剛才看了書，對(duì)sram dram的理解加深了一些,，下面這個(gè)說法其實(shí)很不全面,，推薦看看書來了解一下為什么dram要刷新，sram不需要

這個(gè)是由于ram的設(shè)計(jì)類型決定的,，dram用了一個(gè)t和一個(gè)rc電路,，導(dǎo)致電容毀漏電和緩慢放電。所以需要經(jīng)常的刷新來保持?jǐn)?shù)據(jù)

DRAM,，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù),。 而且是行列地址復(fù)用的,，許多都有頁模式。

SRAM,，靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，加電情況下,，不需要刷新,，數(shù)據(jù) 不會(huì)丟失，而且,，一般不是行列地址復(fù)用的,。

SDRAM，同步的DRAM,，即數(shù)據(jù)的讀寫需要時(shí)鐘來同步,。

DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大,。但是讀寫速度不如SRAM,，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了,，時(shí)鐘好像已經(jīng)有150兆的了,。那么就是讀寫周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高,，但是實(shí)際吞吐率要打折扣,。以PC133為例，它的時(shí)鐘周期是7.5ns,，當(dāng)CAS latency=2 時(shí),，它需要12個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)讀操作，10個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)寫操作,。不過,，如果以交替方式訪問Bank，SDRAM可以在每個(gè)周期完成一個(gè)讀寫操作（當(dāng)然除去刷新操作）。其實(shí)現(xiàn)在的主流高速存儲(chǔ)器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）,。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片,，最大工作速度是166MHz；可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片,，最大工作速度是133MHz,。

SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器,，它是一種類型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,。“靜態(tài)”是指只要不掉電，存儲(chǔ)在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會(huì)丟失,。這一點(diǎn)與動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）不同,，DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作。 然后,，我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲(chǔ)器（ROM）和Flash Memory相混淆,，因?yàn)镾RAM是一種易失性存儲(chǔ)器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù),。“隨機(jī)訪問”是指存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以以任何順序訪問,，而不管前一次訪問的是哪一個(gè)位置。

SRAM中的每一位均存儲(chǔ)在四個(gè)晶體管當(dāng)中,，這四個(gè)晶體管組成了兩個(gè)交叉耦合反向器,。這個(gè)存儲(chǔ)單元具有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，通常表示為0和1,。另外還需要兩個(gè)訪問晶體管用于控制讀或?qū)懖僮鬟^程中存儲(chǔ)單元的訪問,。因此，一個(gè)存儲(chǔ)位通常需要六個(gè)MOSFET,。對(duì)稱的電路結(jié)構(gòu)使得SRAM的訪問速度要快于DRAM,。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個(gè)原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復(fù)用的結(jié)構(gòu),。

SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆,，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），這與SRAM是完全不同的,。SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆,，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。

主要是存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)不同導(dǎo)致了容量的不同。一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元大約需要一個(gè)晶體管和一個(gè)電容（不包括行讀出放大器等）,，而一個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元大約需要六個(gè)晶體管,。DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大,，但是讀寫速度不如SRAM,。

一個(gè)是靜態(tài)的，一個(gè)是動(dòng)態(tài)的,，靜態(tài)的是用的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息,，而動(dòng)態(tài)的是用電子，要不時(shí)的刷新來保持,。

內(nèi)存（即隨機(jī)存貯器RAM）可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM,，和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM兩種。我們經(jīng)常說的“內(nèi)存”是指DRAM,。而SRAM大家卻接觸的很少,。

SRAM其實(shí)是一種非常重要的存儲(chǔ)器，它的用途廣泛,。SRAM的速度非常快,，在快速讀取和刷新時(shí)能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性,。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜,。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多,。正因?yàn)槿绱耍攀蛊浒l(fā)展受到了限制,。因此目前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部的一級(jí)緩存以及內(nèi)置的二級(jí)緩存,。僅有少量的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器以及路由器上能夠使用SRAM。