在互聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展的今天,，無論是辦公還是學(xué)習(xí)娛樂,，電腦都起著極為重要的作用。但是在我們使用電腦的過程中,，尤其是在游戲或者工作的關(guān)鍵時刻,，一旦遇到電腦卡頓或者反應(yīng)慢，內(nèi)心無疑是崩潰的,。

這個時候很多電腦小白會通過關(guān)機(jī)重啟的方式來結(jié)束這場糟糕的體驗(yàn),，但是強(qiáng)制關(guān)機(jī)不僅對電腦傷害極大，對我們的一些未及時保存的數(shù)據(jù)也是災(zāi)難性的,。

想要杜絕這種情況以后繼續(xù)發(fā)生,，是時候得采取一些有效措施了。絕大部分人通過加裝內(nèi)存條來給電腦提速,，很多電腦小白不禁要發(fā)問了,，加個內(nèi)存條真的有用嗎？下面我們就一起來具體了解下有關(guān)內(nèi)存條的知識,。

【內(nèi)存是什么,？】

內(nèi)存條是電腦內(nèi)部非常重要的硬件之一，它主要是負(fù)責(zé)硬盤,、主板,、顯卡等硬件與處理器之間數(shù)據(jù)的交換處理，所有的電腦數(shù)據(jù)傳輸?shù)教幚砥鞫际且?jīng)過內(nèi)存這個環(huán)節(jié),。所以,，當(dāng)內(nèi)存的性能不夠優(yōu)秀時，就會影響數(shù)據(jù)的讀取效果，也就是我們在打開網(wǎng)頁時出現(xiàn)的一系列卡頓問題,。

【內(nèi)存條的發(fā)展史】

在80286主板發(fā)布之前,，內(nèi)存并沒有被世人所重視，這個時候的內(nèi)存是直接固化在主板上,，而且容量只有64 ～256KB,，對于當(dāng)時PC所運(yùn)行的工作程序來說，這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿足當(dāng)時軟件程序的處理需要,。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現(xiàn),，程序和硬件對內(nèi)存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴(kuò)大容量,，內(nèi)存必須以獨(dú)立的封裝形式出現(xiàn),，因而誕生了“內(nèi)存條”概念。

在80286主板剛推出的時候,，內(nèi)存條采用了了SIMM（單邊接觸內(nèi)存模組）接口,，容量為30pin、256kb,，但是后來隨著PC產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,，內(nèi)存條由30pin到72pin一路高歌猛進(jìn)終于在1991年—1995 年中,，內(nèi)存條的發(fā)展開始放緩,。

自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后，EDO DRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了,，內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求,，此時內(nèi)存開始進(jìn)入比較經(jīng)典的SDRAM時代。但是在CPU主頻在不斷提升的情況下,，SDRAM也很快退出了歷史舞臺,，DDR內(nèi)存登場。如今,，DDR內(nèi)存也已經(jīng)經(jīng)過了四代的發(fā)展,，性能大幅提升，更高的讀取效率和穩(wěn)定性成了內(nèi)存新的使命,。

【DDR內(nèi)存應(yīng)該怎么挑,？】

1，了解基礎(chǔ)參數(shù)

在內(nèi)存的基礎(chǔ)參數(shù)里面,，內(nèi)存容量,、頻率及電壓最為關(guān)鍵，優(yōu)秀的基礎(chǔ)參數(shù),，對于電腦性能的提升有著極為重要的幫助,。下面我們就分別來了解下，它們各自都能發(fā)揮什么作用。

▲內(nèi)存容量

內(nèi)存容量即內(nèi)存條的存儲容量,，是內(nèi)存條的關(guān)鍵性參數(shù),。內(nèi)存容量越大，可用于暫放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù),，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)也就越多,，系統(tǒng)也就運(yùn)行的越穩(wěn)定和流暢。

內(nèi)存容量以MB作為單位,，可以簡寫為M,，早期的內(nèi)存容量普遍都是128MB、256MB,、512MB等,，但是隨著我們對硬件的計算能力要求更高，內(nèi)存容量也越來越大,，現(xiàn)在常用GB作為單位,，1024M=1G。如今的電腦主流采用的內(nèi)存容量主要有2G,、4G,、8G三種。

我們在挑選內(nèi)存條的容量時,，首先需要了解自己電腦系統(tǒng)配置和卡槽情況,，合理的選擇容量大小。現(xiàn)在最低都是4G,，組雙通道8G是主流,。如果你的電腦配置不是很高，平時主要是看些視頻,，一般4G單根就夠用了,。經(jīng)常玩一些大型游戲的話，還是選擇8G的容量吧,。

▲內(nèi)存頻率

內(nèi)存頻率和cpu主頻一樣,，都是代表著硬件所能達(dá)到的最高工作頻率，以MHz（兆赫）為單位,。這個數(shù)值通常被用來表述內(nèi)存的速度,。

