光刻膠（photoresist）又稱光致抗蝕劑,，是指通過紫外光,、電子束、離子束,、X射線等的照射或輻射,，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。

根據37.07子目注釋,，該子目包括“用于半導體材料光刻制造的感光塑料樹脂溶液（“光刻膠”）,。”并描述“這種產品由聚合物,、光敏劑,、非水溶劑和各種其他化學品組成?！?/strong>

但嚴格來說,，并非所有光刻膠的成分里都含有光敏劑，如自感型光敏聚酰亞胺（PSPI）體系就無須外加光敏劑,，其可依靠自身進行光化學反應,。

相較而言，同樣采用光固化材料作為基本成分的涂料相關注釋,，就存在“含有或不含有光引發(fā)劑”的描述,，見于32.08和32.10品目注釋的規(guī)定。[注：盡管很多物質（例如,，二苯甲酮）可同時用作光敏劑（photosensitizer）和光引發(fā)劑（photoinitiator）,，但兩者在概念上并非完全等同。光敏劑是吸收光能的分子,，并作為供體將功能傳遞給受體分子,。光引發(fā)劑是一種化合物（通常是有機的）,，吸收光能后形成引發(fā)聚合的物質]

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為此，建議對37.07子目注釋進行修訂,，如：

“子目3707.90包括用于半導體材料光刻制造的感光塑料樹脂溶液（“光刻膠”）,。這種產品[通常]由聚合物、光敏劑,、非水溶劑和各種其他化學品組成,。光刻膠用于覆蓋在沉積了金屬氧化物的硅片上，該硅片最終將被制造成半導體材料,?！?/span>