首先從規(guī)格書標題或符號圖，判斷它是單管還是雙管,，是N溝道還是P溝道,，還有雙N或雙P，還是N+P,，還有封裝,。

以上就是標題和符合判斷MOS的類型

封裝比較容易，一般SOT23,SOP8,TO252.TO263,TO220,DFN5X6等封裝,。

說明：MOS管漏極和源極最大耐壓值,，也叫擊穿電壓'

測試條件：在Vgs=0V,，柵極和源極不給電壓,，漏極和源極最大的電壓（有些品牌公司這個值是寫保守，小些的）,。

影響：超過的話會讓MOSFET損壞,，擊穿（漏極和源極直接導通）；實際電路峰值電壓參考值,，選型時峰值電壓一定要大于它,，并要保留一定的余量，特別是它對應感性負載時,。

說明：柵極擊穿電壓

測試條件：VDS=0V, 柵極和源極加電壓,，

影響：超過的話會讓MOSFET損壞，柵極擊穿（氧化鋁薄膜擊穿,，柵極和源極導通,，正常情況下柵極是不與源極，漏極導通的）

以上有二個地方都可以判斷ID的電流大小,。TC是物體表面溫度,，以這個為判斷標準，TA是環(huán)境溫度,，一般不按它判斷ID電流,。

說明：完全開啟,，漏極和源極兩端最大過電流50A。但是實際應用流過它的電流大概1/5,，也就是10A左右（TO252）,，小封裝的話就更接近些，不然發(fā)燙很嚴重,。

測試條件：在Vgs=Vds,，在漏極和源極兩端電流控制在250uA。

影響：實現電路需要多大電參就要參考這值,，還有要加多大散熱片,，鋪多少銅。

說明：開啟電壓,，也叫閥值電壓,。

測試條件：在Vgs=Vds，在漏極和源極兩端電流控制在250uA,。

影響：如上圖,，如果低于1.5V的話，管子不導通,，大于它才開啟,，這時候的電流是250uA是非常小的，導通電阻是很大,，驅動電壓大小選擇就根據它,，比如單片機啟動電壓是3V那肯定不能選擇它，有5V才可以（具體看VGS4.5V的導通電阻大?。?。

說明：導通時，Vds的內阻,，也叫導通電阻

測試條件：在Vgs=10V,，通過20A的電流；Vgs=4.5V,，通過15A的電流,，在漏極和源極兩端的內阻。

影響：內阻越小,，MOS過的電流越大,，相同電流下，功耗越??；實際電路的驅動電壓多大，管子會造成多大損耗，就根據這個電阻,。（還有開關頻率,，下面講）

說明：Ciss=Cgs+Cgd 輸入電容

Coss=Cds+Cgd 輸出電容

Crss=Cgd（米勒電容）

理論是這樣的，它們也確實源極,，漏極,，柵極之間都是存在結電容的，但是我查了好多規(guī)格書都沒有算出Ciss=Cgs+Crss .;當然在實際應用中我們都是只看CISS.

影響：Ciss：影響到MOS管的開關時間,，Ciss越大,，同樣驅動能力下，開通和關斷時間就越慢,，開關損壞也就越大,。較慢的開關速度對應會帶來較好的EMI。所以很多高頻電路一定要看這個Ciss結電容,，開關頻率越高選擇的結電容就需要越小,。

Coss和Crss：這兩項參數對MOSFET關斷時間略有影響，其中Cgd會影響到漏極有異常高電壓時,，傳輸到MOSFET柵極電壓能力的大小,，對雷擊測試項目有一點的影響

MOS的損耗就是它本身的電阻和開關損耗總和，導致它發(fā)燙,。

如上圖,，當VDS電壓一定時，VGS的電壓越高,，ID電流越大,，說明電阻越小,；還有VGS=10V到5V電流基本變,，說明管子在VGS為5V時,，管子已經接近飽和狀態(tài),，電阻最小了。

如上圖,，可以清晰地看出VGS 4.5V的導通電阻要比VGS 10V的要大,。關于VGS不變，ID電流變大,，電阻變大,，這是因為電流大了，發(fā)熱導致電阻也會稍微變大

如上圖,，溫度越高,，會導致VGS的啟動電壓變低，這也是一些工程師說我在高溫環(huán)境測試老化，確實管子導通了,，但是常溫既然開不起,。