在一般固態(tài)硬盤(pán)評(píng)測(cè)中，拆解出PCB,，給主控,、DRAM緩存、NAND閃存分別拍拍照就算完成了,，而今天存儲(chǔ)極客將探索更多,，看完顆粒不過(guò)癮,，顆粒內(nèi)部又是什么樣子呢？

存儲(chǔ)極客選擇了一塊東芝120G原廠固態(tài)硬盤(pán)進(jìn)行拆解：四核心八通道主控,、外置DRAM緩存,、原廠閃存顆粒，各方面都是高規(guī)格的用料,，很快它就要被破壞性拆解了,！

為了方便打磨，存儲(chǔ)極客選擇了上圖中右下角的閃存顆粒入手,，打磨棒舞起來(lái),！幾下下去閃存顆粒上的字跡就不見(jiàn)了。不同于某些固態(tài)硬盤(pán)將白片打磨后打上假原廠標(biāo),，這次存儲(chǔ)極客要做的是將真正原廠顆粒打磨到“零件級(jí)”,，看看顆粒內(nèi)部到底什么樣！

很快顆粒表面的一層封裝材料被打磨掉,，露出了內(nèi)部的金屬引線,。這顆東芝閃存使用的是TSOP封裝，而另外一種BGA封裝的結(jié)構(gòu)與此又會(huì)有很大的不同,。

在存儲(chǔ)極客的持續(xù)摧殘下,，閃存顆粒開(kāi)始支離破碎，引線層之下露出明亮的閃存芯片：薄薄的一片,，這就是從晶圓中經(jīng)過(guò)層層挑選的,、品質(zhì)最好的原廠閃存。閃存芯片之所以要封裝成顆粒使用主要有3個(gè)方面原因：固定引腳系統(tǒng),、保護(hù)芯片,、增強(qiáng)散熱。

這顆編號(hào)為T(mén)C58TEG7THL的東芝15nm TLC閃存至此被拆解回芯片狀態(tài),，它采用的是單Die封裝,，16K Page，單個(gè)Die的RAW容量最大18.96GB,，擁有多達(dá)19%的出廠冗余容量,，搭配原廠固件的糾錯(cuò)算法，令15nm TLC閃存可發(fā)揮出高達(dá)3000次擦寫(xiě)的寫(xiě)入壽命,。

文章到這里并沒(méi)有結(jié)束,，存儲(chǔ)極客還想再談?wù)剸|芝的更高級(jí)封裝技術(shù)——TSV硅通孔技術(shù)。上面拆解的閃存顆粒是最簡(jiǎn)單的情況：一個(gè)閃存顆粒內(nèi)部只有一顆芯片,。而為了達(dá)到更高容量和更高性能,，應(yīng)用疊Die方式可以在單個(gè)閃存顆粒中塞入多顆閃存芯片，并通過(guò)引線將其聯(lián)系起來(lái),。

除了前邊的引線之外,，東芝研發(fā)出了針對(duì)閃存使用的TSV硅通孔芯片互聯(lián)技術(shù),，可將單個(gè)閃存顆粒內(nèi)的芯片堆疊個(gè)數(shù)提高到16個(gè)！閃存容量得以翻倍增長(zhǎng),，同時(shí)性能也獲得了提升,。

隨著3D制程的引入，每個(gè)閃存小芯片內(nèi)部同樣是立體堆疊的結(jié)構(gòu),，雙重堆疊的結(jié)果就是容量的提高與再提高,。

如果輔以東芝率先宣布的3D QLC閃存類(lèi)型，應(yīng)用TSV技術(shù)16Die封裝,，單顆閃存顆粒容量可以做到1.5TB的新高度,！在指甲蓋大小上實(shí)現(xiàn)比機(jī)械硬盤(pán)更大的容量，已經(jīng)不再是天方夜譚,！而這一切都要感謝東芝在1984年發(fā)明閃存，并在過(guò)去30多年間持續(xù)引領(lǐng)閃存技術(shù)的不斷發(fā)展,。