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采用HSPICE 軟件可以在直流到高于100MHz 的微波頻率范圍內(nèi)對電路作精確的仿真、分析和優(yōu)化,。
在實際應(yīng)用中,， HSPICE能提供關(guān)鍵性的電路模擬和設(shè)計方案,，并且應(yīng)用HSPICE進行電路模擬時，
其電路規(guī)模僅取決于用戶計算機的實際存儲器容量,。
二,、新建設(shè)計工程
在對應(yīng)的界面下打開新建工程：
2）在出現(xiàn)的頁面中要注意對應(yīng)的選擇
3）在進行對應(yīng)的選擇后進入仿真電路的設(shè)計：將生成的對應(yīng)的庫放置在CADENCE常用的目錄
中，在仿真電路的工程中放置對應(yīng)的庫文件,。
這個地方要注意放置的.olb庫應(yīng)該是 PSPICE文件夾下面對應(yīng)的文件,，在該文件的上層中l(wèi)ibrary中
的.olb中的文件是不能進行仿真的，因為這些元件只有.olb,，而無網(wǎng)表.lib,。
4）放置對應(yīng)的元件：
對于項目設(shè)計中用到的有源器件，需要按照上面的操作方式放置對應(yīng)的器件,，對于電容,，
電阻電感等分離器件，可以在libraries中選中所有的庫,，然后在濾波器中鍵入對應(yīng)的元件
就可以選中對應(yīng)的器件,，點擊后進行放置。
對分離元件的修改直接在對應(yīng)的元件上面進行修改：電阻的單位分別為：k m;
電容的單位分別為：P n u ;電感的單位分別為：n 及上面的單位只寫量級不寫單位,。
5）放置對應(yīng)的激勵源：
在LIBRARIES中選中所有的庫,，然后鍵入S就可以選中以S開頭的庫。然后在對應(yīng)的
庫中選中需要的激勵源,。
激勵源有兩種一種是自己進行編輯,、手工繪制的這個對應(yīng)在庫中選擇：
另外一種是不需要自己進行編輯：
該參數(shù)的修改可以直接的在需要修改的數(shù)值上面就行修改,，也可以選定電源然后點擊右鍵后進行對應(yīng)的修改,。
6）放置地符號：
地符號就是在對應(yīng)的source里面選擇0的對應(yīng)的標(biāo)號。
7） 直流電源的放置：
電源的選擇里面應(yīng)該注意到選擇source 然后再選定VDC或者是其它的對應(yīng)的參考,。
8）放置探頭：
點擊對應(yīng)的探頭放置在感興趣的位置處,。
6 對仿真進行配置：
1）對放置的項目的名稱進行設(shè)置，也就是設(shè)置仿真的名稱,。
2）對仿真進行配置：
對仿真的配置主要是對兩個對應(yīng)的選項進行操作,，
Analysis中的對應(yīng)操作：
這個里面主要對應(yīng)analysis type 以及的操作，對應(yīng)掃描頻率,，需要注意 MEG的頻率單位,。
在configuration Files里面要注意category 中應(yīng)該選擇library,在filename 中選擇對應(yīng)的IC的庫文件，
選定后再選擇add as global 按鍵,，然后點擊確認就可以了,。
7 對電路進行仿真：
點擊3 就可以對電路進行仿真，仿真完成后會自動的出現(xiàn)仿真結(jié)果的圖示,。
8 在波形圖中的分析：
對于該目錄中的內(nèi)容可以進行不同的測量和分析,。
常見問題：
1,、網(wǎng)表錯誤
（1）檢查元器件命名是否重名
（2）參數(shù)是否不合法
（3）通過PSPICE->CREAT NETLIST生成網(wǎng)表，根據(jù)錯誤提示,，定位錯誤
（4）信號線連接問題
（5）信號源
2,、仿真不收斂
（1）檢查電路是否連接錯誤
（2）激勵是否合適
（3）修改仿真步長、及simulation setting->options中各精度參數(shù)
_ ABSTOL = 0.01μ (Default=1p)
_ VNTOL = 10μ (Default=1μ)
_ GMIN = 0.1n (Default=1p)
_ RELTOL = 0.05 (Default=0.001)
