利用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察PQD紙的表面形貌,可以發(fā)現(xiàn)纏繞的CNC結(jié)構(gòu)(圖1b),。圖1c使用透射電鏡(TEM)觀察PQDs,。發(fā)現(xiàn)PQDs的尺寸約為3-8nm,這可提供強大的量子限域效應并增強鈣鈦礦的光發(fā)射,。CH3NH3PbBr3PQD紙和純CNC紙的XRD圖譜如圖1d所示,,兩種樣品在23°時都表現(xiàn)出很強的衍射峰,這是由CNC材料造成的,;而PQD紙在15°,、30°和34°出現(xiàn)其他的峰,分別對應著CH3NH3PbBrQDs的(001),、(200)和(210)晶面,,這證實了紙張中PQDs的高純度。圖1e為CH3NH3PbBr3PQD紙的光致發(fā)光(PL)和紫外可見(UV-vis)吸收光譜,,可以看出,,PQD紙顯示出明亮的綠色PL發(fā)射,FWHM為28 nm,,峰值波長為518 nm,,與PQD紙的強吸收邊緣截斷相對應。圖1e中的插圖是PQD紙在有和沒有UV激發(fā)的情況下的光學圖像,,說明在正常和PL條件下,,其色彩均勻性都良好,。 圖2:PQD紙基白光LED的制作和EL性能:a) PQD紙基LED制作工藝示意圖,b)KSF與硅膠封裝后的LED照片,,c)完成的PQD紙質(zhì)LED,,d) LED發(fā)光演示,e)不同驅(qū)動電流下PQD紙基LED的EL譜,,f)NTSC標準,、Rec.2020標準和PQD紙基LED色域的CIE圖,g) PQD紙基LED的電流相關(guān)發(fā)光效率和光通量,,h)連續(xù)運行時LED器件的時變光通量,。 使用PQD紙作為白色LED的顏色轉(zhuǎn)換器,其LED的制作過程如圖2a所示,。接下來,,將KSF的紅色熒光粉與硅樹脂混合,并將混合后的混合物調(diào)配(圖2b),。在固化1小時后,,將PQD紙貼在包裝袋的頂部作為綠色變色器,進而得到白色LED(圖2c,d),。圖2 e揭示了不同驅(qū)動電流(5-60 mA)下PQD紙基器件的電致發(fā)光譜圖(EL),,可以看到藍色LED芯片、綠色PQD紙和紅色KSF的三個主峰分別位于452,、518和630 nm處,。圖2f為基于PQD紙的LED色域,該色域占了NTSC標準的123%和下一代8K4K顯示器較重要的顏色標準Rec. 2020的92%,。在連續(xù)運行240 h后,,光通量僅下降12.4%(圖2h),表明基于PQD紙的LED具有良好的穩(wěn)定性,。 圖3:PQD紙基LED與其它報道的LED的器件性能比較:A) QDs的發(fā)光效率,、色域性能和b)工作耐久性。 圖3a總結(jié)了文獻和本文中報道的變流器型QD發(fā)光二極管的發(fā)光效率和色域性能,。在非鈣鈦礦QD LED中,,液相CdSe QDs的發(fā)光效率較高,為64 lm W?1,。然而,,由于綠色CdSe QDs的PL波長(≈550 nm)比理想的綠色波長(≈525 nm)要長,因此基于CdSe QDs的LED不利于獲得較寬的色域,。同時,,由于PQDs的熱穩(wěn)定性差,大多數(shù)PQD基LED的效率低于70 lm W?1,。而在該工作中,,PQD紙使LED發(fā)光效率提高到124 lm W?1,,色域達到NTSC標準的123%。較重要的是,,該LED具有240小時的長壽命,,比其他基于PDQ的白色LED的壽命要長得多(圖3b)。 