《漲知識啦36》---Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移技術

目前，Micro-LED的顯示技術在制造上面臨兩個主要的技術挑戰(zhàn)：一個是全彩顯示（Full-color display）,另外一個為巨量轉(zhuǎn)移（Mass transfer）。本周“漲知識啦”給大家介紹的就是其中的巨量轉(zhuǎn)移技術,，它是Micro-LED顯示技術中不可或缺的一個重要環(huán)節(jié),。

巨量轉(zhuǎn)移又稱薄膜轉(zhuǎn)移，就是將Micro-LED器件轉(zhuǎn)移到具有特定的驅(qū)動基板上,，并組裝成二維周期陣列,。通常500 PPI（Pixels Per Inch）的手機屏幕需要將近800萬個像素顆粒，因此Micro-LED的顯示技術中轉(zhuǎn)移的像素點非常龐大,，且轉(zhuǎn)移過程可允許的誤差又極小,，所以轉(zhuǎn)移精度需要嚴格控制。此外,，為了抑制單個像素之間的光串擾,，實現(xiàn)高質(zhì)量的成像效果，需要盡量減薄襯底甚至剝離襯底,，這也為巨量轉(zhuǎn)移方案進一步增加了難度,。如今基于Micro-LED的顯示市場迫切需要一種成本低且效率高的巨量轉(zhuǎn)移技術。

按照轉(zhuǎn)移特性,，可以將巨量轉(zhuǎn)移技術分為物理轉(zhuǎn)移和化學轉(zhuǎn)移,。目前已經(jīng)涌現(xiàn)出一大批有代表性的巨量轉(zhuǎn)移技術，如彈性體沖壓,、靜電轉(zhuǎn)移,、電磁轉(zhuǎn)移、激光輔助轉(zhuǎn)移和流體自組裝等,。但這些技術總的來說都存在兩個問題：費時和成本高,，以至于迄今為止尚未有一項技術能夠在各項指標上得到業(yè)界的廣泛接受。盡管如此,，巨量轉(zhuǎn)移技術依然處于Micro-LED顯示器發(fā)展的樞紐地位,，是Micro-LED顯示器技術中的最關鍵技術之一，然而巨量轉(zhuǎn)移技術的局限性致使Micro-LED的大規(guī)模量產(chǎn)及商業(yè)化仍需要相當長的一段時間,。[本內(nèi)容僅代表作者觀點,，不足之處請批評指正]

圖一當前幾種主要巨量轉(zhuǎn)移技術原理示意圖¹

參考文獻：1. Zhaojun Liu et.al,Micro-light-emitting diodes with quantum dots in display technology, Light: Science & Applications (2020) 9:83.