_ ITL4 = 500 (Default=10)
3,、沒有元件模板
下載的模型文件,，要在simulation setting中添加。
4,、floating pin
（1）缺少命名"0"的GND
（2）元件管腳浮空,，根據(jù)情況接到固定電平
Hspice 簡明手冊
Hspice是一個模擬電路仿真軟件，在給定電路結(jié)構(gòu)和元器件參數(shù)的條件下,，
它可以模擬和計算電路的各種性能,。用Hspice分析一個電路，首先要做到以下三點：
（1）給定電路的結(jié)構(gòu)（也就是電路連接關(guān)系）和元器件參數(shù)（指定元器件的參數(shù)庫）,；
（2）確定分析電路特性所需的分析內(nèi)容和分析類型（也就是加入激勵源和設(shè)置分析類型）,；
（3） 定義電路的輸出信息和變量。
Hspice規(guī)定了一系列輸入,，輸出語句,，用這些語句對電路仿真的標(biāo)題，電路連接方式,，
組成電路元器件的名稱,，參數(shù)，模型,，以及分析類型,，以及輸出變量等進行描述。
一,、 Hspice輸入文件的語句和格式
Hspice輸入文件包括電路標(biāo)題語句,，電路描述語句，分析類型描述語句,，輸出描述語句,，
注釋語句，結(jié)束語句等六部分構(gòu)成,，以下逐一介紹：
1 電路的標(biāo)題語句：
電路的標(biāo)題語句是輸入文件的第一行,，也成為標(biāo)題行，必須設(shè)置,。它是由任意字母和
字符串組成的說明語句,，它在Hspice的title框中顯示。
2 電路描述語句
電路描述語句由定義電路拓撲結(jié)構(gòu)和元器件參數(shù)的元器件描述語句,，模型描述語句和
電源語句等組成,，其位置可以在標(biāo)題語句和結(jié)束語句之間的任何地方,。
（1） 電路元器件
Hspice 要求電路元器件名稱必須以規(guī)定的字母開頭，其后可以是任意數(shù)字或字母,。
除了名稱之外,，還應(yīng)指定該元器件所接節(jié)點編號和元件值。
電阻,，電容,，電感等無源元件描述方式如下：
R1 1 2 10k (表示節(jié)點1 與2 間有電阻R1,阻值為10k 歐)
C1 1 2 1pf (表示節(jié)點1 與2 間有電容C1,電容值為1pf)
L1 1 2 1mh (表示節(jié)點1 與2 間有電感L1,電感值為1mh)
半導(dǎo)體器件包括二極管，雙極性晶體管,，結(jié)形場效應(yīng)晶體管,，MOS 場效應(yīng)晶體管等，
這些半導(dǎo)體器件的特性方程通常是非線性的,，故也成為非線性有源元件,。在電路CAD工具
進行電路仿真時，需要用等效的數(shù)學(xué)模型來描述這些器件,。
（a） 二極管描述語句如下：
DXXXX N+ N- MNAME <AREA> <OFF> <IC=VD>
D 為元件名稱,，N+和N-分別為二極管的正負節(jié)點，MNAME 是模型名 ,，后面為可選項：
AREA 是面積因子,，OFF時直流分析所加的初始條件，IC=VD 時瞬態(tài)分析的初始條件,。
（b）雙極型晶體管
QXXXX NC NB NE <NS> MNAME <AREA> <OFF> <IC=VBE,VCE>
Q 為元件名稱,，NC NB NE <NS>分別是集電極，基極,，發(fā)射極和襯底的節(jié)點,。缺省時，NS 結(jié)地,。
后面可選項與二極管的意義相同,。
（c）結(jié)型場效應(yīng)晶體管
JXXXX ND NG NS MNAME <AREA> <OFF> <IC=VDS,VGS>
J為元件名稱,，ND NG NS為漏,，柵，源的節(jié)點,，MNAME 是模型名 ,，后面為可選項與 二極管的意義相同。
（d）MOS 場效應(yīng)晶體管
MXXXX ND NG NS NB MNAME <L=VAL> <W=VAL>
M為元件名稱,，ND,NG,NS,NB 分別是漏,，柵，源和襯底節(jié)點,。MNAME 是模型名,，L溝道
長,，M為溝道寬。
（2） 元器件模型
許多元器件都需用模型語句來定義其參數(shù)值,。模型語句不同于元器件描述語句,，它是 以"."
