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第一點:固態(tài)的閃存顆粒 DRAM緩存:有緩固態(tài)會內(nèi)置一顆DRAM緩存,第一個作用,用于儲存實際數(shù)據(jù)在閃存顆粒(MLC/TLC/QLC)的物理位置也叫FTL表,就像一本書的目錄,當(dāng)你需要使用這部分?jǐn)?shù)據(jù)時可以由地址映射關(guān)系,快速找到這部分?jǐn)?shù)據(jù)存儲的區(qū)塊,以達(dá)到加速訪問的目的,無緩固態(tài)的FTL表會直接存儲在閃存中,當(dāng)然這樣會對固態(tài)的隨機讀取性能有一定的影響,所以一般有緩固態(tài)的隨機讀取性能都普遍快一些,當(dāng)然主要還是取決于主控方案.第二個作用,因為FTL表不會占用全部的DRAM緩存,剩下的部分會作為一個臨時數(shù)據(jù)存儲點,這部分?jǐn)?shù)據(jù)調(diào)用速度極快,但是在你關(guān)機斷電的時候,這部分?jǐn)?shù)據(jù)也會從DRAM緩存中消失,DRAM緩存中的這部分?jǐn)?shù)據(jù)也會存儲在實際的閃存顆粒中,當(dāng)你關(guān)機重啟之后再次調(diào)用,還是會去閃存中調(diào)用. SLC緩存:和DRAM緩存不一樣,SLC緩存是模擬出來的,不同閃存顆粒存儲單元CELL存儲方式是不一樣的 SLC閃存CELL存儲1位: 0,1 MLC閃存CELL存儲2位: 00,01,10,11 TLC閃存CELL存儲3位: 000,001,010,011,100,101,110,111 QLC閃存CELL存儲4位: 0000,0001,0011,0111....... 因為SLC存儲邏輯最簡單,所以他的速度也是最快的,當(dāng)使用TLC模擬SLC時,讓本來儲存3位的CELL存儲1位以達(dá)到快速寫入,常見的固定SLC緩存,比如1T的硬盤,模擬100G的SLC,也就是有300G的TLC會用于模擬SLC,理想情況下,空盤連續(xù)寫入200G數(shù)據(jù),前100G會在SLC的狀態(tài)下寫入,速度很快,占滿這300G的TLC空間,固態(tài)處于閑時,會將這100G存儲在模擬SLC的數(shù)據(jù),轉(zhuǎn)存到常態(tài)的TLC閃存中,也叫緩存釋放,以便于下次寫入時再進(jìn)入模擬SLC使用,這前100G也叫緩內(nèi)寫入.后100G因為模擬SLC的部分被占滿了,就只能使用TLC直寫的性能.所以寫入到這里會掉速,這里叫緩?fù)鈱懭?這后100G的后半段,因為主控需要去釋放之前SLC模擬的部分,所以還會掉一次速度,所以大量數(shù)據(jù)寫入時一般速度呈三段式,具體的緩存回收時間,回收積極性,緩內(nèi)寫入量根據(jù)固態(tài)硬盤實際的方案決定. 新興的全盤模擬SLC:模擬方案和固定模擬SLC一樣,區(qū)別在于他的模擬容量更大,緩內(nèi)寫入更高.在日常使用中,好還是不好呢?下面簡單分析一下部分模擬SLC和全盤模擬SLC的使用區(qū)別: 假設(shè)兩塊盤都是1T閃存顆粒相同,都是空盤時,寫入200G數(shù)據(jù),理想狀態(tài)下不考慮主控會在寫入時回收緩存影響速度,全盤模擬SLC200G都在緩內(nèi),固定100G模擬SLC的只有前100G在緩內(nèi),后100G在緩?fù)釺LC直寫,這種情況下全盤模擬SLC肯定速度更快. 半盤寫入,兩個盤都寫入了500G,再寫入200G數(shù)據(jù),全盤模擬SLC有166G是SLC寫入很快,剩下33G都不能進(jìn)入TLC直寫,因為沒有位置了,所以要把之前模擬SLC部分擦去再寫入....直至寫完,這部分速度是比TLC直寫還慢很多的,固定模擬SLC的盤,前100G占用了300G的TLC模擬SLC位置,后100G進(jìn)入剩下200GTLC直寫速度,此時,全盤模擬SLC方案是一段很快加一段很慢的,固定模擬SLC方案是一段很快的加一段慢一點的TLC直寫速度,總體差不多,那如果這次寫入的數(shù)據(jù)是300G,很明顯后半段的全盤模擬SLC會很慢很慢,固定模擬SLC因為后半段是TLC直寫,所以相對會快一些. 當(dāng)然現(xiàn)在有部分盤的全盤模擬SLC方案很激進(jìn),一次數(shù)據(jù)還未寫完,就已經(jīng)開始釋放之前的模擬SLC部分,這樣就能獲得更大的模擬SLC寫入時長,也就是看起來一直寫一直不掉速.不會他的峰值速度持續(xù)時間就不會很長,回收時會進(jìn)入一個次快的寫入速度,和被迫擦去再寫入不同,只是會降低模擬SLC的速度,并不會掉的很離譜.所以結(jié)論是如果你使用的盤,日常不會容量占用很高,那么全盤模擬SLC好,如果容量經(jīng)常超過50%~60%,而又有大文件寫入的需求,全盤模擬SLC出緩之后掉速嚴(yán)重,此時全盤模擬SLC并不是太好,如果容量日常80%-90%,哪種模擬意義都不大了,買穩(wěn)定的固態(tài)保證數(shù)據(jù)安全性即可.家用游戲,全盤模擬SLC還是挺不錯的. 關(guān)于SLC模擬的寫入放大:不管哪種方案都存在寫入放大,畢竟涉及數(shù)據(jù)閑時遷移二次寫入,只不過全盤模擬SLC方案模擬量更大,也就是會浪費更多的擦寫壽命.日常使用一般人也不會有這么大的寫入量,所以不用擔(dān)心.家用哪種方案TLC顆粒都能使用10年問題不大,只要不掉盤,固態(tài)的數(shù)據(jù)安全和壽命是很有保障的.其實固態(tài)的回收策略十分復(fù)雜,以上只是個人的理想狀態(tài)下的見解.有不同意見可以私下討論. 文末的天梯圖排行以4K讀取為參考,日常使用中,順序讀取占少數(shù),關(guān)乎使用速度的更多的是4K隨機讀取速度. 機械大多數(shù)用于倉儲盤,所以穩(wěn)定比性能更重要,SMR這種大坑盤沒買的必要,4T以下沒有較好的CMR盤,且固態(tài)價格跳水,所以后續(xù)推薦只會推薦4T以上的機械盤.4T以下買固態(tài)去,因為目前希捷和西數(shù)都陸續(xù)推出了單碟2T的CMR機械硬盤,后續(xù)如果酷魚,藍(lán)盤等家用盤系列有合適的2T盤更新,看情況再推薦2TCMR機械硬盤. 整體機械盤購買方案:4-6T買監(jiān)控CMR盤,6-10T買企業(yè)級空氣盤,12T以上買企業(yè)級氦氣盤.監(jiān)控盤并不會影響你日常使用. 關(guān)于海康威視:監(jiān)控行業(yè)龍頭,作為監(jiān)控盤國行最大的代理,?？低暤臋C械盤本體還是由希捷和西數(shù)生產(chǎn),?？抵皇卿N售,額外提供國行的售后換新服務(wù),品質(zhì)和希捷西數(shù)本體差不多,所以監(jiān)控CMR盤可以選擇海康威視.
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