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會(huì)議分享| 第十屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件分會(huì)年會(huì)重要內(nèi)容匯編

 大國(guó)重器元器件 2020-09-11

親耐的小伙伴們:
早上7點(diǎn)半,,最新的會(huì)議情況,,我們?nèi)缂s而至啦。

作為研究人員,,我們從內(nèi)容角度出發(fā)對(duì)這次會(huì)議進(jìn)行了呈現(xiàn),,而非傳統(tǒng)記者報(bào)道,。不知您對(duì)此篇公號(hào)的選題和內(nèi)容組織形式有何感想,,歡迎留言與我們交流。


第十屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件分會(huì)年會(huì)暨2016’全國(guó)半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展,、創(chuàng)新產(chǎn)品和新技術(shù)研討會(huì)

第九屆中國(guó)微電子技術(shù)交流與學(xué)術(shù)研討會(huì)

2016727-29日,,半導(dǎo)體分立器件年會(huì)在吉林市召開(kāi),,工信部電子信息司集成電路處副處長(zhǎng),、吉林市副市長(zhǎng)、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)副理事長(zhǎng)等領(lǐng)導(dǎo)和專(zhuān)家參加會(huì)議并致辭,國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司總經(jīng)理丁文武,、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司原副總經(jīng)理趙正平等做了特邀報(bào)告,。接下來(lái)“本征”和“赤兔”兩位小編將與您分享會(huì)上的精彩內(nèi)容。

半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)情況

據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)統(tǒng)計(jì),,2015年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為3352億美元,,集成電路占82%,分立器件,、傳感器和光電器件共占18%2015年中國(guó)分立器件市場(chǎng)規(guī)模為2000億元,,增長(zhǎng)6.8%,。

中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)陳賢副理事長(zhǎng)對(duì)我國(guó)產(chǎn)業(yè)界,、高校、研究所在半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域所取得的成績(jī)給予了充分肯定,。同時(shí)他也表示,,中國(guó)的半導(dǎo)體分立器件行業(yè)規(guī)模還比較小,,主要集中于中低端,,如約95%IGBT產(chǎn)品需要進(jìn)口。與國(guó)際市場(chǎng)風(fēng)起云涌的并購(gòu)態(tài)勢(shì)相比,,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)風(fēng)平浪靜,,這說(shuō)明我們的產(chǎn)業(yè)不夠成熟,正在布局,。

我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)的發(fā)展思路應(yīng)是:鞏固好已有成果,,做好設(shè)計(jì)、晶圓和封裝,;做好現(xiàn)在,,運(yùn)用資本市場(chǎng),同時(shí)爭(zhēng)取政府支持功率器件發(fā)展,;展望未來(lái),,開(kāi)展分立器件領(lǐng)域新技術(shù)、新產(chǎn)品的研究,,尤其是寬禁帶半導(dǎo)體方面應(yīng)有所建樹(shù),。

“大基金”在半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域的投資

國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“大基金”)與20149月成立,第一期規(guī)模為1200億元,,截止20166月底共承諾投資675億元,,實(shí)際出資350億元,目前正在醞釀第二期,。據(jù)丁文武總經(jīng)理表示,,大基金675億支持了集成電路設(shè)計(jì),、制造,、封測(cè)、裝備,、材料以及生態(tài)環(huán)境建設(shè),,支持了地方政府設(shè)立的資金和龍頭企業(yè)設(shè)立的資金。

在分立器件領(lǐng)域,,大基金對(duì)GaAs,、GaNSiC等化合物半導(dǎo)體給予的支持最多,,達(dá)到90億,,還將支持光刻膠等相關(guān)材料和裝備。

寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展

從國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與集成電路研討會(huì)(ISPSD)發(fā)展歷程可見(jiàn),,在1995年的第七屆ISPSD會(huì)議上首次設(shè)立了SiC分論壇,,在2004年的第十六屆ISPSD會(huì)議上首次出現(xiàn)GaN分論壇(SiCGaN分論壇),,在2006年的第十八屆ISPSD會(huì)議上首次獨(dú)立出現(xiàn)GaN分論壇,在2016年的第二十八屆ISPSD會(huì)議上SiCGaN文章投稿數(shù)量各為52篇,,占投稿總文章數(shù)的40%,,由此可見(jiàn)SiCGaN近年來(lái)強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭。



SiC技術(shù)從2000年開(kāi)始成熟,;SiC二極管在2002年開(kāi)始產(chǎn)品化,;2009年,SiC MOSFET開(kāi)始成熟,,克服了以往界面態(tài)不穩(wěn)定的難題,。由于SiC器件具有以下5個(gè)主要特點(diǎn),趙正平教授分析其在電動(dòng)汽車(chē),、光伏和風(fēng)能綠色能源,、智能電網(wǎng)等方面將有廣闊應(yīng)用前景。

1)低漏電,、高工作溫度(>200℃)和抗輻照性能改善,;

2)擊穿電場(chǎng)高(2×106V/cm),關(guān)斷漂移層能更薄和具有更高的摻雜濃度,,導(dǎo)致和Si同等器件相比具有低一個(gè)數(shù)量級(jí)的開(kāi)態(tài)電阻,;

3)熱導(dǎo)率高(SiC 4.9W/cm℃),可工作在更高的功率密度,;

4)電子飽和漂移速度高(2×107cm/s),,導(dǎo)致更高的工作頻率;

