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來自： 阿明哥哥資料區(qū) > 《37.電子工程.芯片.電路板》
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寬禁帶|如何提高GaN和SiC的可靠性，還有哪些問題需解決,？聽聽產(chǎn)業(yè)界的討論
SiC可靠性問題,。與功率MOSFET類似，SiC器件也是垂直器件,，使用與MOSFET相同的柵極氧化物材料（二氧化硅）,，但SiC器件在更高的內(nèi)部電場下...
氮化鎵功率器件/模塊封裝技術(shù)研究進展
引線鍵合封裝型式雖然可以滿足 Si基器件/模塊的使用要求，但不能滿足 SiC 基和GaN 基器件/模塊,。雖然當(dāng)前 GaN 功率器件/模塊的功率等級...
政策推動下,，5G基站電源的應(yīng)用現(xiàn)狀
政策推動下,，5G基站電源的應(yīng)用現(xiàn)狀,。5G基站占移動基站總數(shù)的16%,。5G基站電源主要由給PA供電電源和板上電源兩部分組成。5G基站主要分為宏...
Transphorm最新白皮書：常關(guān)D模式GaN相比常關(guān)E模式GaN的優(yōu)勢|gan|逆變器|高電壓|常關(guān)d模式|常關(guān)e模式|transphorm
Transphorm最新白皮書：常關(guān)D模式GaN相比常關(guān)E模式GaN的優(yōu)勢|gan|逆變器|高電壓|常關(guān)d模式|常關(guān)e模式|transphorm.戈利塔,，加利福尼亞州--(美國商業(yè)資訊)--牢固耐用GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)Tran...
2023年電力電子元器件發(fā)展趨勢分析
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車規(guī)級功率器件封裝及可靠性
車規(guī)級功率器件封裝及可靠性,。
氮化鎵（GaN）會取代硅嗎？談?wù)劦壴?019年的應(yīng)用和局限
GaN晶體管的最大障礙之一是GaN器件通常是耗盡型器件,，當(dāng)柵極 - 源極電壓為零時它們導(dǎo)通,，這是一個問題，因為電源電路和邏輯依賴于常開和...
高壓電機實現(xiàn)調(diào)速的三種方式
高壓電機實現(xiàn)調(diào)速的三種方式1.2 高壓變頻器的產(chǎn)品和技術(shù)特點 目前,，主流的高壓變頻器產(chǎn)品主要有三種類型: (1) 電流源型 電流源...
IGBT,！國家電網(wǎng)做到了！
國內(nèi)IGBT器件的技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展剛起步,。國家電網(wǎng)公司組織相關(guān)單位提前推進IGBT器件現(xiàn)場試驗驗證技術(shù)研究并制訂試驗驗證方案,，圓滿完...
微信掃碼,，在手機上查看選中內(nèi)容
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