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今日凌晨,，英特爾進行了“工藝與封裝路線”在線直播，在直播上,，英特爾宣布了全新的工藝制程命名規(guī)則,。眾所周知,，英特爾的10nm能打臺積電的7nm，所謂工藝節(jié)點無非文字游戲罷了,。英特爾很顯然已經(jīng)認識到了這一點,，他們并不打算直接套用“幾nm”的工藝命名。
按照英特爾的說法,，現(xiàn)已達到量產(chǎn)水平的10nm增強型SuperFin工藝更名為“英特爾7”工藝（暗示自家10nm打臺積電7nm）,。這個新的英特爾7工藝相比于現(xiàn)在已經(jīng)在使用的10nm SuperFin工藝制成的處理器，每瓦性能將提高10%-15%,。英特爾7工藝將用于接下來的Alder Lake消費級處理器和Sapphire Rapids數(shù)據(jù)中心處理器的制造,。
在2022H2，便是原本的7nm工藝節(jié)點,，英特爾將其重命名為“英特爾4”工藝,，它將采用EUV光刻技術，承諾生產(chǎn)的處理器每瓦性能將比英特爾7產(chǎn)品提高20%,。英特爾4的首批產(chǎn)品是2021Q2季度（大概還在客戶實驗階段）的Meteor Lake和 Granite Rapids,。（此前英特爾表示7nm工藝進展非常順利）
2023年登場的Meteor Lake的渲染圖顯示其GPU具有多達192個EU單元，相比目前的96EU可以說是巨大升級,。Granite Rapids處理器則看起來似乎是雙芯片設計，每個芯片有60個單元,。對于這個新的面向數(shù)據(jù)中心市場的處理器,，英特爾沒有過多透露，如果每個單元都代表一個物理核心那這個新的“花崗巖激流”將是一個120核的處理器,。
面向消費級客戶的Meteor Lake處理器還將采取新的封裝技術“Foveros Omni”,，其中包括3D芯片堆疊、跨節(jié)點芯片混合封裝,、還有低電阻互聯(lián)銅銅鍵合（是不是有點不太明白,，我也不太明白XD）。
在2023年下半年,，英特爾將推進到“英特爾3”工藝節(jié)點,，相比于“英特爾4”再度提升18%每瓦性能，同時也繼續(xù)保證使用EUV極紫外光刻技術,。
接下來便是重磅大餅：在2024年,，英特爾將把半導體帶入埃米時代，推出“英特爾20A”工藝節(jié)點,。A即代表埃,，20A即2nm。這個工藝節(jié)點將引入一種新的晶體管架構(gòu),，稱為RibbonFET,。而在2025年,，英特爾并沒有止步于20A，工藝將繼續(xù)改進到18A,，對RibbonFET架構(gòu)進行改進,，以實現(xiàn)晶體管和芯片性能的再一次重大飛躍。
直播最后,，CEO帕特基辛格還披露了未來英特爾在晶圓代工方面的進展：
英特爾代工服務（IFS）的優(yōu)勢之一,，是公司既能提供領先的制程和封裝技術創(chuàng)新，又能將我們的既有成熟技術以全新的方式服務于我們的客戶,?？蛻魧τ⑻貭柎し眨↖FS）一直懷有強烈的興趣，其中受到重點關注的是我們成熟的先進封裝技術,。基于此,，英特爾宣布，公司已經(jīng)與AWS簽約,，它們將成為我們的第一個使用英特爾代工服務（IFS）封裝解決方案的客戶,。此外，英特爾也與高通合作,，他們將采用Intel 20A制程工藝技術,。兩家公司都堅信，移動計算平臺的領先發(fā)展將開啟半導體的新時代,?？梢悦鞔_的是，英特爾代工服務已揚帆起航,！
英特爾終于認識到和三星臺積電玩文字游戲是沒有意義的,，用戶大部分人都不懂，陷入到“字面工藝”競賽中只會落得輿論低谷,，工藝密度才是真正的技術水平,。
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