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1 什么是顯微分析技術(shù),？ 顯微分析可識別物體內(nèi)部或表面存在的化學(xué)元素,，以及元素原子之間的排列方式。同時,，可以對元素進(jìn)行定性和定量分析鑒定,，還可以測量元素的不同同位素或其比例。顯微分析還可以研究物體中原子之間的空間關(guān)系,，即物體的結(jié)構(gòu),，尤其是晶體結(jié)構(gòu)。有些顯微分析技術(shù)可以提供晶體缺陷,、化學(xué)鍵或氧化還原狀態(tài)的信息,。 在顯微分析中，分析束斑（可以是光子,、電子或粒子）的大小從約100um到100 nm不等,，盡管許多技術(shù)能夠生成毫米或厘米寬的更大區(qū)域分布圖。此外,，分析的深度也很重要,，有些技術(shù)只能分析樣品頂部的幾個納米（表面技術(shù)），而其他技術(shù)則能深入到幾個微米,。在較小尺度（<100 nm）分子或原子分辨率分析是屬于納米技術(shù)的一部分,。 大多數(shù)顯微分析技術(shù)都是將微束聚焦在要分析的物體上，然后測量輸入束與構(gòu)成樣品的原子和分子相互作用產(chǎn)生的輸出束,。輸入束可包括光（包括激光束）,、X 射線和其他電磁波、電子,、質(zhì)子或離子,。測量的輸出也包括光、X射線,、電子和離子,。顯微分析中兩個最重要的考慮因素是空間分辨率（或待分析物體或粒子的大小）和檢測極限。 掃描電子顯微鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEMS）可配備一系列探測器,，提供有關(guān)化學(xué)成分和結(jié)構(gòu)的信息,。使用哪種技術(shù)最好，取決于所需的空間分辨率和深度分辨率,、是否需要定性或定量化學(xué)分析或結(jié)構(gòu)分析,，以及最低檢測限。 電子探針X射線顯微分析（EPMA）是利用波譜儀WDS和能譜儀EDS來測量電子束產(chǎn)生特征X射線的分析方法,，目前已廣泛用于地質(zhì),、材料等領(lǐng)域的分析表征。
圖1 顯微分析技術(shù)匯總 1 EPMA：WDS/EDS基礎(chǔ)知識 EPMA使用單電子束轟擊試樣,，從試樣中產(chǎn)生特征X射線,；由于物質(zhì)的量子性質(zhì)，每個原子中都存在離散的電子能級,，這些能級在激發(fā)后會在電磁波譜的軟X 射線和硬X射線區(qū)域內(nèi),，發(fā)射特定和離散能值的電磁輻射（光子）。這是原子特性的特征,，也是EPMA分析的基礎(chǔ),。
圖2 特征X射線產(chǎn)生示意圖及原子的軌道示意圖 電子束撞擊靶材時產(chǎn)生特征X射線的具體過程如下：電子與靶材原子反復(fù)相互作用，直到它們靜止或從表面逃逸,。電子與原子發(fā)生的相互作用包括彈性散射,、非彈性碰撞和軔致輻射。 彈性相互作用是指電子的運(yùn)動方向發(fā)生變化,，但目標(biāo)原子的初始和最終電子狀態(tài)（基態(tài)）基本保持不變,。相比之下，非彈性相互作用是指靶原子進(jìn)入激發(fā)態(tài),，這意味著電子的部分動能被原子（電子）吸收,。非彈性碰撞有幾種類型，包括電子在傳導(dǎo)帶或價帶中的激發(fā),、質(zhì)子激發(fā)和內(nèi)殼電離（即在內(nèi)殼中產(chǎn)生空位）,。 內(nèi)殼電離是發(fā)射特征X射線的一種方式；內(nèi)殼電離后,，原子通過電子躍遷將空位遷移到外殼,，能量以特征X射線或Auger電子的形式釋放出來。因此,，內(nèi)殼電離是特征X射線的發(fā)射途徑,。 X射線的命名習(xí)慣使用電離內(nèi)殼命名法，如 K,、L,、M......,，以及產(chǎn)生被置換電子的外殼命名法，如 Kα（如果該外殼為L2或L3）,。這就是Siegbahn命名法或慣例,。如今，人們越來越多地使用國際純粹與應(yīng)用化學(xué)聯(lián)合會（IUPAC）的命名法,，例如,，K-L2,3 而不是Kα。
