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【學(xué)術(shù)論文】小數(shù)分頻頻率合成器的Σ-Δ調(diào)制分析及優(yōu)化

 ChinaAET 2020-10-31

    小數(shù)分頻頻率合成器的實現(xiàn)方法有多種,,如Pulse swallowing,、Pulse interpolatoin、Wheately random jittering,、Σ-Δ modulation[1],,其中Σ-Δ modulation架構(gòu)以其優(yōu)良的相噪指標(biāo)及全數(shù)字化而成為小數(shù)分頻頻率合成器的主流。本文旨在分析Σ-Δ量化噪聲對小數(shù)分頻頻率合成器相位噪聲及雜散的影響,,找到適合于小數(shù)分頻頻率合成器的Σ-Δ調(diào)制器,。

1
相位噪聲

    基于鎖相環(huán)閉環(huán)回路實現(xiàn)小數(shù)分頻頻率合成器,建立線性數(shù)學(xué)模型,,分析其相位噪聲源及傳遞函數(shù),。

1.1 相位噪聲模型

    Rohde已經(jīng)闡明[2],PLL的每個組成部分都產(chǎn)生噪聲,。小數(shù)分頻頻率合成器主要相位噪聲源有參考時鐘相位噪聲θref(t),、PFD相位噪聲θPFD(t)、VCO相位噪聲θVCO(t),、分頻器相位噪聲θdiv(t),、Σ-Δ量化噪聲。

    基于鎖相環(huán)小數(shù)分頻頻率合成器如圖1所示,。

    定義τn為第n個參考時鐘的上升沿時刻,,則:[3]

    由相位誤差公式及圖1,可以推得圖2所示的Σ-Δ小數(shù)分頻頻率合成器相位噪聲線性模型,。

1.2 相位噪聲分析

    Σ-Δ小數(shù)分頻頻率合成器相位噪聲源到輸出端的傳遞函數(shù)除VCO相位噪聲傳遞函數(shù)為高通濾波傳遞函數(shù)外,,其余噪聲源到輸出端的傳遞函數(shù)均為低通濾波傳遞函數(shù)。本文著重分析Σ-Δ量化噪聲對輸出相位噪聲的影響,。

    圖2中(y(k)-α)為Σ-Δ量化噪聲q(t),,其Z域傳遞函數(shù)NTF(z)=(1-z-1)L[4]。由量化噪聲注入到PLL的相位噪聲為:

1.2.1 Σ-Δ量化器階數(shù)對相位噪聲的影響

    MATLAB繪制不同Σ-Δ量化器階數(shù),,量化噪聲引起的PLL輸出相位噪聲頻域響應(yīng),,如圖3所示。曲線“.”為二階Σ-Δ量化器注入到頻率合成器的相位噪聲曲線“.-”為三階Σ-Δ量化器相位噪聲,;曲線“--”為頻率合成器相位噪聲傳遞函數(shù),; 曲線“+”為二階Σ-Δ頻率合成器相位噪聲;實線為三階Σ-Δ頻率合成器相位噪聲,。

    可見,,Σ-Δ量化器階數(shù)越高,小數(shù)分頻頻率合成器帶內(nèi)相位噪聲越低,。

1.2.2 環(huán)路帶寬對相位噪聲的影響

    圖4為3階Σ-Δ量化器,,在不同PLL環(huán)路濾波器帶寬條件下,小數(shù)分頻頻率合成器帶相位噪聲頻譜圖,。曲線“.”為三階Σ-Δ量化器相位噪聲,;曲線“.-”分別為帶寬10 kHz與1 MHz頻率合成器相位噪聲傳遞函數(shù);實線分別為帶寬10 kHz與1 MHz的三階Σ-Δ頻率合成器相位噪聲,。

    由此可見,,環(huán)路帶寬越小,由Σ-Δ量化引起的相位噪聲越低,。

2
相位噪聲優(yōu)化

    通過1.2.1分析,,高階Σ-Δ量化器可以將量化噪聲推到高頻,,使得帶內(nèi)量化噪聲降低,頻率合成器輸出相位噪聲也降低,。

    由一階調(diào)制器構(gòu)成的MASH高階Σ-Δ量化器,,無條件穩(wěn)定,但是MASHΣ-Δ量化器存在的問題是它的輸出是多位,,頻率合成器之分頻器設(shè)計復(fù)雜,,且分頻比會在多模之間切換,會給鑒相器的輸出引入高頻抖動,。

    高階單環(huán)路Σ-Δ量化器存在穩(wěn)定性問題,。為使高階單環(huán)路Σ-Δ量化器穩(wěn)定工作,其噪聲傳遞函數(shù)增益需滿足[5]

    

    通過高階環(huán)路引入前饋通路,,改變NTF增益,,使其穩(wěn)定工作。但是帶來的缺點是NTF對量化噪聲的抑制低于理想NTF(z)=(1-z-1)L對量化噪聲的抑制,。本文提出,,信號在輸入Σ-Δ量化器之前,添加高頻零點,,從而使內(nèi)置二階Σ-Δ量化器的小數(shù)分頻頻率合成器獲得可以與高階Σ-Δ頻率合成器相當(dāng)?shù)南辔辉肼曋笜?biāo),。相位噪聲優(yōu)化如圖5所示。