開頭的點語句，由關(guān)鍵字.MODEL,模型名稱,，模型類型和一組參數(shù)組成,。電阻，電容,，二極管,，
MOS 管，雙極管都可設(shè)置模型語句,。這里我們僅介紹MOS 管的模型語句,，
其他的可參考Hspice幫助手冊。
MOS 場效應(yīng)晶體管模型
MOS 場效應(yīng)晶體管是集成電路中常用的器件,，在Hspice 有20 余種模型,，模型參數(shù)有
40――60 個，大多是工藝參數(shù),。例如一種MOS 模型如下：
.MODEL NSS NMOS LEVEL=3 RSH=0 TOX=275E-10 LD=.1E-6 XJ=.14E-6
+ CJ=1.6E-4 CJSW=1.8E-10 UO=550 VTO=1.022 CGSO=1.3E-10
+ CGDO=1.3E-10 NSUB=4E15 NFS=1E10
+ VMAX=12E4 PB=.7 MJ=.5 MJSW=.3 THETA=.06 KAPPA=.4 ETA=.14
.MODEL PSS PMOS LEVEL=3 RSH=0 TOX=275E-10 LD=.3E-6 XJ=.42E-6
+ CJ=7.7E-4 CJSW=5.4E-10 UO=180 VTO=-1.046 CGSO=4E-10
+ CGDO=4E-10 TPG=-1 NSUB=7E15 NFS=1E10
+ VMAX=12E4 PB=.7 MJ=.5 MJSW=.3 ETA=.06 THETA=.03 KAPPA=.4
上面：.MODEL為模型定義關(guān)鍵字.
NSS 為模型名,，NMOS為模型類型，LEVEL=3 表示半經(jīng)驗短溝道模型,，后面RSH=0
等等為工藝參數(shù),。
（3） 電路的輸入激勵和源
Hspice中的激勵源分為獨立源和受控源兩種，這里我們僅簡單介紹獨立源,。獨立源有獨立電壓源
和獨立電流源兩種,，分別用V 和I 表示。他們又分為直流源,，交流小信號源和瞬
態(tài)源,，可以組合在一起使用。
（a）直流源
VXXXX N+ N- DC VALUE
IXXXX N+ N- DC VALUE
例如：VCC 1 0 DC 5v （表示節(jié)點1,0 間加電壓5v）
（b）交流小信號源
VXXXX N+ N- AC <ACMAG <ACPHASE>>
IXXXX N+ N- AC <ACMAG <ACPHASE>>
其中,，ACMAG 和ACPHASE 分別表示交流小信號源的幅度和相位,。
例如：V1 1 0 AC 1v （表示節(jié)點1,0 間加交流電壓幅值1v，相位0）
（c）瞬態(tài)源
瞬態(tài)源有幾種,，以下我們均只以電壓源為例,，電流源類似:
* 脈沖源（又叫周期源）
VXXXX N+ N- PULSE（V1 V2 TD TR TF PW PER）
V1 初始值，V2 脈動值,，TD 延時,，TR 上升時間，TF下降時間，PW脈沖寬度,，PER 周期
例如：V1 5 0 PULSE（0 1 2NS 4Ns 4Ns 20NS 50NS）
* 正弦源
VXXXX N+ N- SIN(V0 VA FREQ TD THETA PHASE)
V0:偏置,，VA:幅度，F(xiàn)REQ: 頻率 ,，TD :延遲,，THETA: 阻尼因子，PHASE:相位
* 指數(shù)源
VXXXX N+ N- EXP(V1 V2 TD1 TAU1 TD2 TAU2)
V1初始值,，V2中止值,，TD1上升延時，TAU1上升時間常數(shù),，TD2下降延時,，TAU2下降
時間常數(shù)
例如:V1 3 0 EXP(0 2 2ns 30ns 60ns 40ns)
* 分段線性源
VXXXX N+ N- PWL(T1 V1 <T2 V2 T3 V3 。,。,。>)
其中每對值（T1，V1）確定了時間t＝T1是分段線性源的值V1,。
例如：Vpwl 3 0 PWL（0 1,，10ns 1.5）
(4) 子電路
* 子電路語句
.SUBCKT SUBNAM N1< N2 。,。,。>