圖3 參與產(chǎn)生 Kα Kβ 和 Lα X 射線光子的電子躍遷及X射線能量譜圖 當(dāng)行進(jìn)中的電子與目標(biāo)原子的靜電場相互作用時,，就會發(fā)生軔致輻射,。軔致輻射是X射線光譜中連續(xù)背景的來源（達(dá)到Duane-Hunt極限），這也是限制痕量元素探測的主要因素,。 特征X射線和軔致輻射X射線的產(chǎn)生并不隨深度而恒定,，而是遵循一定的分布,，即所謂的 ?(ρz) 函數(shù),。特征X射線和軔致輻射光子在從試樣表面出現(xiàn)之前，主要通過光電吸收與試樣原子發(fā)生相互作用,。光子隨后被原子吸收,，原子電子被拋射出去；原子通過空位遷移到外殼而去激發(fā),，隨后發(fā)射出特征（熒光）X射線或Auger電子,。由于能量為數(shù)Kv的X射線的平均自由路徑比Kv電子的范圍大得多，因此熒光是在距離電子撞擊點(diǎn)很遠(yuǎn)的地方產(chǎn)生的,。 典型的X射線光譜由疊加在連續(xù)背景上的特征X射線組成（圖3）,。由于彈性和非彈性散射的作用，入射電子在樣品內(nèi)部以'之'字形路徑擴(kuò)散（直至靜止或從表面反向散射）,，形成電子樣品-相互作用體積,。電子-樣品相互作用體積的大小是材料成分和加速電壓的函數(shù)。
圖4顯示的是兩種二元化合物（FeSi2和HfSi2）在兩種不同加速電壓（10Kv和 20 Kv）下電子相互作用體積的Monte Carlo模擬結(jié)果,。這些圖顯示了(i)降低加速電壓（E0）后電子相互作用體積的減小，以及(ii)原子序數(shù)/密度較高的材料中電子相互作用體積的減小,。 電子相互作用體積不同于X射線產(chǎn)生體積,，因為只有當(dāng)電子的能量大于其吸收邊緣時才會產(chǎn)生特征X射線,。投射到試樣表面的X射線產(chǎn)生體積的寬度大致確定了所能達(dá)到的X射線空間分辨率（或與另一相的最小距離，在此距離上可對相關(guān)相進(jìn)行精確分析）,。 EPMA的X射線空間分辨率傳統(tǒng)上是通過X射線量程來估算的,。對于X射線量程范圍，已經(jīng)開發(fā)出了幾種分析表達(dá)式,，其中使用最廣泛的是Castaing提出的表達(dá)式（1）1：
其中,，Rx是X射線范圍（以μm為單位），E0是入射電子能量（以keV為單位）,，Ec是電離能（以keV為單位）,，A是原子量（以g/mol為單位），Z是原子序數(shù),，ρ是材料密度（以g/cm3為單位）,。 在20 keV 時，FeSi2（ρ = 5.1 g/cm3）中Si Kα線（Ec = 1.84 keV）的X射線范圍計算值為1.94 μm,，如果入射電子能量降至10 keV,，則計算值降至0.57 μm。在 HfSi2（ρ = 7.6 g/cm3）中,，20 keV時的尺寸（0.93 μm）比在FeSi2 中更小,，而下降到10 keV 時，尺寸的縮小到0.28 μm,。 值得指出的是,，式（1）中既沒有包括電子束尺寸的影響，也沒有包括熒光激發(fā)范圍的影響,。不過,，現(xiàn)在的計算機(jī)可以利用MonteCarlo模擬更準(zhǔn)確地估算EPMA的X射線空間分辨率，Monte Carlo模擬可以同時模擬電子散射和X射線生成,。圖5展示了圖4所示同一種材料的 X 射線生成量,。
如圖5中的等值線所示,，在20 keV時，99%與90%的表面下寬度存在顯著差異,，在較低的10 keV 時,，表面下寬度明顯縮小。每種特征 X 射線的產(chǎn)生量不同,，因此分析空間分辨率也不同,。 2 EPMA：WDS/EDS樣品制備 傳統(tǒng)的EPMA定量方法假定樣品具有與電子束法線垂直的平整光滑表面，且具導(dǎo)電,，標(biāo)準(zhǔn)也是如此,，而且這是矩陣校正中使用的傳統(tǒng)物理模型所要求的,，特別是在確定吸收校正時。因此,，正確的樣品制備是EPMA（WDS）分析的關(guān)鍵,。 3 EPMA：WDS/EDS標(biāo)準(zhǔn)樣品 Castaing除了發(fā)明了第一臺可操作的電子探針外，還開發(fā)了相關(guān)的分析程序,，使用純元素金屬作為標(biāo)準(zhǔn)樣品,，將未知合金中某一元素的 X 射線計數(shù)與純元素金屬的 X 射線計數(shù)進(jìn)行比對。顯然,，在EPMA中使用此類標(biāo)準(zhǔn)樣品作為參考，對于優(yōu)化未知材料測量的準(zhǔn)確性具有重要意義,。 