在過去幾十年內(nèi),，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）,。它在任何時候都可以讀寫,，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時存儲介質(zhì)（可稱作系統(tǒng)內(nèi)存）。
 

 
DRAM
 
DRAM由許多重復(fù)的位元格組成,，每一個基本單元由一個電容和一個晶體管構(gòu)成,。電容中存儲電荷量的多寡，用于表示“0”和“1”,。而晶體管，則用來控制電容的充放電,。
 

 
由于電容會存在漏電現(xiàn)象,。所以，必須在數(shù)據(jù)改變或斷電前,，進(jìn)行周期性“動態(tài)”充電,，保持電勢。否則,，就會丟失數(shù)據(jù),。因此，DRAM才被稱為“動態(tài)”隨機(jī)存儲器,。
 
DRAM一直是計算機(jī),、手機(jī)內(nèi)存的主流方案。計算機(jī)的內(nèi)存條（DDR）,、顯卡的顯存（GDDR）,、手機(jī)的運(yùn)行內(nèi)存（LPDDR），都是DRAM的一種,。（DDR基本是指DDRSDRAM,，雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。）
 
值得一提的是,，顯存這邊,，除了GDDR之外，還有一種新型顯存,，叫做HBM（HighBandwidthMemory）,。它是將很多DDR芯片堆疊后，與GPU封裝在一起構(gòu)成的（外觀上看不到顯存顆粒了）,。
 
SRAM
 
SRAM大家可能比較陌生,。其實(shí),，它就是我們CPU緩存所使用的技術(shù)。SRAM的架構(gòu),，比DRAM復(fù)雜很多,。
 
SRAM的基本單元，則最少由6管晶體管組成：4個場效應(yīng)管（M1,M2,M3,M4）構(gòu)成兩個交叉耦合的反相器,，2個場效應(yīng)管（M5,M6）用于讀寫的位線（BitLine）的控制開關(guān),，通過這些場效應(yīng)管構(gòu)成一個鎖存器（觸發(fā)器），并在通電時鎖住二進(jìn)制數(shù)0和1,。因此,，SRAM被稱為“靜態(tài)隨機(jī)存儲器”。
 

SRAM存儲單元

 
SRAM不需要定期刷新,，響應(yīng)速度快,，但功耗大、集成度低,、價格昂貴,。所以，它主要用于CPU的主緩存以及輔助緩存,。此外,，還會用在FPGA內(nèi)。它的市場占比一直都比較低,，存在感比較弱,。