5)兆瓦級(jí)電力電子學(xué),。



關(guān)于GaN的情況,,趙正平教授在去年的分立器件年會(huì)上做了報(bào)告。

可穿戴微能源

微能源,,顧名思義,,即不僅“量”微,體積也“微”的能源,。微能源的能量采集源豐富,,如太陽(yáng)能,人體運(yùn)動(dòng)過(guò)程中由于震動(dòng)產(chǎn)生的能量,、熱能,、WIFI等射頻信號(hào)能等。其中,,由于“摩擦”而產(chǎn)生的能量是自然界中最常見(jiàn)的能量來(lái)源之一,,也是科學(xué)家們都很“看好”的利用資源。

北京大學(xué)的張海霞教授關(guān)于“適用于可穿戴的微能源技術(shù)”的專(zhuān)題報(bào)告深入淺出,,生動(dòng)有趣,,給我們展示了一個(gè)嘆為觀止的奇妙技術(shù),。張海霞教授研究小組希望能夠?qū)⑽覀冏陨淼哪芰吭崔D(zhuǎn)換成我們想要的電源。比如,,該研究小組采用微納結(jié)構(gòu)做出了三明治結(jié)構(gòu)的納米摩擦發(fā)電機(jī),,采用生物可兼容材料制造,產(chǎn)生的電流可用于驅(qū)動(dòng)神經(jīng)探針,;再比如,,他們研發(fā)的納米摩擦發(fā)電機(jī)可實(shí)現(xiàn)10V左右的直流輸出,輕輕敲觸發(fā)電機(jī)即可點(diǎn)亮100多個(gè)LED燈,;該小組還研制了世界上第一臺(tái)單表面透明摩擦發(fā)電機(jī),,但目前還沒(méi)商用。

中科院電子所傳感技術(shù)聯(lián)合國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳賢祥研究員也針對(duì)《穿戴式健康監(jiān)護(hù)傳感器系統(tǒng)》做了學(xué)術(shù)演講,。陳研究員首先介紹了可穿戴式健康監(jiān)護(hù)傳感器系統(tǒng)發(fā)展的市場(chǎng)需求,,即市場(chǎng)推動(dòng)力:術(shù)后康復(fù)及獨(dú)居老人的日常監(jiān)護(hù)等。然后講解了系統(tǒng)組成和關(guān)鍵技術(shù):可穿戴技術(shù),、低功耗技術(shù),、集成化技術(shù)、微弱信號(hào)檢測(cè)技術(shù)及環(huán)境適應(yīng)性技術(shù)等,。

半導(dǎo)體激光器

西安矩光科技有限公司首席科學(xué)家王警衛(wèi)博士做了題為《半導(dǎo)體激光器功率提高和可靠性提升的技術(shù)路徑探討》報(bào)告,。王博士談到,目前全球激光市場(chǎng)份額約100億美元,,其中高功率激光器所占比重在1/3左右,。未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)是激光器的高功率輸出、高的可靠性,、長(zhǎng)壽命以及低成本,。王博士還介紹了實(shí)現(xiàn)更好功率輸出的技術(shù)難點(diǎn)及解決方案。目前國(guó)內(nèi)連續(xù)波激光器輸出可達(dá)200W,,準(zhǔn)連續(xù)波輸出功率達(dá)200W-500W,,斜率效率可到60%-70%

新型半導(dǎo)體材料—氮化鋁

氮化鋁(AlN)晶體是寬禁帶直接帶隙半導(dǎo)體材料,,具有很好的高熱穩(wěn)定性,、高化學(xué)穩(wěn)定性即高硬度,,具有極好的壓電特性,。AlN是集電子、光電子,、壓電,、MEMS為一體的全新功能器件,可廣泛用于高溫電子器件,、高頻電子器件,、大功率電子器件,、光電子器件襯底材料、紫外光電子器件以及壓電,、表面聲波器件等,。地球上并沒(méi)有自然形態(tài)的AlN1862年首次實(shí)現(xiàn)了人工合成AlN粉體,,目前制備AlN的方法為物理氣相傳輸法,。

目前,國(guó)內(nèi)已制備出最大尺寸為22mmAlN單晶體,,接近國(guó)際最好水平(33mm),,掌握了相關(guān)制備工藝技術(shù);目前,,在國(guó)內(nèi),,AlN薄膜主要在LED領(lǐng)域和MEMS領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,同時(shí)集成電路,、先進(jìn)封裝和半導(dǎo)體照明也是該技術(shù)的主要經(jīng)營(yíng)領(lǐng)域,。

其他內(nèi)容

大會(huì)報(bào)告內(nèi)容豐富多彩。東南大學(xué)MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室代表做了關(guān)于MEMS風(fēng)速風(fēng)向傳感器的報(bào)告,,介紹了MEMS風(fēng)速傳感器的原理及已有成果,,同時(shí)展望了下一步的研究方向是提高傳感器靈敏度及降低功耗等。德國(guó)英??倒句N(xiāo)售經(jīng)理汪久志先生詳細(xì)介紹了當(dāng)今元器件密封性測(cè)試的方法,,廣州市寶力達(dá)電氣材料有限公司總經(jīng)理周樹(shù)東先生講解了絕緣材料使地面太陽(yáng)能發(fā)電美夢(mèng)成真的理論知識(shí)。

另附小編手拍照兩張,,與君共享松花江畔美景,。


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