對于微束分析而言,，標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)是指在電子束下足夠均勻（微米尺度）和穩(wěn)定的材料，其化學(xué)成分必須已知,，最好是通過不同的技術(shù)（如濕化學(xué)分析,、XRF 等）。經(jīng)認(rèn)證的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)是一種附有證書的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì),，證書中提供了化學(xué)成分,、相關(guān)的不確定性以及計量溯源性聲明。 一些機(jī)構(gòu)（如National Institute of Standards and Technology,，NIST）可能會提供額外的認(rèn)證級別,，如NIST標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)。編制有證標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)有三個目的：(i) 幫助開發(fā)精確的分析方法,；(ii) 校準(zhǔn)測量系統(tǒng),；(iii) 確保質(zhì)量控制計劃的長期可靠性。 通常情況下,，在材料科學(xué)的許多應(yīng)用中都會用到一定純度的金屬,；也會用到二元和三元化合物（如半導(dǎo)體）,。此外，還使用硼化物,、碳化物,、氮化物和氧化物。在分析硅酸鹽,、碳酸鹽,、磷酸鹽和其他晶體材料時，許多天然和合成晶體都可用作標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì),。各種參比玻璃也可用作標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì),。 顯微分析標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的來源多種多樣，例如,，一些電子顯微鏡設(shè)備供應(yīng)商或政府'標(biāo)準(zhǔn)'機(jī)構(gòu)都出售,。這些標(biāo)樣應(yīng)附有適當(dāng)?shù)奈募f明其成分和來源,。也可以購買單個晶粒,，然后進(jìn)行鑲嵌和適當(dāng)拋光。顯微分析標(biāo)準(zhǔn)的正確使用和維護(hù)有時未得到充分重視,。一些研究人員發(fā)現(xiàn),，標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)與未知物的'基體匹配'，對于EPMA 分析一些結(jié)合了低Z和高Z元素的合金和化合物至關(guān)重要,。 4 EPMA：WDS/EDS 電子光學(xué)柱 這種分析儀器既可以是掃描電子顯微鏡（SEM）,，也可以是電子探針（EPMA），主要由電子光學(xué)柱和一個或多個X射線光譜儀組成,，后者可以是WDS或EDS（圖6）,。
圖 6. 電子探針顯微分析儀（a）和（b）X 射線聚焦羅蘭圈 電子光學(xué)柱由電子槍和電磁透鏡系統(tǒng)組成，電子槍充當(dāng)電子源,。電子槍在歷史上是一種熱離子槍,，通常由W或LaB6制成，加熱后通過熱離子發(fā)射釋放電子,，近年來,，肖特基場發(fā)射源的使用越來越多。通過電源將電子源保持在負(fù)電位,，從而加速發(fā)射電子,。EPMA的典型加速電壓從5 Kv到30 Kv。 電磁透鏡用于將電子束聚焦到樣品上,，最終著陸的電子束直徑在20nm到500nm之間（取決于光源類型,、加速電壓和電子束電流），它們還用于控制束流,，即單位時間內(nèi)進(jìn)入的電子數(shù),，可能的數(shù)值范圍為100pA至10 μA,，通常在1- 500nA之間，取決于應(yīng)用場景,、材料類型和光譜儀,，例如 EDS或WDS。 電子束流可用法拉第杯測量,，并可通過電子束調(diào)節(jié)裝置加以穩(wěn)定,。樣品與地相連，以確保電子的導(dǎo)電性,；如果樣品本身不導(dǎo)電,，則需要涂上一層薄薄的導(dǎo)電涂層（根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，一般選擇碳,，而非金）,。電子光學(xué)柱采用傳統(tǒng)的高真空技術(shù)（如10-7mbar），以防止電子源氧化,、電子槍中的高壓電弧以及電子束被殘留氣體散射,。