近年來，士蘭微逐步布局第三代化合物功率半導(dǎo)體,。2017年,，士蘭微打通一條6英寸的硅基氮化鎵功率器件中試線。2018年10月,，士蘭微廈門12英寸芯片生產(chǎn)線暨先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線開工,，其中4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線總投資50億元，定位為第三代功率半導(dǎo)體,、光通訊器件,、高端LED芯片等。

耐威科技：

7月5日,，耐威科技公告稱,，公司與青島市即墨區(qū)人民政府、青島城市建設(shè)投資（集團(tuán)）有限責(zé)任公司在2018年國際集成電路產(chǎn)業(yè)投資（青島）峰會(huì)上簽署《合作框架協(xié)議書》,。耐威科技發(fā)力第三代半導(dǎo)體材料,，其氮化鎵材料項(xiàng)目宣布簽約青島。

今年5月24日,，耐威科技宣布與袁理先生,、青島海絲民和半導(dǎo)體投資中心（有限合伙）、青島民芯投資中心（有限合伙）共同投資設(shè)立兩家控股子公司——聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司與青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司,，耐威科技分別持股35%,、40%。

兩家控股子公司業(yè)務(wù)均與氮化鎵（GaN）相關(guān)：聚能創(chuàng)芯主要從事功率與微波器件,，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設(shè)計(jì),、開發(fā)；聚能晶源主要從事半導(dǎo)體材料,，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設(shè)計(jì),、開發(fā)、生產(chǎn),。

耐威科技表示,，這次合作有利于公司加快第三代半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設(shè)計(jì),、開發(fā),、生產(chǎn)進(jìn)度,；有利于公司把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇，盡快拓展相關(guān)材料在國防裝備,、航空電子,、5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的推廣應(yīng)用,；有利于公司以傳感為核心所進(jìn)行的“材料-芯片-器件-系統(tǒng)-應(yīng)用”的全面布局,。耐威科技緊密圍繞軍工電子、物聯(lián)網(wǎng)兩大產(chǎn)業(yè)鏈,，一方面大力發(fā)展導(dǎo)航,、MEMS、航空電子三大核心業(yè)務(wù),，一方面積極布局無人系統(tǒng),、智能制造等潛力業(yè)務(wù)，主要產(chǎn)品及業(yè)務(wù)包括軍/民用導(dǎo)航系統(tǒng)及器件,、MEMS芯片的工藝開發(fā)及晶圓制造,、航空電子系統(tǒng)等。

三安光電：

美國加利福尼亞州森尼韋爾, June 24, 2019 (GLOBE NEWSWIRE) -- 三安集成電路有限公司(簡稱三安集成),，一個(gè)擁有化合物半導(dǎo)體晶圓鑄造先進(jìn)技術(shù)平臺(tái)代工廠今日宣布,，運(yùn)用于最新高壓AC/DC和DC/AC電力電子領(lǐng)域的150mn硅基氮化鎵(GaN)代工服務(wù)正式面向全球市場(chǎng)。三安集成的新G06P111是650V增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)GaN過程增加了公司的電力電子晶片鑄造組合的寬帶化合物半導(dǎo)體(銀行),包括100毫米和150毫米碳化硅(SiC)高壓肖特基勢(shì)壘二極管(作為),。憑借其多年在LED領(lǐng)域氮化鎵量產(chǎn)制造經(jīng)驗(yàn)的母公司三安光電股份有限公司, 三安集成能夠補(bǔ)充與內(nèi)部金屬的鑄造服務(wù)增長能力的高電壓、低泄漏硅基氮化鎵外延晶片高一致性,。

三安集成總經(jīng)理助理陳文欣表示,，公司發(fā)布650V GaN E-HEMT工藝是對(duì)于先進(jìn)化合物半導(dǎo)體制造業(yè)全球市場(chǎng)代工服務(wù)的承諾。我們認(rèn)為硅基氮化鎵是今天高電壓,、大功率電力電子行業(yè)以碳化硅為主的寬帶半導(dǎo)體的主要補(bǔ)充技術(shù),。器件供應(yīng)商和系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在傳統(tǒng)遷移到寬禁帶半導(dǎo)體硅增強(qiáng)性能、效率和可靠性高功率模擬設(shè)計(jì),。三安集成也將成功服務(wù)于這個(gè)高速增長,、大規(guī)模的電力電子市場(chǎng)。

公司的G06P11 硅基氮化鎵工藝,，通過JEDEC的工藝可靠性標(biāo)準(zhǔn),，能夠提供650V E-mode FETS的器件結(jié)構(gòu)，并且支持漏源通路狀態(tài)從50m?到400m?電阻范圍,。工程上能夠低泄漏,、低柵極電荷、高電流密度和低動(dòng)態(tài)特定阻力(Rsp),，這能夠使超高速開關(guān)緊湊設(shè)計(jì)在高溫狀態(tài)中操作,。在今年晚些時(shí)候公司將推出200V的氮化鎵E-HEMT工藝以及第二代碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管與肖特基二極管結(jié)構(gòu)相結(jié)合的工藝,。