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問題： 請簡述常見存儲器的類型,，分析不同存儲器之間的區(qū)別,。 簡答： 常見存儲器通常包括ROM(Read Only Memory,，只讀存儲器)和RAM(Random Access Memory,，隨機(jī)訪問存儲器)兩類,。盡管在早期的時(shí)候ROM中的內(nèi)容是在生成的時(shí)候就被燒寫進(jìn)去而無法更改的，但是隨著技術(shù)的發(fā)展,，ROM也可以進(jìn)行重復(fù)讀寫操作。從ROM和RAM的發(fā)展趨勢而言,，通常ROM容量要高于RAM,，但RAM的數(shù)據(jù)讀寫速率要高于ROM,，因此,，可以將ROM類比為電腦的硬盤,，而將RAM類比為電腦的內(nèi)存,。 1. ROM(Read Only Memory) ROM(Read Only Memory,，只讀存儲器)通常掉電數(shù)據(jù)不丟失，因此在早期的時(shí)候,，ROM中的內(nèi)容在生成時(shí)就被燒寫進(jìn)去,，使用時(shí)只能讀取而無法寫入更改,。隨著技術(shù)的發(fā)展,，很多ROM也具備寫入功能,，但是仍習(xí)慣沿用ROM的名稱，主要指掉電數(shù)據(jù)不丟失的存儲器。常見ROM包括PROM,、EPROM,、EEPROM和Flash： 1.1. PROM PROM(Programmable Read Only Memory，可編程只讀存儲器)不同于只能讀取的ROM,，PROM可以編寫數(shù)據(jù)內(nèi)容,，但是只能被寫入一次,，數(shù)據(jù)寫入后只能被讀取而無法擦除； 1.2. EPROM EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory,，可擦除可編程只讀存儲器)解決了PROM只能一次性編寫的問題，EPROM可以通過紫外線長時(shí)間照射完成數(shù)據(jù)的擦除,，并重新進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入操作,，因此，EPROM又被稱為紫外線擦除可編程只讀存儲器,； 1.3. EEPROM EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，電可擦除可編程只讀存儲器)克服了EPROM數(shù)據(jù)擦除方法復(fù)雜的問題,，可以通過程序直接進(jìn)行重復(fù)擦寫,。EEPROM擦除的原理是擦除電壓高于常規(guī)操作電壓，因此,，EEPROM最重要的參數(shù)指標(biāo)就是可擦寫次數(shù),； 1.4. Flash Flash作為最常用的可擦除且掉電數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，具有壽命長的優(yōu)勢,。不同于EEPROM對整個(gè)芯片的擦除與寫入,，F(xiàn)lash的擦除與寫入是以塊為單位，塊的容量通常在256KB~20MB之間,，因此，F(xiàn)lash的擦寫速度要快于EEPROM,，但是仍無法達(dá)到RAM以單個(gè)字節(jié)為單位進(jìn)行擦寫的要求,。 Flash通常分為NOR Flash和NAND Flash兩類：
2. RAM(Random Access Memory) RAM(Random Access Memory,，隨機(jī)訪問存儲器)內(nèi)部存儲單元內(nèi)容可以按需任意存取，并且存取速率與存儲單元在RAM中的位置無關(guān),，但在掉電時(shí)數(shù)據(jù)將會丟失,，因此主要用于存儲短時(shí)間使用的數(shù)據(jù)內(nèi)容。常見的RAM包括SRAM,、DRAM和SDRAM： 2.1. SRAM SRAM(Static Random Access Memory,，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)是一種具有靜態(tài)讀寫功能的從存儲器，無需任何額外電路的情況下就能將內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)長時(shí)間保存而不會丟失,，具有性能高,、速率快的特點(diǎn)。但是為長時(shí)間保存數(shù)據(jù),，SRAM內(nèi)部存儲單元電路結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,，通常為六管NMOS，因此,，SRAM的集成度相對較低,，價(jià)格相對較高； 2.2. DRAM DRAM(Dynamic Random Access Memory,，動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)不同于SRAM能夠長時(shí)間保存數(shù)據(jù),，DRAM內(nèi)部數(shù)據(jù)保存時(shí)間相對較短，性能相對較低,。因?yàn)镈RAM通常每隔一段時(shí)間需要進(jìn)行一次刷新充電,，否則內(nèi)部存儲數(shù)據(jù)將隨放電效應(yīng)而逐漸丟失，所以如果需要延長數(shù)據(jù)保存時(shí)間,，需要額外設(shè)計(jì)刷新電路,。然而，DRAM簡化了內(nèi)部存儲單元電路結(jié)構(gòu),，通常為三極管NMOS或單管NMOS,，因此DRAM的集成度較高，價(jià)格相對便宜,。 2.3. SDRAM SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory,，同步動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)是由DRAM發(fā)展而來，經(jīng)歷了長時(shí)間的發(fā)展(第一代SDR SDRAM,、第二代DDR SDRAM,、第三代DDR2 SDRAM、第四代DDR3 SDRAM...),，SDRAM工作時(shí)需要同步時(shí)鐘信號,，無論是存儲器內(nèi)部命令還是數(shù)據(jù)傳輸,，都以同步時(shí)鐘信號為基準(zhǔn)，同時(shí)SDRAM存儲陣列需要不斷動態(tài)刷新從而保證數(shù)據(jù)不丟失,。早期SDRAM采用SDR接口,，工作頻率相對較低，因此后續(xù)采用DDR接口,，以差分時(shí)鐘作為同步時(shí)鐘,，具有速率快、抗干擾性強(qiáng)的特點(diǎn),。 THE END |
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