可以對電子束進(jìn)行掃描并收集電子圖像,，最常用的是背散射電子探測器,。二次電子圖像也有用，有助于澄清一些三維特征（比如表面起伏或孔洞）,。在某些材料中,，吸收電流圖像也可提供有趣的信息。 5 波長色散譜儀 （Wavelength-dispersive spectrometer WDS） 電子探針中的傳統(tǒng)WDS是反射模式的晶體布拉格光譜儀,。每臺光譜儀都由一個彎曲的晶體（單色器）和一個X射線計數(shù)器組成,，其布置方式是，在所有照射到晶體上的X射線中,，只有那些波長λ符合布拉格定律的特定X射線才會被衍射并被比例計數(shù)器檢測到。試樣,、晶體和比例計數(shù)器位于一個稱為羅蘭圓的圓上,，羅蘭圓的直徑在100到210毫米之間。 早期的電子探針配備了與電子束同軸的光學(xué)顯微鏡,，其布置方式是,，當(dāng)試樣表面處于整體光學(xué)顯微鏡/攝像機(jī)的光學(xué)焦點(diǎn)時，它也處于X 射線焦點(diǎn),，即位于羅蘭圓上,。布拉格定律指出
其中，λ 是衍射X射線的波長,，n 是代表衍射階數(shù)的整數(shù)（如1到10或更多）,，d 是單色儀晶體原子面之間的間距,，θ 是X射線到原子面的入射角。 WDS通常使用兩種晶體幾何結(jié)構(gòu)：Johann和Johansson,。在Johann幾何中，晶體的彎曲半徑是羅蘭圓半徑的兩倍,，因此晶體'平面'不是平的,，而是具有圓柱曲率。在這里,，晶體表面與羅蘭圓發(fā)散,，因此并不是嚴(yán)格恒定的。在Johansson幾何中,，晶體除了彎曲之外,，晶體的彎曲半徑與羅蘭圓半徑差不多，在這種布置下,，X 射線的入射角在羅蘭圓平面和晶體表面的交點(diǎn)所定義的直線上是恒定的,。因此，Johansson譜儀可以精確聚焦,，并提供更高的計數(shù)率,。 在記錄X射線光譜或移動到特定峰值或背景位置時，晶體會圍繞自身中心旋轉(zhuǎn),，以保持其中心法線通過羅蘭圓中心,。與此同時，探測器會移動并保持在羅蘭圓上,，同時保持與晶體平面法線的探測角等于入射角,。這樣，當(dāng)布拉格衍射發(fā)生在角度θ的晶體上時，探測器就處于正確的位置,，以記錄角度2θ的衍射強(qiáng)度,。這樣，只需測量樣品與晶體的距離,，就可以通過布拉格定律測量波長,。 除了光譜儀移動距離的機(jī)械限制外，反射波長的范圍還受到晶體原子間距d的限制,，因此需要不同間距的晶體來覆蓋較寬的波長范圍,。常用的晶體有 LiF（氟化鋰）、PET（季戊四醇）和 TAP（鄰苯二甲酸鉈）,。這意味著使用這些晶體可以探測到Z值在9（F）到35（Br）之間的元素的 K線,、Z值小于83（Bi）的元素的L線以及許多M線。 對于更長的波長,，可采用由高Z和低Z材料交替層（如W/Si,、Ni/C和Mo/B4C）組成的合成多層膜。在這些情況下,，d等于高Z值和低Z值材料每層厚度之和,。由于WDS一次只能記錄一個波長，電子探針通常配備多個（最多5個）WDS,，每個WDS有2或4個可互換的晶體,。 傳統(tǒng)的X射線計數(shù)器由一個充滿氣體的管子組成，管子中央的導(dǎo)線相對于管子外壁的電位為1-2Kv,。X射線通過一個薄窗進(jìn)入計數(shù)器,；它們被氣體分子吸收，并在光電效應(yīng)下產(chǎn)生自由光電子,，這些自由光電子在電場作用下加速并產(chǎn)生一串次級電子,。 因此，每條射入的X射線都會產(chǎn)生一個脈沖,，脈沖的高度（CAMECA 探針的電壓范圍為1-5 V,，JEOL 探針的電壓范圍為1-10 V）與X射線的能量成正比。輸出脈沖被發(fā)送到脈沖高度分析器（PHA）,，該分析器處理并計數(shù)所呈現(xiàn)的脈沖,。 脈沖高度分析器可以在差分模式下運(yùn)行，所選高度（電壓）通常包含在一定的電壓窗口內(nèi),，也可以在積分模式下運(yùn)行，對基線（為避免噪聲而設(shè)置）以上的所有脈沖進(jìn)行計數(shù),。兩種方法各有利弊,。 X 射線計數(shù)器可以是流動型的（如P10：Ar加10%的CH4），在這種情況下，氣體流經(jīng)計數(shù)器,，因此必須持續(xù)供應(yīng),；也可以是密封型的（如Xe）。