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南京理工《Nano Letters》綜述:I?III?VI量子點(diǎn)和衍生物,,LED的設(shè)計(jì)、合成和性能

 材料科學(xué)網(wǎng) 2023-06-07 發(fā)布于江西

量子點(diǎn)(QDs)具有優(yōu)異的發(fā)光效率和高的色純度,是未來(lái)柔性超高清顯示器,、光學(xué)信息互聯(lián)網(wǎng)和生物成像技術(shù)的重要前沿發(fā)光材料,。I?III?VI量子點(diǎn)及其衍生物具有高效率、優(yōu)異的穩(wěn)定性和無(wú)毒等特點(diǎn),,因此有望成為取代傳統(tǒng)CdPb基量子點(diǎn)成為環(huán)保材料的理想候選者,。此外,量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)在單色顯示和白色照明方面表現(xiàn)出優(yōu)越的前景,。

本文綜述了I?III?VI量子點(diǎn)及其在LED中的應(yīng)用的最新進(jìn)展,。首先,根據(jù)它們的電子能帶結(jié)構(gòu)特征說(shuō)明了發(fā)光機(jī)理,。其次,,重點(diǎn)介紹了I?III?VI量子點(diǎn)的最新進(jìn)展、制備機(jī)理和光物理性能的調(diào)控,,并總結(jié)了相應(yīng)的應(yīng)用進(jìn)展,,特別是在發(fā)光二極管方面。最后,,作者對(duì)整體現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)進(jìn)行了展望,,提出了促進(jìn)量子點(diǎn)和QLED發(fā)展的績(jī)效改進(jìn)策略,指明了該領(lǐng)域的未來(lái)方向,。相關(guān)論文以題目為“I?III?VI Quantum Dots and Derivatives: Design, Synthesis, and Properties for Light-Emitting Diodes發(fā)表在Nano Letters期刊上,。

論文鏈接:

https:///10.1021/acs.nanolett.2c03138

發(fā)光二極管(LED)是人機(jī)交互和人機(jī)互聯(lián)的關(guān)鍵設(shè)備。未來(lái)顯示技術(shù)不僅具有萬(wàn)億級(jí)的經(jīng)濟(jì)規(guī)模,,還反映了國(guó)家的區(qū)域創(chuàng)新能力和前沿技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力,。特別是超純彩色發(fā)光量子點(diǎn)(QDs)是高清晰度(HD)、柔性和智能LED的關(guān)鍵材料,。用于新一代LED的相對(duì)成熟的量子點(diǎn)系統(tǒng),,如II?VI(如CdSePbS),、III?V(如InP)和鈣鈦礦量子點(diǎn),,已經(jīng)解決了效率和壽命的瓶頸。I?III?VI量子點(diǎn)及其衍生物在太陽(yáng)能電池,、光催化,、生物成像和LED等未來(lái)高質(zhì)量電子器件的候選者中表現(xiàn)出良好的前景。

本文首先概述了精確的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和發(fā)光機(jī)理,,然后概括了合成的關(guān)鍵因素,;隨后,對(duì)光學(xué)性能和QLED進(jìn)行了詳細(xì)的演示,。最后,,對(duì)推動(dòng)量子點(diǎn)和QLED發(fā)展的總體現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和改進(jìn)策略提出了展望,,指明了該領(lǐng)域的未來(lái)方向,。該綜述分為電子結(jié)構(gòu)特性,發(fā)光機(jī)理,,合成和光學(xué)性能,,LED應(yīng)用和展望幾個(gè)部分構(gòu)成。(文:愛(ài)新覺(jué)羅星)

1:a I?III?VI量子點(diǎn)及其衍生物的一般合成方案,。(b)和(c)通過(guò)調(diào)節(jié)Zn2+,、Ga3+In3+的含量,AIGS/ZnS量子點(diǎn)的PL光譜和照片,。(d AgInxGa1?xS2(紅色)和AgInxGaA1?xS2/GaSy(藍(lán)色)量子點(diǎn)的PL光譜比較,。

2。(a)在單個(gè)基于QDWLED的電壓下的EL光譜,。(bCGS:Mn/ZnS-WLED的光譜,,具有不同的Mn含量。(cWLED的光譜,,其發(fā)射極由CGSCIS量子點(diǎn)的混合物組成,。(d?f)藍(lán)色、綠色和紅色量子點(diǎn)的EL光譜,,以及照片展示了LED在電壓下的表現(xiàn),。

3。示意圖總結(jié)了I?III?VI量子點(diǎn)及其衍生物在單色和白色QLED中的策略,、解決方案和應(yīng)用前景,。

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