子電路的定義由.SUBCKT 語句開始。SUBNAM是子電路名,，N1< N2 ,。。,。>是外部節(jié)點號
* 終止語句
.ENDS (表示結(jié)束子電路定義)
* 子電路調(diào)用語句
XYYYY N1< N2 ,。。,。> SUBNAM
在Spice中調(diào)用子電路的方法是設(shè)定以字母X 開頭的偽元件名,，其后是用來連接到子電路上
的節(jié)點號，在后面是子電路名,。
例如：.SUBCKT OPAMP 1 2 3 4
具體運放電路描述
.ENDS
Xop 1 2 3 4 OPAMP (調(diào)用該運放子電路)
3 電路的分析類型描述語句
分析類型描述語句由定義電路分析類型的描述語句和一些控制語句組成,，如直流分析（.OP），
瞬態(tài)分析（.TRAN）等分析語句,，以及初始狀態(tài)設(shè)置（.IC）,選擇項設(shè)置(.OPTIONS)等控制語句,。
它的位置可在標(biāo)題語句和結(jié)束語句之間的任何地方,。
(1) .TRAN(瞬態(tài)分析語句)
一般形式: .TRAN TSTEP TSTOP <TSTART <TMAX>> <UIC>
TSETP 為時間增量,TSTOP 為終止時間,TSTART 為初始時間（若不設(shè)定,，則隱含值為0）
例如：.TRAN 1NS 10000NS 500NS (瞬態(tài)分析500—10000NS，步長為1NS)
（2）.AC(交流分析語句)
在規(guī)定的頻率范圍內(nèi)完成電路的交流小信號分析
.AC DEC ND FSTART FSTOP （數(shù)量級變化）
其中，DEC 為10 倍頻,，ND 為該范圍內(nèi)點的數(shù)目,，F(xiàn)START初始頻率，F(xiàn)STOP 中止頻率,。
例如： .AC DEC 10 1 10K (指從1 到10KHZ范圍,，每個數(shù)量級取10 點，交流小
信號分析)
（3）.DC(直流掃描語句)
是在指定的范圍內(nèi),，某一個獨立源或其他電路元器件參數(shù)步進變化時,，計算電路滯留輸
出變量的相應(yīng)變化曲線。
DC SRCNAN VSTART VSTOP VINCR <>
例如： .DC VIN 0.25 5.0 0.25 (表示電壓源VIN 的值從0,。25V掃描到5V,每次增量
0,。25V)
（4）.OPTION(可選項語句)
ACCT(打印出計算和運行時間統(tǒng)計)
LIST（打印出輸入數(shù)據(jù)總清單）
NODE（打印出結(jié)點表）
NOMOD(抑制模型參數(shù)的打印輸出)
具體電路的分析類型描述語句可查閱Hspice在線幫助。
4 輸出描述語句
（1） 文本打印語句.PRINT
.PRINT TYPE ov1<ov2…>
TYPE 為指定的輸出分析類型,，如（DC）,；OV1 為輸出變量名。
例如：.PRINT DC V(5)
(2) 文本繪圖語句.PLOT
.PRINT TYPE ov1<ov2…>
5 注釋語句
注釋語句以"*"為首字符,，位置是任意的,，它為非執(zhí)行語句。
6 結(jié)束語句
結(jié)束語句是輸入文件的最后一行,，用.END 描述,，必須設(shè)置。
二 Hspice仿真示例
Hspice 可以執(zhí)行各種模擬電路仿真,，它的精度很高,。通過點擊桌面快捷方式
Hspice2001.4，啟動Hspice界面如下:
Hspice模擬步驟如下：
（1） 由電路圖提取網(wǎng)表或手工編寫網(wǎng)表,，注意網(wǎng)表文件以.sp結(jié)尾,。例如，上圖中電路網(wǎng)表文件
為eyediag.sp,；標(biāo)題為：*Eye Diagrams;輸出報告文件：eyediag.lis,。
(2) 運行模擬，完成后檢查輸出報告文件后綴.lis文件察看模擬結(jié)果,。
(3) 運行查看輸出波形,。
以下我們通過幾個例子了解Hspice的網(wǎng)表文件格式，以及如何進行仿真,。
