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　　在大規(guī)模應(yīng)用和工業(yè)生產(chǎn)中,晶硅太陽(yáng)能電池占主導(dǎo)地位,，其在制造過程中通常采用制絨,、擴(kuò)散、刻蝕,、PECVD,、印刷、燒結(jié)幾道工序,，由于一些機(jī)械應(yīng)力,、熱應(yīng)力及人為等不穩(wěn)定因素的存在，會(huì)不可避免的造成硅片的一些隱性缺陷如污染,、裂紋,、擴(kuò)散不均勻等，這類缺陷的存在大大降低了電池片的光電轉(zhuǎn)換效率,，導(dǎo)致公司增加經(jīng)濟(jì)損失,。利用多種測(cè)試設(shè)備如EL、PL,、corescan等檢測(cè)硅片,、半成品電池及成品電池存在的各種隱形缺陷，改善工藝參數(shù),，降低產(chǎn)品的不合格率,，為公司提高成品率，大大的降低成本,。

　　2.1光致發(fā)光（PL）
　　PL是檢測(cè)原材料的有效方法，如Fig.2-1所示,，以大于半導(dǎo)體硅片禁帶寬度的光作為激發(fā)手段,，激發(fā)硅中的載流子，當(dāng)撤去光源后,，處于激發(fā)態(tài)的電子屬于亞穩(wěn)態(tài),，在短時(shí)間內(nèi)會(huì)回到基態(tài)，這一過程中會(huì)釋放波長(zhǎng)為1100nm的光子,，光子被靈敏的CCD相機(jī)捕獲,，得到硅片的輻射復(fù)合圖像[1]。

　　Fig.2-1光致發(fā)光

　　2.2電致發(fā)光（EL）
　　EL與PL工作原理相似,，但不同之處在于激發(fā)非平衡載流子的方式不同,，即在電池的正向偏壓下，注入非平衡載流子（Fig.2-2）,。

　　Fig.2-2電致發(fā)光

　　2.3微波光電導(dǎo)衰減法（u-PCD）
　　u-PCD主要包括904nm的激光注入產(chǎn)生電子-空穴對(duì)（Fig.2-3a），導(dǎo)致樣品的電導(dǎo)率增加,，當(dāng)撤去外界光注入時(shí)（Fig.2-3b）,，電導(dǎo)率隨時(shí)間指數(shù)衰減,，這一趨勢(shì)間接反應(yīng)少數(shù)載流子的衰減趨勢(shì)，從而通過微波探測(cè)電導(dǎo)率隨時(shí)間變化的趨勢(shì)得到載流子的壽命,。

　　Fig.2-3a激光激發(fā)

　　Fig.2-3b微波探測(cè)

　　2.4方塊電阻掃描（SHR）
　　SHR測(cè)試探頭在中心有一個(gè)激光源（Fig.2-4）,，緊跟著有兩個(gè)同心圓環(huán)形電容電極，激光的頻率可以調(diào)整,。激光注入產(chǎn)生電子空穴,，內(nèi)建電場(chǎng)將電子空穴分離，將產(chǎn)生表面勢(shì),，表面勢(shì)反映了SHR信號(hào)并且向橫向擴(kuò)散,，內(nèi)外探頭獲取表面勢(shì)。硅片的方阻通過在兩個(gè)電容電極測(cè)量電勢(shì)的比率計(jì)算,。

　　Fig.2-4SHR

　　2.5串聯(lián)電阻掃描（Corescan）
　　Corescan的掃描頭包含一個(gè)光源和金屬探針（Fig.2-5）,，掃描過程中，將電池片短路連接,掃描頭以固定的掃描間距,、速度移動(dòng),，光源照射在電池片上產(chǎn)生光生電流，同時(shí)金屬探針在電池片表面劃動(dòng),，測(cè)量光照位置的電壓值,，電壓值即表征了電池片正面的串聯(lián)電阻的大小。

　　Fig.2-5Corescan

　　3.1原材料缺陷
　　原材料的優(yōu)劣影響電池片的光電轉(zhuǎn)換效率,，有效的檢測(cè)原材料的優(yōu)劣，降低原材料的不合格率,，能夠直接減少經(jīng)濟(jì)損失,。Fig.3-1所示為“黑芯片”的PL圖片，在光照條件下,，黑色區(qū)域存在大量的缺陷,，它們起到復(fù)合中心作用，使得載流子在此處復(fù)合時(shí)發(fā)出較弱的光,，而溫場(chǎng)不均勻造成的位錯(cuò)或雜質(zhì)氧沉淀導(dǎo)致黑芯片的產(chǎn)生,，其電池片的電性能一般顯示為Irev、Rs略高,、Rsh較正常,，Voc稍低，只是Isc明顯偏小,。

