01,、光刻：--尺度：晶圓級(jí)（300毫米/12英寸）

光刻膠層隨后被曝光在紫外線(UV)之下，期間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)類似按下機(jī)械相機(jī)快門那一刻膠片的變化,，光刻膠經(jīng)過紫外線曝光后會(huì)變得可溶解,。整個(gè)曝光是通過起模板作用的掩模（Mask）完成的。掩模上印著預(yù)先設(shè)計(jì)好的電路圖案,，紫外線透過它照在光刻膠層上,，形成微處理器的每一層電路圖案。圖中間的透鏡起縮小掩模圖案的作用,，使得在晶圓上得到的電路圖案長(zhǎng)度上是掩模的四分之一,。

02、光刻：--尺度：晶體管級(jí)別（50-200納米）

一塊晶圓上可以切割出數(shù)百個(gè)處理器,，不過從這里開始把視野縮小到其中一個(gè)上,，展示如何制作晶體管等部件。晶體管相當(dāng)于開關(guān),，控制著電腦芯片里的電流方向?，F(xiàn)在的晶體管已經(jīng)如此之小，一個(gè)針頭上就能放下大約3000萬個(gè),。

03,、溶解光刻膠：--尺度：晶體管級(jí)別（50-200納米）

曝光過的光刻膠被溶解掉，清除后留下的圖案和掩模上的一致,。

04,、蝕刻：--尺度：晶體管級(jí)別（50-200納米）

使用化學(xué)物質(zhì)溶解掉暴露出來的晶圓部分，而剩下的光刻膠保護(hù)著不應(yīng)該蝕刻的部分,。

05,、清除光刻膠：--尺度：晶體管級(jí)別（50-200納米）

蝕刻完成后,，光刻膠會(huì)被全部清除，然后就可以看到設(shè)計(jì)好的電路圖案,。

06,、涂光刻膠：--尺度：晶體管級(jí)別（50-200納米）

再次澆上光刻膠(藍(lán)色部分)，然后再次用紫外線光刻,。在下道工序（離子注入）前洗掉曝光的光刻膠,，剩下的光刻膠還是用來保護(hù)不被離子注入的那部分材料。

07,、離子注入(Ion Implantation)：--尺度：晶體管級(jí)別（50-200納米）

通過離子注入工序（即參雜工序的一種形式）,，硅片上暴露的部分用經(jīng)過加速的、要摻雜的原子的離子照射,，從而在被注入的區(qū)域形成特殊的注入層,，并改變這些區(qū)域的硅的導(dǎo)電性。經(jīng)過電場(chǎng)加速后,，注入的離子流的速度可以超過30萬千米每小時(shí),。

08、清除光刻膠：--尺度：晶體管級(jí)別（50-200納米）

離子注入完成后,，光刻膠也被清除,，而注入?yún)^(qū)域(綠色部分)也已摻雜，注入了不同的原子（注意這時(shí)候的綠色和之前已經(jīng)有所不同）,。

09,、晶體管完成：--尺度：晶體管級(jí)別（50-200納米）

至此，晶體管已經(jīng)基本完成,。在晶體管上面的絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個(gè)孔洞,，并填充銅，以便和其它晶體管互連,。