1 簡單RC網(wǎng)絡(luò)電路
它的網(wǎng)表文件如下,，文件名為quickRC.sp
A SIMPLE AC RUN
.OPTIONS LIST NODE POST
.OP
.AC DEC 10 1K 1MEG
.PRINT AC V(1) V(2) I(R2) I(C1)
V1 1 0 10 AC 1
R1 1 2 1K
R2 2 0 1K
C1 2 0 .001U
.END
注釋：第一行A SIMPLE AC RUN 為標(biāo)題行；
第二行.OPTIONS LIST NODE POST 為可選項設(shè)置,，LIST 打印出元件總結(jié)列表,；
NODE打印出元件節(jié)點表（element node table）；POST 表示用何種格式儲存模擬后
的數(shù)據(jù)，以便與其它工具接口,。
第三行.OP 計算直流工作點,。
第四行.AC DEC 10 1K 1MEG (指從1 到10KHZ范圍，每個數(shù)量級取10點,，交流
小信號分析)
第五行.PRINT AC V(1) V(2) I(R2) I(C1) 打印交流分析類型的節(jié)點1,，2 的
電壓，以及R2,C1 的電流
第六行V1 1 0 10 AC 1 表示節(jié)點1 與0 間,，加直流電壓10v 和幅值為
1v 的交流電壓,。
第七至九行為電路描述語句。
第十行為結(jié)束語句,。
我們首先通過點擊打開編輯好的quickRC.sp文件,，此時顯示界面如下：
點擊仿真，仿真完成后界面如下：
點擊查看Hspice輸出結(jié)果文件quickRC.lis,，可以看到仿真后各種數(shù)據(jù)信息,。
要查看輸出的波形，點擊,，可以看到界面如下：
點擊AC: A SIMPLE AC RUN,，就可看到各種信號，如下所示：
雙擊要查看的信號波形,，即可將該信號加入到波形框中,，顯示如下：
2 倒相器電路
它的網(wǎng)表文件如下，文件名為inv.sp
Inverter Circuit
.OPTIONS LIST NODE POST
.TRAN 200P 20N
.PRINT TRAN V(IN) V(OUT)
M1 OUT IN VCC VCC PCH L=1U W=20U
M2 OUT IN 0 0 NCH L=1U W=20U
VCC VCC 0 5
VIN IN 0 0 PULSE .2 4.8 2N 1N 1N 5N 20N
CLOAD OUT 0 .75P
.MODEL PCH PMOS LEVEL=1
.MODEL NCH NMOS LEVEL=1
.END
注釋：第三行.TRAN 200P 20N 表示瞬態(tài)分析步長為200ps,，時間為20ns
第四行.PRINT TRAN V(IN) V(OUT)表示打印節(jié)點in,，out 電壓瞬態(tài)分析值
第五，六,，九行為電路連接關(guān)系描述語句,。
第七行VCC VCC 0 5表示在節(jié)點VCC，0之間加5v直流電壓,。
第八行VIN IN 0 0 PULSE .2 4.8 2N 1N 1N 5N 20N表示在節(jié)點IN,，0之間
加一個脈沖源，低電平0.2v,高電平4.8v,，延時2ns,，上升沿1ns，下降沿1ns,，脈
沖寬度5ns,，周期20ns
第九，十行為模型語句,，表示模型名PCH,，管子類型為PMOS,，使用的是一級模型。
對倒相器電路仿真的步驟類似于前面,，這里僅列出輸出波形供參考：
3 D 觸發(fā)器電路
前面我們用Workview工具創(chuàng)建了一個D 觸發(fā)器,，并提取了它的電路網(wǎng)表,，在這里我們
為該網(wǎng)表文件加入激勵源和分析語句,，并使用Hspice 進行模擬仿真。修改后的網(wǎng)表文件如
下,，文件名為dff.sp：
* Project DFF
* Powerview Wirelist Created with Version 6.2
* Inifile :
* Options : -h -d -n -m -x -c60 -le:\work\zzz.sp