氙氣對高能量X射線的吸收率較高,，而P10（氬氣）比例計數(shù)器對高能量X射線的吸收率較低（因此計數(shù)也較低）,。 WDS獲得的X射線峰的能量寬度取決于X射線的自然寬度，以及晶體上發(fā)生布拉格反射的角度范圍,，這取決于光譜儀的幾何排列和晶體固有反射曲線的寬度,。TAP晶體的典型峰寬范圍為2-8 eV，PET 晶體為 4-60 eV,，LiF晶體為12-80 eV,。 可通過掃描WDS來記錄衍射峰，掃描方式可以是離散掃描,，一次掃描一個通道,，也可以是緩慢移動譜儀電機(jī)。最理想的情況是,，通過對峰值下的所有通道進(jìn)行積分,，收集每個峰值的總信號。對于快速定量數(shù)據(jù)采集或X射線繪圖來說,，WDS速度通常太慢,。 糾正死區(qū)時間：由于電子元件處理一個事件（探測X射線產(chǎn)生的脈沖）需要有限的時間（微秒級），因此有一段時間電子元件'忙于'處理一個信號,，而必須忽略其他信號,。因此，在這段'死時間 '內(nèi),，探測器對新光子的到來視而不見,。當(dāng) X 射線信號率較低時，第二個光子不太可能在'忙'期間到達(dá),。當(dāng)信號率較高時,，很大一部分時間用于處理事件，這部分時間被報告為死區(qū)時間,。軟件會根據(jù)死時間對測量計數(shù)進(jìn)行校正,。
EDS是當(dāng)今材料科學(xué)領(lǐng)域應(yīng)用最廣泛的分析技術(shù)，原因如下：(i) 幾乎所有 SEM 都可以安裝EDS,；(ii) 除H和He外,，元素周期表中的所有元素都可以同時檢測；(iii) EDS可以快速識別和定量樣品特定區(qū)域中的元素,，只需極少的準(zhǔn)備和指導(dǎo),。 SEM配置EDS的成本只是電子探針成本的一小部分。1996年，基于Gatti和Rehak的開創(chuàng)性工作1,，第一臺商用硅漂移探測器（SDD,，圖8）問世，使EDS技術(shù)發(fā)生了翻天覆地的變化,。與之前的技術(shù)--鋰漂移硅晶體探測器相比,，SDD幾乎改進(jìn)了EDS X射線探測的所有方面：更好的能量分辨率、更高的計數(shù)率,、更大的有效面積和使用方便（無需液氮）,。
圖7 SDD 探測器橫截面示意圖。虛線箭頭表示兩束射入的 X 射線產(chǎn)生的電子-空穴對的漂移方向,。
圖9 EDS結(jié)構(gòu)示意圖 當(dāng)射入的X射線在傳感器中傳播或'擴(kuò)散'時,，會與硅原子的價電子發(fā)生作用，使價電子躍遷到導(dǎo)帶,，從而逐漸被吸收,。因此，每個射入X射線的能量都會按比例轉(zhuǎn)化為電子-空穴對,。
圖10 EDS原理示意圖,。入射X射線在半導(dǎo)體晶體中產(chǎn)生一系列電子 - 空穴對后消失。在晶體上施加高偏置電壓,，電子和空穴移動到晶體相對兩側(cè)的電極,，產(chǎn)生電荷信號，該信號被傳遞到脈沖處理器,。信號的大小與入射X射線的能量成正比,。 通過在傳感器上施加不同的電壓，電子就會向陽極'漂移',，而陽極上的場效應(yīng)晶體管會將其電荷轉(zhuǎn)換成電壓信號,。脈沖處理器通過測量電壓信號的每次躍變（'斜坡'）來檢測X射線并確定其能量,。如果兩束或更多束X射線的電壓躍變在時間上間隔很近，但沒有很好地分開,，脈沖處理器就會拒絕這些事件，因為它無法準(zhǔn)確地確定其能量,。 事實上,，如果兩束X射線同時到達(dá)，它們也不會被剔除,，而是會記錄下一個'總和'的峰值,。最后，分析軟件會累積頻譜每個能級中的X射線計數(shù),，并可能進(jìn)行一些校正以消除假象,，例如硅逃逸峰，以及脈沖處理器無法剔除的重合X 射線產(chǎn)生的和峰,。 EDS的能量分辨率低于WDS,，這意味著某些X射線之間的重疊更為常見（例如，V Kα與Ti Kβ,，Mn Kα與Cr Kβ）,。為了提取X射線強(qiáng)度，通常需要進(jìn)行峰值分解,。通常使用理論或?qū)嶒灧遢喞M(jìn)行解卷積,，這些峰輪廓使用最小二乘法與未知實驗光譜擬合。Ritchie等人的研究表明,，這種方法可以準(zhǔn)確分辨出Ba L和Ti K 等強(qiáng)重疊X 射線,。
