沙子：硅是地殼內(nèi)第二豐富的元素,，而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,，以二氧化硅(SiO2)的形式存在，這也是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),。

硅熔煉：12英寸/300毫米晶圓級(jí),。通過(guò)多步凈化得到可用于半導(dǎo)體制造質(zhì)量的硅，學(xué)名電子級(jí)硅(EGS),，平均每一百萬(wàn)個(gè)硅原子中最多只有一個(gè)雜質(zhì)原子,。此圖展示了是如何通過(guò)硅凈化熔煉得到大晶體的，最后得到的就是硅錠(Ingot),。

硅熔煉：12英寸/300毫米晶圓級(jí),。通過(guò)多步凈化得到可用于半導(dǎo)體制造質(zhì)量的硅，學(xué)名電子級(jí)硅(EGS)，平均每一百萬(wàn)個(gè)硅原子中最多只有一個(gè)雜質(zhì)原子,。此圖展示了是如何通過(guò)硅凈化熔煉得到大晶體的,，最后得到的就是硅錠(Ingot)。

硅錠切割：橫向切割成圓形的單個(gè)硅片,，也就是我們常說(shuō)的晶圓,。切割出的晶圓經(jīng)過(guò)拋光后變得幾乎完美無(wú)瑕，表面甚至可以當(dāng)鏡子

光刻膠(Photo Resist)：圖中藍(lán)色部分就是在晶圓旋轉(zhuǎn)過(guò)程中澆上去的光刻膠液體,，類似制作傳統(tǒng)膠片的那種。晶圓旋轉(zhuǎn)可以讓光刻膠鋪的非常薄,、非常平

光刻膠層隨后透過(guò)掩模被曝光在紫外線之下變得可溶,，掩模上印著預(yù)先設(shè)計(jì)好的電路圖案，紫外線透過(guò)它照在光刻膠層上,，就會(huì)形成微處理器的每一層電路圖案,。

一塊晶圓上可以切割出數(shù)百個(gè)處理器，晶體管相當(dāng)于開(kāi)關(guān),，控制著電流的方向,，一個(gè)針頭上就能放下大約3000萬(wàn)個(gè)。

溶解光刻膠,、蝕刻,、清除光刻膠

光刻膠：再次澆上光刻膠(藍(lán)色部分)，然后光刻,，并洗掉曝光的部分,，剩下的光刻膠還是用來(lái)保護(hù)不會(huì)離子注入的那部分材料

離子注入：在真空系統(tǒng)中，用經(jīng)過(guò)加速的,、要摻雜的原子的離子照射(注入)固體材料,，從而在被注入的區(qū)域形成特殊的注入層，并改變這些區(qū)域的硅的導(dǎo)電性,。經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速后的離子流速度可以超過(guò)30萬(wàn)千米每小時(shí)

清除光刻膠：離子注入完成后,，光刻膠也被清除，而注入?yún)^(qū)域(綠色部分)也已摻雜,，注入了不同的原子,。注意這時(shí)候的綠色和之前已經(jīng)有所不同。

晶體管就緒：至此,，晶體管已經(jīng)基本完成,。在絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個(gè)孔洞，并填充銅,，以便和其它晶體管互連,。

電鍍：在晶圓上電鍍一層硫酸銅，將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會(huì)從正極(陽(yáng)極)走向負(fù)極(陰極),。

銅層：電鍍完成后,，銅離子沉積在晶圓表面，形成一個(gè)薄薄的銅層,。

拋光：將多余的銅拋光掉,，也就是磨光晶圓表面。

金屬層：在不同晶體管之間形成復(fù)合互連金屬層,，具體布局取決于相應(yīng)處理器所需要的不同功能性,。

晶圓測(cè)試：內(nèi)核級(jí)別，大約10毫米/0.5英寸,。圖中是晶圓的局部,，正在接受第一次功能性測(cè)試，使用參考電路圖案和每一塊芯片進(jìn)行對(duì)比,。

晶圓切片(Slicing)：晶圓級(jí)別,，300毫米/12英寸。將晶圓切割成塊,，每一塊就是一個(gè)處理器的內(nèi)核(Die)

丟棄瑕疵內(nèi)核：晶圓級(jí)別,。測(cè)試過(guò)程中發(fā)現(xiàn)的有瑕疵的內(nèi)核被拋棄，留下完好的準(zhǔn)備進(jìn)入下一步

單個(gè)內(nèi)核：內(nèi)核級(jí)別,。從晶圓上切割下來(lái)的單個(gè)內(nèi)核,，這里展示的是Core i7的核心

封裝：封裝級(jí)別，20毫米/1英寸,。襯底(基片),、內(nèi)核、散熱片堆疊在一起,，就形成了我們看到的處理器的樣子,。襯底(綠色)相當(dāng)于一個(gè)底座，并為處理器內(nèi)核提供電氣與機(jī)械界面,，便于與PC系統(tǒng)的其它部分交互,。散熱片(銀色)就是負(fù)責(zé)內(nèi)核散熱的了

至此就得到完整的處理器了(這里是一顆Core i7)喜歡就訂閱我吧，數(shù)碼GO,，你身邊的趣味數(shù)碼分享家,。