晶體管是一個簡單的元器件,,有非常多的種類,。最常見的兩種晶體管應(yīng)該要屬雙極型晶體管(三極管)和MOS管了吧,那它倆之間的區(qū)別是什么呢,?先讓我們再復(fù)習(xí)一下之前所說的: 三極管分為兩種:NPN和PNP,。 NPN是一個雙極結(jié)晶體管(BJT),有三條腿,,分別是:基極(b),、集電極(c)、發(fā)射極(e),,NPN晶體管是最常見的三極管(BJT),。 但是還有另一種稱為PNP晶體管,其工作方式相同,,只是所有電流都朝相反的方向,。 MOSFET管是另一種非常常見的晶體管類型。它也具有三個引腳:柵極(G),、漏極(D),、源極(S) MOS管和三極管同為晶體管,它們之間的工作原理也有些類似之處: 1).MOS管的源極S,、柵極G,、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e,、基極b、集電極c,,它們的作用相似,,左圖圖示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳,右圖圖示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對應(yīng)圖,。 2).它倆最大的不同是:MOS管是電壓控制電流器件,,經(jīng)過柵極電壓操控源漏間導(dǎo)通電阻,普通的晶體三極管是電流控制電流器件,,經(jīng)過基極較小的電流操控較大的集電極電流,。MOS管道放大系數(shù)是(跨導(dǎo)gm)當(dāng)柵極電壓改變一伏時能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(shù)(貝塔β)當(dāng)基極電流改變一毫安時能引起集電極電流變化多少,。 3).MOS管柵極和其它電極是絕緣的,,不產(chǎn)生電流;而三極管工作時基極電流IB決定集電極電流IC,。因此MOS管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多,。 4).MOS管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電;三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電,,因少數(shù)載流子濃度受溫度,、輻射等因素影響較大,所以MOS管比三極管的溫度穩(wěn)定性好,。 5).MOS管在源極未與襯底連在一起時,,源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大(這一點金譽(yù)半導(dǎo)體有專門講過),,而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時,,其特性差異很大,b 值將減小很多,因此MOS管協(xié)調(diào)能力比晶體管好,。 6).MOS管的噪聲系數(shù)很小,,在低噪聲放大電路的輸入級、及要求信噪比較高的電路中要選用MOS管,。 7) .MOS管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開關(guān)電路,,但是MOS管制造工藝簡單,并且又具有普通晶體三極管不能比擬的優(yōu)秀特性,,在各種電路及應(yīng)用中正逐步的取代普通晶體三極管,,目前的大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中,已經(jīng)廣泛的采用MOS管,。 今天的分享就到這里,, 大家還有什么想要了解的或者合作需求,可以在下方留言噢~ |
|