BNKTx薄膜 鈦酸鉍鈉鉀無鉛鐵電薄膜 鈣鈦礦鈮酸鉀納米材料(KNbO3) 鈣鈦礦MAPbI3納米片 低維鎢酸鉍基異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米材料 鉍鉭基納米片 全無機鉛鹵鈣鈦礦CsPbX3晶體 銫鉛鹵(CsPbX_3)鈣鈦礦量子點 銦錫氧化物鈣鈦礦納米晶體(ITONPs) 黑色立方相CsPbBr3鈣鈦礦薄膜 CsPbBr3單晶鈣鈦礦納米材料 石墨烯鈣鈦礦量子點復合材料 Ag修飾石墨烯基鈣鈦礦材料 鈣鈦礦量子點與分子篩復合材料 MPbX3(M=CH3NH3,Cs;X=Cl,Br,I) CH3NH3PbBr3鈣鈦礦量子點 CH3NH3PbCl3鈣鈦礦量子點 CH3NH3PbI3鈣鈦礦量子點 CdTe/MCM-41納米復合材料 負載型SrTiO3/HZSM-5光催化材料 BiFeO3納米顆粒 BaTiO3鈣鈦礦納米材料 PbTiO3鈣鈦礦納米材料 二維層狀鈣鈦礦型鐵電材料 BaTiO3單晶納米線 鈣鈦礦層狀化合物SrO(SrTiO3) 鈣鈦礦型氧化物SrTiO3/BaTiO3多層膜 CH3NH3PbI3(MAPbI3)鈣鈦礦 硫氰酸鹽在甲脒鈣鈦礦薄膜 鈣鈦礦氧化物LaAlO3/SrTiO3 鈣鈦礦結(jié)構(gòu)PbTiO3納米材料 鈣鈦礦結(jié)構(gòu)BaCrO3納米材料 鈦酸鍶(SrTiO3)鈣鈦礦納米材料 二氧化錫基鈣鈦礦二維納米材料 鹵素鈣鈦礦CsPbBr3單晶薄膜 有機無機鹵素鈣鈦礦MAPbX3 Sn-Pb二元鈣鈦礦材料 碘化鉛甲銨MAPbI3鈣鈦礦二維材料 多巴胺交聯(lián)二氧化鈦/鈣鈦礦薄膜 鈣鈦礦太陽能電池空穴傳輸材料 鈣鈦礦/黑磷低維復合納米材料 新型鈣鈦礦材料FAPbI3薄膜 鈣鈦礦氧化物SrTiO3(STO) BiFeO3(BFO)鈣鈦礦薄膜 CsPbCl3納米晶 雙鈣鈦礦Cs2GeF6晶體 CsPbX3-Cs2GeF6鈣鈦礦材料 (AVA)2PbI4@MAPbI3鈣鈦礦材料 石墨炔修飾鈣鈦礦薄膜材料 CsSnI3錫基鈣鈦礦膜 CH3NH3PbBr3單晶 鈣鈦礦/SnO2@a-TiO2/FTO HLNNb2O7鈣鈦礦納米片 塊狀CsPbI3立方晶納米材料 α-CsPbI3鈣鈦礦量子點 CsPbBrI2鈣鈦礦二維材料 (PED)CuCl4新型鈣鈦礦材料 熱致變色性質(zhì)鈣鈦礦(BED)2CuCl6 雜化雙金屬鈣鈦礦晶體[CH3(CH2)3NH3]2CsAgBiBr7 綠色發(fā)光Cs4PbBr6單晶 MAPbI3/石墨烯薄膜 CuGaO2納米片 Cs2SrPbI6雙鈣鈦礦納米材料 Cs2KBiCl6雙鈣鈦礦三維材料 Cs2NaInCl6鈣鈦礦納米晶 鈦礦半導體納米晶體CsPbBr3 二維鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)(C4H9NH3)2PbI4 (C4H9NH3)2(CH3NH3)Pb2I7鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)構(gòu) (C4H9NH3)2(CH3NH3)Pb2I7鈣鈦礦晶體 TMOF-5 PbCoO3鈣鈦礦納米晶 全無機鹵素鈣鈦礦CsPbBr3晶體 鈣鈦礦/銅銦鎵硒(GIGS) CH3NH3PbI2Br/銅銦鎵硒鈣鈦礦材料 PMMA/CsPbBr3量子點 Zn2SnO4基鈣鈦礦太陽能電池材料 MAPbfI3金屬鹵化鈣鈦礦三維材料 有機氯化鉛雜化材料(C9NH20)7(PbCl4)Pb3Cl11 全無機銫鉛鹵鈣鈦礦量子點CsPbX3 (BA)4AgBiBr8有機無機雜化鹵素雙鈣鈦礦 Pb-Sn-Cu鈣鈦礦薄膜 (C4H9NH3)2(CH3NH3)3Pb4I13鈣鈦礦光電探測器 二維銣-銫合金鈣鈦礦材料RbxCs1-xPbBr3 摻鎂的鈣鈦礦薄膜CsPbBr3 疊層CsPbBr3/MABr鈣鈦礦薄膜 CsPbBr3@MABr核殼鈣鈦礦 核殼型PbSe@CsPbBr3鈣鈦礦納米材料 碘化肼錫(HASnI3)鈣鈦礦薄膜 MASnI3鈣鈦礦薄膜 wyf 03.05 |
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