一篇固態(tài)硬盤的評測是否有水平,，不光是看測試跑分是否詳細(xì),，更應(yīng)有針對成績的解讀以及硬件拆解和結(jié)構(gòu)上的分析。畢竟跑分大家都會跑,，必須拿出其他人不知道的內(nèi)存才能真正吸引讀者。

因為大多數(shù)固態(tài)硬盤拆解會失去保修,，所以拆解是網(wǎng)友們喜聞樂見的熱鬧環(huán)節(jié),。存儲極客就從東芝TR200固態(tài)硬盤的拆解開始，帶大家從熱鬧開始看門道,。

TR200使用了卡扣固定的金屬外殼,，相比過去螺絲固定方式節(jié)省了工時，而在穩(wěn)固程度上也并沒有短板,。打開外殼后可以看到,，PCB板同樣是卡扣形式固定在其中一側(cè)的外殼上。四顆閃存顆粒使用了TSOP封裝,，對于SATA固態(tài)硬盤來說,，TSOP封裝節(jié)省成本的同時也不會產(chǎn)生性能瓶頸(SATA3.0)，是一個相對理性的選擇,。

PCB的正面是一顆主控和另外四顆閃存顆粒,。這顆編號為TOSHIBA TC58NC1010GSB的主控源于群聯(lián)PS3111方案，但采用了獨有的東芝定制固件,。主控的上方覆蓋有導(dǎo)熱墊,，可將主控高速工作時產(chǎn)生的熱量快速傳導(dǎo)至金屬外殼上發(fā)散，這是大多數(shù)非原廠固態(tài)硬盤所沒有的增強穩(wěn)定性設(shè)計,。

PS3111為雙通道,、無外置緩存方案，所以在PCB板上我們看不到獨立的DRAM緩存芯片,。因為主控閃存通道數(shù)量不高,，每顆粒只能引出一個通道的TSOP封裝在這里并不會成為短板。

下面來看閃存顆粒特寫。這是一顆東芝原廠BiCS3閃存,，編號為TH58TFT0T23TA2H,，產(chǎn)地日本，生產(chǎn)周期為18年第六周,。東芝的閃存顆粒封裝地主要有日本,、臺灣和大陸三處，但封裝地不會影響閃存的品質(zhì),，所有BiCS3閃存晶圓都是在東芝位于日本三重縣四日市的Fab 6工廠制造,。

閃存編號對于普通玩家來說就像一段咒語，完全看不明白其中的含義,。每個閃存原廠來說都有自己的一套編號定義規(guī)則,，對于東芝閃存來說，所有閃存部件都以字母T開頭,，分為TC58和TH58兩種,，前者代表單芯片封裝(顆粒內(nèi)只有一個閃存die)，后者代表多芯片封裝(顆粒內(nèi)有多于1個die),。我們在東芝TR200 960G固態(tài)硬盤中看到的是后者,。

東芝閃存編號的第五位'T'代表閃存接口類型為Toggle：一種由東芝和三星領(lǐng)導(dǎo)的閃存接口標(biāo)準(zhǔn)，區(qū)別于美光和海力士提出的ONFI標(biāo)準(zhǔn),。第六位的'F'代表閃存工作的Vcc電壓為2.35V~3.6V,、VccQ電壓為2.7V~3.6V或1.7V~1.95V。

第七和第八位需要連同在一起來看,，代表閃存顆粒的容量,，T0對應(yīng)的是1T比特，也就是128GB,。東芝TR200使用了8顆閃存,，閃存總?cè)萘?024GB，扣除二級OP預(yù)留空間后實際可用為960GB,。

第九位的'T'代表8 Level(3bit/cell),，即TLC類型。第十位的2代表Page頁大小為16KB,。第11和第12位連在一起表達(dá)封裝形式,，TA表示使用無鉛、無鹵素環(huán)保工藝的TSOP封裝,。右數(shù)倒數(shù)第二位的'2'代表單閃存通道,、2個CE引腳。

由公開資料可知,，BiCS3是東芝第三代3D閃存,，采用64層三維堆疊工藝,，只有TLC一種類型，單Die容量256Gb或512Gb,。

借助phison flash id識別工具,，可以對閃存與主控的硬件配置情況進(jìn)行一番驗證，檢測結(jié)果如下：東芝TR200 960G使用的PS3111主控內(nèi)置32MB緩存,，閃存規(guī)格為256Gb/die的東芝64層堆疊BiCS 3D TLC,，每CE容量512Gb，Page大小為16KB,。與上文中通過閃存編號得到的信息一致,。

Flash ID軟件的識別能夠免除拆解過程，但是這個軟件只能識別出閃存類型,，并不能判斷閃存是原片還是白片,，目前要找高品質(zhì)原片閃存的固態(tài)硬盤，最好還是直接選擇原廠型號,。