GaN 是什么,？

氮化鎵（或 GaN）正在為電力工程行業(yè)帶來變革,，它實現了以往硅MOSFET 從未達到的高速、效率提升水平和更高功率密度。

GaN 固有的較低柵極和輸出電容可實現以 MHz 開關頻率運行,，同時降低柵極和開關損耗,，從而提高效率。不同于硅,，GaN 不需要體二極管,，因而消除了反向恢復損耗，并進一步提高了效率,、減少了開關節(jié)點振鈴和 EMI,。

GaN 功率氮化鎵解決方案電路板

TI 的GaN解決方案

TI 的 GaN 系列解決方案集成了高速柵極驅動器、EMI 控制,、過熱和過流保護,，同時具有 100ns 的響應時間。集成式器件使布局得以優(yōu)化,，能夠最大限度地減少寄生電感,、提高dv/dt 抗擾性 (CMTI)，并縮小布板空間,。 

廣泛的產品系列為幾乎所有應用提供了易于使用的解決方案,，以便于充分利用 GaN 技術的優(yōu)勢。

GaN 功率集成

關于本課程

氮化鎵(GaN)技術開啟的新一代電源設計將不可能變成了現實,。這些設計在提供可靠和堅實的質量保障下, 能使工程師獲得前所未有的功率密度和電源效率,。

劃重點

本節(jié)課程的目的是幫助新手和有經驗的電源工程師輕松理解氮化鎵技術,以及基于氮化鎵器件的高功率密度,效率的電源設計要點,包括可靠性,器件選擇等等。

講師介紹

傅力行——德州儀器氮化鎵 (GaN)產品線的系統工程師

擁有多年的關于氮化鎵和碳化硅器件應用的經驗,，現在工作的重點是德州儀器最新的氮化鎵功率芯片的研發(fā)和應用，以及高效率高密度電源解決方案,。碩士畢業(yè)于美國俄亥俄州立大學電子和計算機工程專業(yè),。

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