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存儲器映射 ： 0-1G(0x0000,0000 - 0x3fff,ffff): 片內(nèi)Flash. 1-2G(0x4000,0000 - 0x7fff,ffff): 片內(nèi)RAM. 2-3.5G(0x8000,0000 - 0xbfff,ffff - 0xdfff,ffff): 片外存儲器,。 3.5G - 3.75G(0xe000,0000 - 0xefff,ffff): VPB外設(shè),。 3.75G - 4G(0xf000,0000 - 0xffff,ffff): AHB外設(shè)。 雖然ARM7的尋址空間為4G,但是LPC2200系列只提供A0~A23總共16M的地址,。片選信號CS0 - CS3是A24和A25的譯碼輸出,，將片外存儲區(qū)0x8000,0000 - 0x83ff,ffff劃分為bank0 - bank3,共16M*4=64M. 這4個bank可以被 分別配置為8/16/32位總線寬度。復(fù)位時,bank0的總 線寬度由Boot1:0引腳決定, bank1為32位,，bank2為16位,，bank3為8位。 字節(jié)定位信號(BLS0 - BLS3)協(xié)調(diào)總線寬度和外存芯片數(shù)據(jù)線寬度,。 當(dāng)Memory由“字節(jié)寬度器件”（如62256）或 者“未按照字節(jié)區(qū)分的多字節(jié)器件”組成時,，應(yīng)將RBLE設(shè)置為"0"。此時,，讀 訪問時EMC將BLS0~BLS3拉高,。 當(dāng)Memory由“含有字節(jié)選擇輸入的16位或32位器件”組成時，應(yīng)將RBLE設(shè)置為"1",。此時,， 讀訪問時EMC將BLS0~BLS3拉低。 所以,，當(dāng)Memory由62256組成時,，由于不需要“片內(nèi)字節(jié)選擇輸入”，故令RBLE = '0',，則BLS0~BLS3只會與nWR同步,，可以代替nWR使用。 但是,，當(dāng)Memory由IS61LV25616AL組成時,，由于該芯片有"nLB"和"nUB"控制低/高8位的輸入，故令RBLE = '1',，則BLS0~BLS3與nRD和nWR都會同 步,，此時，不可以使用BLS0~BLS3代替nWR信號,。 地址數(shù)據(jù)總線：D0 - D31, A0 - A23, OE, WE, CS0 - CS3, BLS0 - BLS3 啟動后由P2.7/P2.6控制引導(dǎo)方式,，然后由程序設(shè)置MEMMAP決定 中斷向量的映射。 BCFG0 - BCFG3控制讀寫延時和總線寬度,。注意復(fù)位后的默認(rèn)值,。 PINSEL2控制引腳功能。 Boot Block LPC2114/2214的BootBlock被固化在最高的Flash塊 中,，運(yùn)行時被映射到0x7FFF,E000 - 0x7FFFF,FFFF的區(qū)域,。而LPC2210沒有片內(nèi)Flash,但 它有8K片內(nèi)ROM存儲了BootBlock,也被映射到0x7FFF,E000處。 |
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