霍爾效應傳感器的高靈敏度準確地跟蹤極其微弱變化在磁通密度。線性源輸出電壓由電源電壓和在載 比例 的 有所不同的 磁 磁通密度,。典型工作電流為2.5mA。被廣泛運用于各類工業(yè)控制,，輸出穩(wěn)定，工作電壓 3至6.5V,。

產(chǎn)品編號 MH481IST

操作類型 線性

包裝 UA/SG/SQ

電壓范圍 3V - 6.5V

輸出電流 10mA

靈敏度（典型值）2mV/Gauss

2、PSMNxxx N 溝道 MOSFET 包括標準和邏輯電平,、常規(guī)和增強模式、采用 LFPAK,、I2PAK、TO-220 和 DFN3333-8 封裝的 N 溝道 MOSFET,，可耐受 150°C 或 175°C。PSMNxxx N 溝道 MOSFET 經(jīng)設計并合格用于各種工業(yè),、通信和家用設備,。 

采用 I2PAK 和 TO-220 封裝的 Nexperia 標準和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 由于低開關和傳導損耗而具有高效率,，適用于標準或邏輯電平柵極驅動源。

特征

低開關和傳導損耗帶來高效率

適用于標準或邏輯電平柵極驅動源

應用

DC-DC轉換器

鋰離子電池保護

負載切換

電源 OR-ing

服務器電源

同步整流器

電機控制

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120A（Tj）

驅動電壓（最大 Rds On,，最小 Rds On）：10V

不同 Id,、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.8 毫歐 @ 25A,，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：278 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：14400 pF @ 50 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：405W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：D2PAK

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片）,，TO-263AB

注：本文部分內容與圖片來源于網(wǎng)絡，版權歸原作者所有,。如有侵權,，請聯(lián)系刪除！