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三星電子再度將NAND閃存芯片存儲(chǔ)容量提升一倍
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三星電子(Samsung Electronics Co.)宣布找到了一個(gè)搭建NAND閃存芯片基礎(chǔ)架構(gòu)的新途徑,，并已把此類(lèi)芯片的理論存儲(chǔ)容量提升了一倍至32G，從而延續(xù)了自1999年以來(lái)每年都將此類(lèi)芯片的存儲(chǔ)容量擴(kuò)大一倍的趨勢(shì),。由新型芯片組合而成的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)卡最大容量可達(dá)64G,，而目前流行的存儲(chǔ)卡容量大多為1G、2G或4G,。
在宣布這條消息的同時(shí),，三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的總裁Hwang Chang-gyu還預(yù)計(jì)芯片部門(mén)第三季度的收入將創(chuàng)歷史新高。
這標(biāo)志著芯片部門(mén)的收入將比今年上半年有大幅回升,。今年上半年,，芯片部門(mén)的收入僅比上年同期增長(zhǎng)了1%。三星電子芯片部門(mén)目前的最高收入為5.09萬(wàn)億韓圓（約合52.4億美元）是在去年第四季度創(chuàng)造的,。要想在第三季度追平這個(gè)紀(jì)錄,，芯片銷(xiāo)售額必須要比去年第三季度的4.59萬(wàn)億韓圓增長(zhǎng)11%以上。
Hwang表示,，近幾周來(lái)DRAM芯片市場(chǎng)格外紅火,。他說(shuō),，三星電子目前只能滿(mǎn)足70%的DRAM芯片定單，供不應(yīng)求的局面可能持續(xù)到下半年乃至2007年,。
在競(jìng)相提升NAND閃存芯片存儲(chǔ)容量的角逐中,，日本企業(yè)東芝(Toshiba Corp.)是三星電子的頭號(hào)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于數(shù)碼存儲(chǔ)卡,、數(shù)碼相機(jī),、數(shù)碼音樂(lè)播放器和其他設(shè)備中。
三星電子通常在9月份公布最新取得的科技成果,，同時(shí)往往也取得相對(duì)于東芝的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),。但最近三星電子在把科技成果應(yīng)用于產(chǎn)品方面要落后于東芝。
例如,，東芝今年推出8G閃存芯片的時(shí)間比三星電子早了6個(gè)月,。三星電子早在2004年9月就宣布具備了生產(chǎn)這種芯片的能力，但直到2個(gè)月前三星電子所產(chǎn)的8G閃存芯片才開(kāi)始投放市場(chǎng),。三星電子的管理人士將產(chǎn)品上市的延誤歸咎于一個(gè)新的生產(chǎn)工序出了問(wèn)題,。三星電子表示，在16G閃存芯片的生產(chǎn)中已不存在這些問(wèn)題,，16G閃存芯片將于明年年初面市,。
閃存芯片容量擴(kuò)充至32G標(biāo)志著三星電子首次脫離了上世紀(jì)70年代初期英特爾(Intel Corp.)為記憶芯片設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)框架。
為了達(dá)到增加存儲(chǔ)量的目標(biāo),，芯片設(shè)計(jì)師在芯片上增添了越來(lái)越多的電路,，并縮短了電路之間的間距。緊湊的設(shè)計(jì)有時(shí)導(dǎo)致電子發(fā)生移位現(xiàn)象,，從而造成電路中斷并引發(fā)故障。
三星電子現(xiàn)在是用絕緣材料來(lái)控制電子移位現(xiàn)象的發(fā)生,。該公司表示,，這種設(shè)計(jì)還可以降低生產(chǎn)成本。Hwang稱(chēng),，三星電子準(zhǔn)備在2008年年初開(kāi)始量產(chǎn)32G閃存芯片,。
另外，三星電子還宣布開(kāi)發(fā)出了一種NOR閃存芯片的替代品,，NOR芯片目前普遍應(yīng)用在手機(jī)上面,。這種新開(kāi)發(fā)的替代芯片與個(gè)人電腦中使用的DRAM芯片有些相似，但與DRAM芯片不同的是,，它無(wú)需供電也能存儲(chǔ)數(shù)據(jù),，這一點(diǎn)又與閃存芯片相同。
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