaN相比常關(guān)E模式GaN的優(yōu)勢|gan|逆變器|高電壓|常關(guān)d模式|常關(guān)e模式|transphorm

 陸號魚 2023-10-24 發(fā)布于山東

 戈利塔,,加利福尼亞州--(美國商業(yè)資訊)--牢固耐用GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 宣布發(fā)布題為The Fundamental Advantages of D-Mode GaN in Cascode Configuration(共源共柵配置D模式GaN的基本優(yōu)勢) 的最新白皮書,。該白皮書提供了有關(guān)共源共柵(常閉)d模式GaN平臺固有優(yōu)勢的簡要指導(dǎo),。重要的是,,本文繼續(xù)解釋了e模式平臺如何要在根本上(物理層面)削弱一些固有性能優(yōu)勢,,才能提供常關(guān)解決方案,。本白皮書可在此處下載:https:///wpdmodeganch。

白皮書要點

該白皮書介紹了常關(guān)d模式GaN平臺具備的幾個關(guān)鍵優(yōu)勢,,包括:

  1. 實現(xiàn)更高性能:優(yōu)異的TCR (~25%)和更低的動態(tài)至靜態(tài)導(dǎo)通電阻比 (~25%),,從而降低損耗/提高效率,并提供更優(yōu)品質(zhì)因數(shù) (FOM),。
  2. 輕松保持更高功率運行狀態(tài):Transphorm d模式具有更高的飽和電流,,而e模式必須并聯(lián)才能實現(xiàn)相同的電流,但這會導(dǎo)致功率密度和可靠性降低,。
  3. 牢固耐用,,易于驅(qū)動:最耐用的柵極采用硅MOSFET SiO2柵極接口,不受e模式的p柵極限制,,與硅基驅(qū)動器和控制器兼容,。

“寬帶隙行業(yè)長期以來一直在爭論常關(guān)d模式GaN或e模式哪種解決方案更好?!盩ransphorm業(yè)務(wù)開發(fā)和營銷高級副總裁Philip Zuk表示,, “當(dāng)我們首次進入市場時,,我們探索了這兩種選擇,并選擇了常關(guān)d模式解決方案,,因為這是最可靠的選擇,,具有最強的性能和廣泛的驅(qū)動器兼容性。它還具備全面的長期路線圖以及e模式反復(fù)驗證都不具備的系統(tǒng)設(shè)計能力,。本白皮書旨在明確解釋我們?yōu)楹我赃@種方式設(shè)計GaN,,從而幫助客戶深入了解他們在選擇GaN器件時的所得所獲?!?/p>

十多年來,,Transphorm憑借最可靠的GaN平臺成功引領(lǐng)行業(yè),目前現(xiàn)場運行時間已超過2000億小時,,支持從低功率系統(tǒng)到高功率系統(tǒng)的最廣泛應(yīng)用,。公司率先獲得JEDEC資質(zhì)。率先取得AEC-Q101(汽車)資格,。率先發(fā)布900V平臺,。目前正在開發(fā)用于800 V電動??汽車電池應(yīng)用的1200 V演示平臺。

Transphorm展示的一款四象限開關(guān)能在微型逆變器和雙向系統(tǒng)等目標(biāo)設(shè)計中將器件數(shù)量減少兩到四個,。此外,,這款開關(guān)還具備5微秒的短路承受時間 (SCCL),從而打開了價值數(shù)十億美元的電機控制和電動汽車動力總成應(yīng)用市場,。

憑借其全面的產(chǎn)品平臺,,該公司已經(jīng)實現(xiàn)了從數(shù)十瓦到7.5千瓦客戶產(chǎn)品的設(shè)計導(dǎo)入和量產(chǎn),其應(yīng)用范圍包括計算(數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)電源,、高性能游戲,、區(qū)塊鏈、人工智能計算),、能源/工業(yè)(任務(wù)關(guān)鍵型UPS和微型逆變器)以及消費類適配器/快速充電器(筆記本電腦,、移動設(shè)備、家用電器),。該公司將這一切歸功于其最初為客戶提供的常關(guān)d模式設(shè)計,。

白皮書概要

總體而言,本白皮書討論了GaN固有的物理特點,。以及常關(guān)d模式GaN解決方案如何最大限度地發(fā)揮這些固有優(yōu)勢,,從而創(chuàng)建具有更高可靠性,、可設(shè)計性,、可驅(qū)動性、可制造性和多功能性的卓越平臺,。

具體來說,,本白皮書探討了二維電子氣通道 (2DEG) 的作用,,這是一種在GaN HEMT棧中自發(fā)形成的自然現(xiàn)象。由于所有GaN平臺(包括e模式)的核心都是常開d模式平臺,,本文將繼續(xù)研究2DEG和整個平臺的性能如何取決于是選擇d模式還是e模式來關(guān)閉平臺,。

最后糾正有關(guān)常關(guān)d模式和e模式器件性能的一些誤區(qū)。

白皮書獲取方式

此白皮書可通過以下鏈接免費下載:www./document/wp-dmode-gan-advantages,。

關(guān)于 Transphorm

Transphorm, Inc.是GaN創(chuàng)新的全球領(lǐng)先企業(yè),,為高電壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計和制造高性能、高可靠性的GaN半導(dǎo)體,。Transphorm擁有龐大的功率GaN知識產(chǎn)權(quán)組合,,包括超過1000個自有或授權(quán)專利。Transphorm生產(chǎn)了業(yè)界首款符合JEDEC和AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的高電壓GaN半導(dǎo)體器件,。公司的垂直一體化器件業(yè)務(wù)模式能夠?qū)崿F(xiàn)在設(shè)計,、制造、器件和應(yīng)用支持等每一個開發(fā)階段進行創(chuàng)新,。Transphorm的創(chuàng)新推動電力電子技術(shù)突破了硅材料的局限,,實現(xiàn)了99%以上的效率,使功率密度提高50%,,系統(tǒng)成本降低20%,。Transphorm總部位于加州戈萊塔市,在戈萊塔和日本會津設(shè)有制造業(yè)務(wù),。若要了解更多信息,,請訪問http://www.。敬請關(guān)注我們的Twitter@transphormusa和微信@ Transphorm_GaN,。

免責(zé)聲明:本公告之原文版本乃官方授權(quán)版本,。譯文僅供方便了解之用,煩請參照原文,,原文版本乃唯一具法律效力之版本,。

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