為了保證Ti/TiN起到黏合和阻擋作用,需要一定的厚度,特別是在側壁(sidewa11)。 OPA2134UA/2K5但是glue layer太厚,會有兩個問題,。一是glue layer遠比W高,在有限的∞lltact空間,glue laycr占的比例越大的話,RC就會越大,。另一方面,gluc layer越厚的話,越容易在contact頂部形overhang,給隨后的W CVD制程帶來困難。Overhang嚴重時,W在contact低部還未填充完全情況下,頂部已封口,在∞ntact中央形成縫隙(seam),。如果seam的位置處于W CMP拋磨區(qū),CMP磨到Seam時,在contact頂部形成開口,。⒏am的存在不僅增加了RC,而且會影響到隨后的金屬互聯(lián)一銅的電鍍(ECP)以及器件的抗電遷移能力。

   對于W CVD,也存在因填洞引起的seam問題,。在W沉積過程中,由于W CVD是接近擴散控制的反應,∞ntact頂部相較底部會先接觸和多接觸反應氣體,因此生長會比底部要快,而且W的生長是由側壁向中心方向生長,因此如果不能很好的控制反應速度的話,頂部先封口也會形成seam,嚴重時形成空洞(void),。除了填洞能力外,因為W是coYltaCt主要填充金屬,W的另一個挑戰(zhàn)是如何降低夕以降低RC。

   為了保證Ti/TiN起到黏合和阻擋作用,需要一定的厚度,特別是在側壁(sidewa11),。 OPA2134UA/2K5但是glue layer太厚,會有兩個問題,。一是glue layer遠比W高,在有限的∞lltact空間,glue laycr占的比例越大的話,RC就會越大。另一方面,gluc layer越厚的話,越容易在contact頂部形overhang,給隨后的W CVD制程帶來困難,。Overhang嚴重時,W在contact低部還未填充完全情況下,頂部已封口,在∞ntact中央形成縫隙(seam),。如果seam的位置處于W CMP拋磨區(qū),CMP磨到Seam時,在contact頂部形成開口。⒏am的存在不僅增加了RC,而且會影響到隨后的金屬互聯(lián)一銅的電鍍(ECP)以及器件的抗電遷移能力,。

   對于W CVD,也存在因填洞引起的seam問題。在W沉積過程中,由于W CVD是接近擴散控制的反應,∞ntact頂部相較底部會先接觸和多接觸反應氣體,因此生長會比底部要快,而且W的生長是由側壁向中心方向生長,因此如果不能很好的控制反應速度的話,頂部先封口也會形成seam,嚴重時形成空洞(void),。除了填洞能力外,因為W是coYltaCt主要填充金屬,W的另一個挑戰(zhàn)是如何降低夕以降低RC,。