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高考化學(xué):化學(xué)考試中的高頻考點(diǎn)(51)

 學(xué)思踐悟必有成 2022-01-16

知識(shí)點(diǎn)

物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題的解題策略

命題形式有兩種:一是直接給出元素,,圍繞給出元素的原子結(jié)構(gòu)、形成的物質(zhì)等進(jìn)行考查,;二是給出元素的原子的一些結(jié)構(gòu)特點(diǎn)等,,首先判斷出元素,然后再進(jìn)行相應(yīng)的考查,。

一,、有關(guān)基態(tài)原子的核外電子排布“四、三和二”

1. 四種表示方法

表示方法

舉例

電子排布式

Cr:1s22s22p63s23p63d54s1

簡(jiǎn)化表示式

Cu:[Ar]3d104s1

價(jià)電子

排布式

Fe:3d64s2

電子排布圖

S:圖片

2. 排布三原則

能量最低原理

原子核外電子總是先占有能量最低的原子軌道

泡利原理

每個(gè)原子軌道上最多只能容納2個(gè)自旋方向相反的電子

洪特規(guī)則

當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí),,基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道,,而且自旋方向相同

3. 有關(guān)第一電離能和電負(fù)性的兩種遞變性


同周期(從左到右)

同主族(從上到下)

第一電離能

增大(注意ⅡA、ⅤA的特殊性)

依次減小

電負(fù)性

依次增大

依次減小

二,、根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷分子的空間構(gòu)型

1. 價(jià)層電子對(duì)互斥模型說的是價(jià)層電子對(duì)的空間構(gòu)型,,而分子的空間構(gòu)型指的是成鍵電子對(duì)的空間構(gòu)型,不包括孤電子對(duì),。

①當(dāng)中心原子無孤電子對(duì)時(shí),,兩者的構(gòu)型一致。

②當(dāng)中心原子有孤電子對(duì)時(shí),,兩者的構(gòu)型不一致,。

電子

對(duì)數(shù)

成鍵數(shù)

孤電子對(duì)數(shù)

價(jià)層電子

對(duì)立體構(gòu)型

分子立體構(gòu)型

實(shí)例

2

2

0

直線形

直線形

CO2

3

3

0

三角形

三角形

BF3

2

1

V形

SO2

4

4

0

四面體形

正四面體形

CH4

3

1

三角錐形

NH3

2

2

V形

H2O

2. 運(yùn)用價(jià)層電子對(duì)互斥模型可預(yù)測(cè)分子或離子的立體結(jié)構(gòu),但要注意判斷其價(jià)層電子對(duì)數(shù),對(duì)ABm型分子或離子,,其價(jià)層電子對(duì)數(shù)的判斷方法為:

圖片×(中心原子的價(jià)電子數(shù)+每個(gè)配位原子提供的價(jià)電子數(shù)×m電荷數(shù))

三,、雜化軌道模型的判斷

(1)看中心原子形成的價(jià)鍵類型

一個(gè)三鍵

sp雜化

一個(gè)雙鍵

sp2雜化

全部是單鍵

sp3雜化

圖片 

(2)價(jià)電子對(duì)法

價(jià)層電子對(duì)數(shù)

雜化類型

2

sp雜化

3

sp2雜化

4

sp3雜化

四、“兩角度”比較晶體熔,、沸點(diǎn)的高低

1. 不同類型晶體熔,、沸點(diǎn)的比較

(1)不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低一般規(guī)律:原子晶體>離子晶體>分子晶體,。

(2)金屬晶體的熔,、沸點(diǎn)差別很大,如鎢,、鉑等熔,、沸點(diǎn)很高,汞,、銫等熔,、沸點(diǎn)很低。

2. 同種類型晶體熔,、沸點(diǎn)的比較

(1)原子晶體

圖片

如熔點(diǎn):金剛石>碳化硅>硅,。

(2)離子晶體

①一般地說,陰,、陽離子的電荷數(shù)越多,,離子半徑越小,則離子間的作用力越強(qiáng),,其晶體的熔,、沸點(diǎn)越高,如熔點(diǎn):MgO>MgCl2,,NaCl>CsCl,。

②衡量離子晶體穩(wěn)定性的物理量是晶格能。晶格能越大,,形成的離子晶體越穩(wěn)定,,熔點(diǎn)越高,硬度越大,。

(3)分子晶體

①分子間作用力越大,,物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高,;具有氫鍵的分子晶體熔,、沸點(diǎn)反常高。如H2O>H2Te>H2Se>H2S,。

②組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,,相對(duì)分子質(zhì)量越大,,熔、沸點(diǎn)越高,,如SnH4>GeH4>SiH4>CH4,。

③組成和結(jié)構(gòu)不相似的分子晶體(相對(duì)分子質(zhì)量接近),其分子的極性越大,,熔,、沸點(diǎn)越高,如CH3OH>CH3CH3,。

④同分異構(gòu)體,,支鏈越多,熔,、沸點(diǎn)越低,。

如:CH3CH2CH2CH2CH3>圖片

(4)金屬晶體

金屬離子半徑越小,離子電荷數(shù)越多,,其金屬鍵越強(qiáng),金屬晶體的熔,、沸點(diǎn)越高,,如熔、沸點(diǎn):Na<Mg<Al,。

例:近年來我國(guó)科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一系列意義重大的鐵系超導(dǎo)材料,,其中一類為Fe?Sm?As?F?O組成的化合物?;卮鹣铝袉栴}:

(1)元素As與N同族,。預(yù)測(cè)As的氫化物分子的立體結(jié)構(gòu)為_______,其沸點(diǎn)比NH3的_______(填“高”或“低”),,其判斷理由是________________________,。

(2)Fe成為陽離子時(shí)首先失去______軌道電子,Sm的價(jià)層電子排布式為4f66s2,,Sm3+的價(jià)層電子排布式為______________________,。

(3)比較離子半徑:F?__________O2?(填“大于”等于”或“小于”)。

(4)一種四方結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)化合物的晶胞如圖1所示,,晶胞中Sm和As原子的投影位置如圖2所示,。

圖片 

圖1                 圖2

圖中F?和O2?共同占據(jù)晶胞的上下底面位置,若兩者的比例依次用x和1?x代表,,則該化合物的化學(xué)式表示為____________,,通過測(cè)定密度ρ和晶胞參數(shù),可以計(jì)算該物質(zhì)的x值,,完成它們關(guān)系表達(dá)式:ρ=________g·cm?3,。

以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo),例如圖1中原子1的坐標(biāo)為(圖片),,則原子2和3的坐標(biāo)分別為__________,、__________。

圖片

圖片


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