磁控濺射

磁控濺射是物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬,、半導(dǎo)體,、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單,、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，而上世紀(jì) 70 年代發(fā)展起來(lái)的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速,、低溫、低損傷,。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射,，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng),，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率,。

磁控濺射定義

在二極濺射中增加一個(gè)平行于靶表面的封閉磁場(chǎng)，借助于靶表面上形成的正交電磁場(chǎng),，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域來(lái)增強(qiáng)電離效率,，增加離子密度和能量，從而實(shí)現(xiàn)高速率濺射的過(guò)程,。

磁控濺射原理

磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下,，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子,；新電子飛向基片,，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射,。在濺射粒子中,，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用,，產(chǎn)生E（電場(chǎng)）×B（磁場(chǎng)）所指的方向漂移,，簡(jiǎn)稱(chēng)E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線(xiàn),。若為環(huán)形磁場(chǎng),，則電子就以近似擺線(xiàn)形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng),，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來(lái)轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率,。隨著碰撞次數(shù)的增加,，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面,，并在電場(chǎng)E的作用下最終沉積在基片上,。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小,，致使基片溫升較低,。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過(guò)程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過(guò)程,，和靶原子碰撞,，把部分動(dòng)量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞,，形成級(jí)聯(lián)過(guò)程,。在這種級(jí)聯(lián)過(guò)程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量，離開(kāi)靶被濺射出來(lái),。

磁控濺射種類(lèi)

磁控濺射包括很多種類(lèi),。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用,，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行,，從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材,。

靶源分平衡和非平衡式,，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜,，非平衡多用于磨損裝飾膜,。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)和非平衡磁控陰極,。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等,，兩極磁力線(xiàn)閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近,，增加碰撞幾率，提高了離化效率,，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電,，靶材利用率相對(duì)較高，但由于電子沿磁力線(xiàn)運(yùn)動(dòng)主要閉合于靶面,，基片區(qū)域所受離子轟擊較小.非平衡磁控濺射技術(shù)概念,，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極，兩極磁力線(xiàn)在靶面不完全閉合,，部分磁力線(xiàn)可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域,，從而部分電子可以沿著磁力線(xiàn)擴(kuò)展到基片，增加基片區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率.不管平衡非平衡,，若磁鐵靜止,，其磁場(chǎng)特性決定一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率,，可采用旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng),。但旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)需要旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，同時(shí)濺射速率要減小,。旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)多用于大型或貴重靶,。如半導(dǎo)體膜濺射。對(duì)于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備,，多用磁場(chǎng)靜止靶源,。用磁控靶源濺射金屬和合金很容易，點(diǎn)火和濺射很方便,。這是因?yàn)榘校帢O）,，等離子體，和被濺零件/真空腔體可形成回路,。但若濺射絕緣體如陶瓷則回路斷了,。于是人們采用高頻電源，回路中加入很強(qiáng)的電容,。這樣在絕緣回路中靶材成了一個(gè)電容,。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時(shí)接地技術(shù)很復(fù)雜,，因而難大規(guī)模采用,。為解決此問(wèn)題，發(fā)明了磁控反應(yīng)濺射,。就是用金屬靶,，加入氬氣和反應(yīng)氣體如氮?dú)饣蜓鯕狻．?dāng)金屬靶材撞向零件時(shí)由于能量轉(zhuǎn)化,，與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物,。磁控反應(yīng)濺射絕緣體看似容易，而實(shí)際操作困難,。主要問(wèn)題是反應(yīng)不光發(fā)生在零件表面,，也發(fā)生在陽(yáng)極，真空腔體表面,，以及靶源表面,。從而引起滅火，靶源和工件表面起弧等,。德國(guó)萊寶發(fā)明的孿生靶源技術(shù),，很好的解決了這個(gè)問(wèn)題。其原理是一對(duì)靶源互相為陰陽(yáng)極,，從而消除陽(yáng)極表面氧化或氮化,。冷卻是一切源（磁控，多弧,，離子）所必需,，因?yàn)槟芰亢艽笠徊糠洲D(zhuǎn)為熱量，若無(wú)冷卻或冷卻不足,，這種熱量將使靶源溫度達(dá)一千度以上從而溶化整個(gè)靶源,。