* Levels :
.OPTIONS LIST NODE POST
.include "e:\model\35model.txt"
* Definition for project INVERTER
.SUBCKT INVERTER IN OUT
M2 OUT IN 0 0 NSS L=0.35U W=1.2U
M1 VDD IN OUT VDD PSS L=0.35U W=2.4U
* CROSS-REFERENCE 1
* GND = 0
.ENDS
* Definition for project TRANSFER
.SUBCKT TRANSFER IN OUT CLKF CLK
M1 OUT CLKF IN VDD PSS L=0.35U W=1.2U
M2 IN CLK OUT 0 NSS L=0.35U W=1.2U
* CROSS-REFERENCE 1
* GND = 0
.ENDS
X1I1 N1N19 N1N21 INVERTER
X1I2 N1N21 N1N16 CLK N1N10 TRANSFER
X1I3 N1N16 N1N19 INVERTER
X1I4 CLK N1N10 INVERTER
X1I5 Q N1N29 INVERTER
X1I6 QF Q INVERTER
X1I7 N1N29 QF N1N10 CLK TRANSFER
X1I8 D N1N16 N1N10 CLK TRANSFER
X1I9 N1N19 QF CLK N1N10 TRANSFER
* DICTIONARY 1
* GND = 0
.GLOBAL VDD
vin D 0 PULSE .2 2.8v 2N 1N 1N 20N 50N
vdd VDD 0 3v
Vclk clk 0 0 PULSE .2 2.8v 2N 1N 1N 5N 20N
.tran 1ns 200n
.END
注釋：以上黑體字為對Workview生成網(wǎng)表的修改,。
（1）.OPTIONS LIST NODE POST 為可選項設(shè)置
（2）.include "e:\model\35model.txt"表示加入0。35um工藝庫文件,，注意一定要指定工藝
庫文件,，否則Hspice無法仿真。另外,，庫路徑一定要指定正確,，否則會找不到庫文件。
（3）vin D 0 PULSE .2 2.8v 2N 1N 1N 20N 50N
vdd VDD 0 3v
Vclk clk 0 0 PULSE .2 2.8v 2N 1N 1N 5N 20N
上述為加入的輸入激勵和電壓源語句,。
（4）.tran 1ns 200n
指定瞬態(tài)分析200ns,，分析步長1ns
將修改好的dff.sp文件存盤，注意后綴以.sp結(jié)尾,。然后打開該文件,，運行Hspice仿真，
則輸出波形如下圖所示：
交流掃描：
-
關(guān)于元器件符號庫：
A．一種是商品化的元器件符號庫,，庫中的絕大部分符號是不同的半導(dǎo)體器件和集成電路器件,。
其中一種是以元器件的類型為庫文件名。一類是包含公司的名稱,。
B．常用的非商品化元件符號庫
（1）ANALOG庫：模擬電路中的各種無源元件,。
（2）BREAKOUT庫：在PSPICE進行統(tǒng)計模擬分析的時候，要求電路中的某些元件參數(shù)按照一定的規(guī)律變化,。
（3）SOURCE庫：主要包括各種電壓源和電流源符號
（4）SOURCSTM庫：里面主要包括可以進行配置的電源符號,。
(5）SPECIAL庫：在進行電路的特性分析法以及在電路分析中進行某些特殊處理時將采用這些符號。
-
電路圖的設(shè)計：
這個部分和普通的設(shè)計沒有太大的區(qū)別,，不過要注意選取的庫的位置：
D:\ProgramFiles\Cadence\allegro\tools\pspice\library
A ,、生成對應(yīng)的模型庫：
使用SPICE對常用的模擬集成器件仿真，模型庫需要兩種文件：.lib .olb,。前者可通過SPICE軟件原有