　　Fig.3-1黑芯片

　　Fig.3-2a為“四角黑”電池片的EL圖片,，腐蝕掉正背面電極、氮化硅、PN結(jié)后測(cè)試其少子壽命,，如Fig.3-2c所示,，從圖中可看出，電池片黑角區(qū)域的壽命相對(duì)正常區(qū)域嚴(yán)重偏低,，說明此處存在大量的缺陷,，可能原因是硅棒在拉制過程中，外層有污染或有晶體缺陷產(chǎn)生,，而導(dǎo)致硅材料的性能下降,。一般電池片的電性能顯示為Voc稍低，Isc明顯偏小,，其余性能參數(shù)較正常,。

　　Fig.3-2四角黑

　　從附表1的IV數(shù)據(jù)可以看出,，整體暗電池片的Voc比正常片低了12mv,，通過Fig.3-3的EL圖像（同一亮度）可以明顯看出兩片電池片的差異,。腐蝕兩片電池片的氮化硅薄膜,、正背面電極、電場(chǎng)及PN結(jié)后測(cè)得整體暗的電池片平均壽命為8.76us,，而正常片的平均壽命為11.45us（Fig.3-3c,、d）,，原材料中含有過多的雜質(zhì)導(dǎo)致復(fù)合增加是造成Voc偏低的主要原因,。
　　
　　
　　Fig.3-3整體暗

　　3.2工藝誘生缺陷--滑移位錯(cuò)
　　當(dāng)溫度在大約900℃以上時(shí),，硅晶體的屈服極限降低，晶體中位錯(cuò)有可能發(fā)生運(yùn)動(dòng)而引起塑性形變,。擴(kuò)散、熱氧化等過程都是在900-1200℃范圍內(nèi)進(jìn)行，硅片在加熱或冷卻過程中,，由于各處受熱或冷卻不均勻而產(chǎn)生溫度梯度,，熱膨脹情況各處不同,，繼而產(chǎn)生熱應(yīng)力,。當(dāng)晶體中的熱應(yīng)力超過其彈性極限時(shí),，產(chǎn)生位錯(cuò)，位錯(cuò)通過位錯(cuò)源發(fā)生增殖,，最終產(chǎn)生滑移線,。位錯(cuò)源包括：a、晶體表面的機(jī)械損傷和微裂紋,；b、雜質(zhì)或O-Si的原子集團(tuán),，旋渦帶,；c、摻雜劑的局部聚集等,。一般而言,，熱應(yīng)力在硅片的邊緣比較大,，因此邊緣的滑移位錯(cuò)比較明顯,，然后向中心蔓延,，嚴(yán)重時(shí)可以出現(xiàn)星形結(jié)構(gòu)[2]如Fig.3-4a,Fig.3-4b為出現(xiàn)星形結(jié)構(gòu)硅片的u-PCD掃描結(jié)果,，F(xiàn)ig.3-4c、d為生產(chǎn)過程中出現(xiàn)滑移線的電池片EL圖像,。降低溫度梯度減少熱應(yīng)力的產(chǎn)生是降低滑移位錯(cuò)產(chǎn)生的有效方法之一,。

　　Fig.3-4滑移位錯(cuò)

　　3.3工藝異常
　　3.3.1擴(kuò)散異常
　　擴(kuò)散制結(jié)為電池片制造過程中的核心步驟,，P-N結(jié)的質(zhì)量直接影響電池片的轉(zhuǎn)換效率,，結(jié)淺，電池片短波響應(yīng)好,，但會(huì)引起Rs增加,；結(jié)過深，死層較明顯,，如果擴(kuò)散濃度太大,，則引起重?fù)诫s效應(yīng)，使電池開路電壓和短路電流均下降，因此太陽(yáng)電池的結(jié)深一般控制在0.3～0.5mm，方塊電阻在50W/□左右。附表2為失效電池片的IV數(shù)據(jù)，由Fig.3-5b圖可知電池片左下角黑色區(qū)域的電壓高達(dá)440mV，腐蝕掉正面電極及氮化硅薄膜后掃描方阻（Fig.3-5c）后明顯看出黑色區(qū)域的方阻比其他區(qū)域偏高,，導(dǎo)致此區(qū)域與現(xiàn)有燒結(jié)工藝不匹配而沒有形成良好的歐姆接觸產(chǎn)生較大的Rs值。