    圖5中,,曲線“--”為三階Σ-Δ量化器相位噪聲,;曲線“.-”相位噪聲傳遞函數(shù);曲線“+”為二階Σ-Δ頻率合成器相位噪聲,;曲線“.”為三階Σ-Δ頻率合成器相位噪聲,;實線為插入高階零點后的二階Σ-Δ頻率合成器相位噪聲。顯而易見,,輸入信號插入高頻零點后,,二階Σ-Δ頻率合成器可以獲得高階Σ-Δ量化頻率合成器性能。

    另一種優(yōu)化相位噪聲的方法是降低頻率合成器環(huán)路帶寬,,如1.2.2分析所示,。但是為抑制VCO相位噪聲,需要增加頻率合成器帶寬[6],。設(shè)計中需要折中優(yōu)化,,找到最優(yōu)帶寬。

    需要注意的是,,Σ-Δ頻率合成器鎖定后,,Σ-Δ量化器輸出頻率等于參考時鐘頻率,提高參考時鐘頻率,量化器工作頻率也提高,,可以把量化噪聲推到更高頻,,進(jìn)入信號帶內(nèi)的相位噪聲更低,不需要通過壓低頻率合成器帶寬來降低相位噪聲,,使得Σ-Δ頻率合成器帶寬提升,。

3
雜散

    分析Σ-Δ頻率合成器雜散產(chǎn)生機(jī)理,從優(yōu)化Σ-Δ調(diào)制器角度,,提出雜散抑制措施,。

3.1 雜散分析

    Σ-Δ頻率合成器由于其反饋支路分頻器分頻比動態(tài)切換,,反饋信號上升沿時刻為:

    此外,,Σ-Δ量化器位數(shù)不夠,會導(dǎo)致量化器飽和,,產(chǎn)生很大的雜散,。同時,量化器飽和也會惡化噪聲傳遞函數(shù)NTF,,高頻量化噪聲會進(jìn)入信號帶內(nèi),。

    三階Σ-Δ量化器時域表達(dá)式為:

    

    歸一化量化噪聲|q[n]|≤0.5,可得|y[n]|≤|a|+4,。

    至少需要3 bit表示y[n],,量化器才不會飽和[7]

3.2 雜散抑制

    優(yōu)化Σ-Δ量化器設(shè)計,,抑制雜散,。

    為抑制Σ-Δ頻率合成器固有雜散,可以在Σ-Δ量化器的輸入信號上迭加一個能量很低的白噪聲[8],。迭加白噪聲后的輸出頻率誤差部分可表達(dá)為(y[n]-α+qwhite)×fref,。白噪聲的存在使得頻率誤差部分不再固定出現(xiàn)在α×fref與(1-α)×fref及其諧波處的雜散。

    為降低Σ-Δ頻率合成器相位噪聲,,需要高階Σ-Δ量化器,。由3.1節(jié)分析可知,高階Σ-Δ量化器需要量化器位數(shù)高,,才不至于導(dǎo)致量化器飽和而產(chǎn)生雜散,。但是量化器位數(shù)高,y[n]取值范圍寬,,輸出頻率雜散部分(y[n]-α)×fref會產(chǎn)生更多的諧波,,會產(chǎn)生更大的瞬時相位差,要鑒相器具有很高的線性度[9],。從抑制雜散角度看,,Σ-Δ量化器階數(shù)不宜高。對于二階Σ-Δ量化器,時域表達(dá)式為:

    

    歸一化量化噪聲|q[n]|≤0.5,,可得|y[n]|≤|a|+2,。y[n]可由2 bit表示,量化器才不會飽和,。相比于高階Σ-Δ頻率合成器,,2階Σ-Δ頻率合成器雜散成分小。

4
芯片實現(xiàn)

    基于SMIC0.13 μm RF制程,,設(shè)計了1.575 GHz PLL IP,。PLL之小數(shù)分頻通過數(shù)字二階Σ-Δ量化器的輸出動態(tài)切換PLL反饋路徑分頻比實現(xiàn),滿足GPS時鐘超低相噪/雜散指標(biāo),,該IP已量產(chǎn)于GPS接收機(jī)芯片,,可獲得-150 dBm接收靈敏度。

5
結(jié)論

    本文分析研究了Σ-Δ量化器對小數(shù)分頻頻率合成器相位噪聲及雜散的影響,,并建立小數(shù)分頻頻率合成器線性數(shù)學(xué)模型,,通過MATLAB驗證理論分析的可靠性。同時,,提出優(yōu)化Σ-Δ量化器措施,,以降低小數(shù)分頻頻率合成器相位噪聲與雜散。本文認(rèn)為,,輸入信號預(yù)先插入高頻零點,,且迭加低能量白噪聲的二階Σ-Δ量化器適合于Σ-Δ頻率合成器。通過提高Σ-Δ駐量化器工作頻率可提升頻率合成器帶寬,。

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