的模型庫或直接從網(wǎng)上下載,，后者可利用model edtitor加載.lib生成.olb。一個是描述網(wǎng)表的文件,，
一個是原理圖輸入時需要的原理圖封裝,。
（1）常用的模型主要有對應(yīng)的.CIR 或者是 .lib .fam 常用的類型,，主要的要求是只要對應(yīng)的文件包含網(wǎng)表信息就可以了；
（2）將找到的模型直接進行打開,，然后另存為.lib的類型,。
（3）將.lib文件轉(zhuǎn)換為
(3.1)
(3.2)
(3.3)
(3.4)
(3.5)
選擇上面確認按鈕后就生成對應(yīng)的.OLB文件，【應(yīng)特別的注意上述生成的XX.lib和XX.olb文件對應(yīng)的文件名應(yīng)該相同】
生成.olb后,，要在原理圖庫進行相應(yīng)的添加,，即可調(diào)用，繪制原理圖,。原理圖封裝的引腳標(biāo)號的代表意義,，可參看.lib文件。
B. 輸入激勵信號波形的設(shè)置：
Pspice中進行DC,AC和TRAN分析時,，分別采用不同類型的輸入波形,，而對應(yīng)的波形是通過交互式變焦方式
確定的信號源的符號均存放在SOURCSTM符號庫中。
（2）激勵信號波形編輯模塊STMED
2.1 在對應(yīng)的庫文件中選中對應(yīng)的元件,，放置后點擊右鍵,，
2.2
在設(shè)置了對應(yīng)的信號源的名稱后，點擊確認后可以進入信號編輯
設(shè)置好了信號的波形后,，然后可以通過先選中對應(yīng)的波形,，也就是在下方點擊對應(yīng)名稱的信號后，選中：
可以進行波形的一個調(diào)整,，當(dāng)然也可以在選定信號的前提下,，進行其他的操作。
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電路圖仿真：
電路圖的仿真主要需要完成下面的三個圖標(biāo)的一個配置就可以了,。
在一個圖中的設(shè)置：
第一個是添加設(shè)置的名稱,，inherit From中進行添加的實際上是以前的項目工程中已經(jīng)設(shè)置的一些規(guī)則，
所以在進行設(shè)計的時候,，下面的選擇NONE就可以了,。
第二步就是設(shè)置對應(yīng) edit simulation Profile中進行設(shè)計的一個設(shè)置，這個里面涉及到2個方面的設(shè)置,。
一個是對庫的設(shè)置,，一個是對仿真的工作的一個設(shè)置。在對庫的設(shè)置中,，
在進行設(shè)計的時候要注意到兩個問題,，一個是下面library對應(yīng)的路徑，因為涉及到我們在工程中選擇
的一些分離元件的使用問題,，所以這個地方的地址一定要包含：
D:\ProgramFiles\Cadence\allegro\tools\pspice\library
中黑色的部分,。
第二個對應(yīng)的部分就是對應(yīng)configured中的設(shè)置，這個里面主要是進行所用到的一個元件的設(shè)計,。
另外的一個部分就是對應(yīng)的電路模擬分析類型和參數(shù)的設(shè)置,，主要包括基本的分析類型,，基本類
型中的電路特性分析，設(shè)置分析參數(shù),。
直流工作點分析：
對于直流工作點的分析,，只有在有非線性電路里面才會有效。直流分析是非線性電路的分析基礎(chǔ),，
在進行其它類型的分析中,，直流仿真會首先執(zhí)行，只是在這種情況下,，輸出文件不會有那么詳細,。
靈敏度分析：
靈敏度分析實質(zhì)上是分析指定節(jié)點電壓對電路中電阻,，獨立電壓源,，獨立電流源，電壓控制開關(guān),，
電流控制開關(guān),，二極管，三極管等元件參數(shù)的靈敏度,。在仿真的時候只需要OUTPUT中添加對應(yīng)的輸出點,。
直流傳輸特性分析：
直流分析時是在電路工作點處對電路元件進行線性化處理，然后計算出線性化電路的小信號增益,，輸入電阻,，輸出電阻等參數(shù)。