　　Fig.3-5擴(kuò)散異常

　　3.3.2鍍膜異常
　　鋁背場(chǎng)（BSF）能夠降低電池片背面的少子復(fù)合,，提高少子擴(kuò)散長(zhǎng)度,；反射長(zhǎng)波段光子，提高長(zhǎng)波段的光譜響應(yīng),，最終提升電池片的光電轉(zhuǎn)換效率,。由附表3可知此電池片有很低的Voc和Isc，從Fig.3-6a,、b可知鋁背場(chǎng)出現(xiàn)異常,，腐蝕掉鋁層后發(fā)現(xiàn)（Fig.3-6c）電池片的背面的90%以上的區(qū)域含有氮化硅薄膜，由于電池片采用管式PECVD鍍膜方式,，在舟中兩片電池片背靠背放置,，由此可知電池片在鍍膜過程中，其中一片脫落或破碎,，導(dǎo)致此片電池背面被鍍膜,，背面由于氮化硅的存在，使得經(jīng)過絲網(wǎng)印刷后電池片在燒結(jié)過程中無法形成鋁背場(chǎng),，且鋁電極也無法與硅形成良好的歐姆接觸,，最終形成此類低效電池片。

　　3.3.3燒結(jié)異常
　　附表4是電池片的IV數(shù)據(jù),，可以看出其Rs非常高,，F(xiàn)ig.3-7為電池片的各種測(cè)試結(jié)果,，通過掃描corescan（Fig.3-7b）得知缺陷處的電壓高達(dá)150mV，腐蝕后測(cè)試其方塊電阻
　?。‵ig.3-7c）發(fā)現(xiàn)缺陷區(qū)域與正常區(qū)域的方阻值沒有明顯的差異,，此電池片的漏電流大約為1.23A，漏電的主要位置從Fig.3-7d可以看出,，其原因是電池片此區(qū)域存在異物如Fig.3-7f所示,，異物高度大約為3um，因此過高的燒結(jié)溫度及表面異物污染導(dǎo)致較大的反向漏電流造成低效片的產(chǎn)生,。

　　Fig.3-7燒結(jié)異常

　　EL和PL的區(qū)別上文中已經(jīng)提出,，即EL通過電池的電極注入載流子而PL不通過電極注入載流子，因此如果電池片存在嚴(yán)重的燒結(jié)異常（Fig.3-8b）時(shí),，通過EL無法檢測(cè)出其他異常,，但結(jié)合PL則可以檢測(cè)出除燒結(jié)異常外的其他缺陷（原材料缺陷Fig.3-8a、指紋印,、隱裂等）,，因此在檢測(cè)電池片的過程中，EL結(jié)合PL能夠起到事半功倍的效果,。

　　Fig.3-8PL結(jié)合EL

　　3.3.4印刷異常
　　良好的印刷質(zhì)量,能夠減少金屬電極與硅片間的接觸電阻,，影響電池的填充因子、短路電流和光電轉(zhuǎn)換效率,，斷柵,、印刷不均勻都會(huì)導(dǎo)致線性電阻增大，降低轉(zhuǎn)換效率[3],。
　　Fig.3-9a為存在大量斷柵的電池片的EL圖片,，IV數(shù)據(jù)如附表5，可以看出斷柵處顯示為黑色,，說明此處沒有電流通過導(dǎo)致響應(yīng)變差,，F(xiàn)ig.3-9b是斷柵區(qū)域某根柵線的局部放大圖片。

　　Fig.3-9斷柵

　　本文討論了原材料及電池片生產(chǎn)過程中的常見缺陷及異?，F(xiàn)象，并利用各種測(cè)試設(shè)備的檢測(cè)結(jié)果簡(jiǎn)單分析了缺陷及異?，F(xiàn)象的成因,，針對(duì)分析結(jié)果改善工藝條件，以減少產(chǎn)品的不合格率,，為公司降低成本減少損失,。

　　參考文獻(xiàn)：
　　[1]嚴(yán)婷婷，張光春,，李果華等2010光致發(fā)光在Si基太陽(yáng)能電池缺陷檢測(cè)中的應(yīng)用半導(dǎo)體技術(shù)第35卷454-457
　　[2]孫以材1984半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)第一版（北京：冶金工業(yè)出版社）85-89
　　[3]孫志清,，高昌祿2011影響晶體硅太陽(yáng)電池柵線印刷的兩個(gè)因素太陽(yáng)能38-39