圖11 EDS分析中，容易重疊的譜峰匯總 EDS 的能量分辨率較低（相對于WDS）,，這也限制了其探測低濃度元素的能力,，因為其峰背比較低。雖然EDS一直用于測量微量（<10wt%）和痕量（<1 wt%）濃度],，但在SEM和電子探針中,，EDS與WDS 結(jié)合使用的情況越來越常見。 EDS 的能量分辨率通常指定為給定輸入計數(shù)率下Mn Kα 峰的FWHM（注意 ISO規(guī)范15632:2012 指出,，如果指定檢測低于1 keV的X 射線,，則還應(yīng)指定C Kα 峰的 FWHM）。 由于EDS光譜可能包含多個峰值,，包括來自同一元素的多個峰值,，因此分析軟件的一個常見功能是自動識別元素。Newbury報告了某些軟件的自動識別程序存在一些識別錯誤的問題,，并建議應(yīng)始終進(jìn)行手動驗證,。他還對某些EDS系統(tǒng)獲得的定量結(jié)果提出了警告,。 雖然EDS和WDS定量沒有本質(zhì)區(qū)別，但EDS的一些優(yōu)勢,，如使用方便,、許多實驗室都能使用等，往往會導(dǎo)致缺乏經(jīng)驗的用戶在沒有接受過識別問題的培訓(xùn)的情況下生成錯誤的分析數(shù)據(jù),。將EDS分析輸出歸一化為100 wt%是一個值得關(guān)注的問題,，因為是否歸一化'分析總量'是結(jié)果準(zhǔn)確與否的重要標(biāo)志。 參考文獻(xiàn) 1 Colliex C. The “father” of microanalysis: Raymond Castaing, creator of a generation of scientific instruments, still in worldwide operation. Comptes Rendus Physique. 2019 2 National Institute of Standards and Technology (NIST). https://www./srm/srm-definitions. 3 International vocabulary of metrology – Basic and general concepts and associated terms (VIM). 2012. 4 Lechner P, Eckbauer S, Hartmann R, Krisch S, Hauff D, Richter R, et al. Silicon drift detectors for high resolution room temperature X-ray spectroscopy. Nucl Instruments Methods Phys Res Sect A Accel Spectrometers, Detect Assoc Equip 1996; 5 Gatti E, Rehak P. Semiconductor drift chamber — an application of a novel charge transport scheme. Nucl Instruments Methods Phys Res 1984; 6 Reed SJB, Ware NG. Escape peaks and internal fluorescence in X-ray spectra recorded with lithium drifted silicon detectors. J Phys E 1972;5 7 Statham PJ. Pile-up rejection: Limitations and corrections for residual errors in energy-dispersive spectrometers. X-Ray Spectrom 1977; 8 Statham PJ. Limitations to accuracy in extracting characteristic line intensities from x-ray spectra. J Res Natl Inst Stand Technol 2002; 9 Ritchie NWM, Newbury DE, Davis JM. EDS measurements of X-ray intensity at WDS precision and accuracy using a silicon drift detector. Microsc Microanal 2012 |
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