注意對應(yīng)于節(jié)點信號的填寫標(biāo)準(zhǔn)： V（節(jié)點名稱）,，
直流掃描分析：
直流特性掃描分析的作用是,，當(dāng)電路中某一個參數(shù)在一定的范圍內(nèi)變化時，對自變量的每一次取值,，
計算電路的直流偏執(zhí)特性,，在分析過程中將電容開路，電感短路各個信號源取其直流電平值,，在進行
直流特性掃描時,，還可以指定一個參變量并確定其變化范圍。
因變量由對應(yīng)的表筆MARKER標(biāo)記來決定,。
交流小信號頻率特性分析：
計算電路的交流小信號頻率響應(yīng)特性,，在進行交流分析時候并不需要指定交流信號源名，分析時電路圖
中所有屬性為AC的交流信號源的頻率均同時按照,，設(shè)定的規(guī)律變化并計算這些交流信號源共同作用下,，
電路交流響應(yīng)特性的變化。在交流小信號分析中,，輸出變量有MARKER標(biāo)記來進行選擇,。
噪聲分析：
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選定一個節(jié)點作為輸出節(jié)點,，將每個電阻和半導(dǎo)體器件噪聲源在該節(jié)點處產(chǎn)生的噪聲電壓均方根值疊加。
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選定一個獨立電壓源或獨立電流源,，將（1）中的噪聲等效到選定的節(jié)點,。
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間隔表示對應(yīng)的每隔5個節(jié)點輸出電路每一個噪聲源在輸出節(jié)點處產(chǎn)生的噪聲分量大小。
溫度分析：
如果要分析其它溫度下電路特性的變化只需要在電路中選擇temperature（sweep）.
參數(shù)掃描：
DC分析是一種關(guān)于電路直流偏執(zhí)狀況的基本電路特性分析,，而參數(shù)掃描分析時使電路中的
某一個參數(shù)發(fā)生變化,，然后對每一個變化值重復(fù)進行分析，因而不能將一個參數(shù)指定為參數(shù)掃
描分析中的變化參數(shù),，同時又指定為DC分析中的自變量或參變量,。
- 需要將待掃描的量用標(biāo)號來表示，同時要注意,，將元件固定值改為某一個變量的要求為{marker},，
- 同時要注意{}必須要進行保留。
(2) 在special 中選中PARAMETER,，雙擊該標(biāo)記在其屬性中添加一個新的屬性,，該屬性的名稱就是（1）
中的變量marker. 并設(shè)定該marker的初始值。
蒙特卡洛分析：
蒙特卡洛分析主要
瞬態(tài)分析：
瞬態(tài)分析的目的就是在給定輸入激勵信號的作用下,，計算電路輸出端的瞬態(tài)響應(yīng),。在進行瞬態(tài)分析時，
首先計算t=0時電路的初始狀態(tài),，然后從t=0到某一給定時間范圍內(nèi)選取的一定時間步長,，計算輸出端
在不同時刻的輸出電平。
終止時間：run to time
起始輸出時間設(shè)置：start saving data
分析時間步長設(shè)置： maximum step size
初始狀態(tài)設(shè)置：skipbp則瞬態(tài)分析時將跳過初始偏置點的計算,。
控制輸出文件內(nèi)容的參數(shù)設(shè)置：
2 Scale Suffix
Scale值 Capture的表述 備注
10 15 f/F或E-15
10 12 p/P或E-12
10 9 n/N或E-9
10 6 u/U或E-6 由于沒有μ,，故使用u或U
10 3 m/M或E-3 注意∶M不表示百萬
10+3 k/K或E3
10+6 MEG或E6 由于m已被10-3使用，故使用MEG
10+9 g/G或E9
10+12 t/T或E12
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