因此，內(nèi)存頻率越高,，一定程度上表明內(nèi)存運(yùn)行速度越快,，電腦處理數(shù)據(jù)的能力也就越高。

正常使用的話,，2000MHz以上的內(nèi)存頻率基本夠用,。但是需要注意加裝多條不同頻率的內(nèi)存條時,，高頻率會被低頻率的內(nèi)存條拉低。比如一臺電腦上同時插有800MHZ和1066MHZ的兩條內(nèi)存條,，那么電腦只會以較低的頻率運(yùn)行,，就是會保持800MHZ的速度，性能上有些折損,。因此,，盡量選擇與原先同頻率的內(nèi)存條，或者同時更換高頻的,。

▲內(nèi)存電壓

內(nèi)存電壓,，即內(nèi)存的工作電壓，通常1.5V為內(nèi)存電壓的標(biāo)準(zhǔn)電壓,。1.5V以下的,，比如1.35V、1.2V為低電壓,。低電壓內(nèi)存更具優(yōu)勢,，主要是功耗小、發(fā)熱量也低,，但是性能卻與標(biāo)準(zhǔn)電壓版內(nèi)存一樣,，內(nèi)存頻率也不會降低。

因此,，如果你原本的內(nèi)存就是低壓的內(nèi)存,，建議大家在加裝內(nèi)存條時，仍可以選擇低電壓內(nèi)存,，組成雙通道,，可以使功耗，發(fā)熱更低,。對于本身是標(biāo)壓的內(nèi)存，即使可以兼容標(biāo)壓和低壓的內(nèi)存,，但是為了減少使用的風(fēng)險,，還是建議使用相同電壓的內(nèi)存會比較合適。

2,，關(guān)注內(nèi)存版本

但是隨著硬件需求的不斷提高,，DDR內(nèi)存也歷經(jīng)了四代的發(fā)展，主要的標(biāo)記符號是DDR+數(shù)字,，每代的版本性能各不相同,，下面我們就來仔細(xì)地了解下各代DDR內(nèi)存的具體情況。

▲DDR

第一代的DDR內(nèi)存可以說是SDRAM的升級版本,，在數(shù)據(jù)傳輸上,，可以做到同時在一個周期內(nèi)進(jìn)行兩次的數(shù)據(jù)傳輸，大大提高了當(dāng)時電腦數(shù)據(jù)傳輸?shù)男阅堋Ｓ捎谶@種雙倍的特性,，在標(biāo)記DDR內(nèi)存的頻率時也是采用雙倍的方式,，比如原本100MHz的頻率在標(biāo)記頻率時就成了200MHz。

同時第一代的DDR內(nèi)存有184個針腳,，工作電壓為2.5V,，數(shù)據(jù)讀預(yù)取能力為2bit，大多采用了下降緣信號,，因此比起SDR內(nèi)存,，速率增加的同時不會造成能耗增加。

▲DDR2

DDR2采用了在時鐘的上升,、下降同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，相比DDR擁有兩倍預(yù)讀取能力，即4bit,。在基礎(chǔ)頻率上,，相較第一代整體提升了2倍，頻率有400 ,、566,、 667 、800 ,、1066MHz幾種,。具備240個針腳，工作電壓為1.8V,。

另外,，DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式,，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,。

▲DDR3

DDR3內(nèi)存為雙信道三次同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存，數(shù)據(jù)讀預(yù)取能力進(jìn)一步提升至8 bits為一組,。由于最快的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz,、1066Mhz的水平，因而DDR3的內(nèi)存模組一經(jīng)發(fā)布就是直接從800Mhz開始起跳,。

主要頻率有1066 ,、1333、 1600,、 1800 ,、1866 、2000 ,、2133 ,、2200 ,、2400MHz等。相當(dāng)于整體的基礎(chǔ)頻率提升了一個檔次水平,，可見其性能強(qiáng)悍,。此外，DDR3 的規(guī)格要求將電壓控制在1.5V,，較DDR2的1.8V更為省電,。DDR3也新增ASR（AutomaTIc Self-Refresh）、SRT（Self-Refresh Temperature）等兩種功能,，讓內(nèi)存在休眠時也能夠隨著溫度變化去控制對內(nèi)存顆粒的充電頻率,，以確保系統(tǒng)數(shù)據(jù)的完整性。

▲DDR4

DDR4 新增了4 個Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計,，各個Bank Group具備獨(dú)立啟動操作讀,、寫等動作特性，我們可以理解為DDR4 在同一頻率工作周期內(nèi),，至多可以處理4 筆數(shù)據(jù),，效率明顯好過于DDR3。

另外,，在供電電壓上,，DDR4進(jìn)一步降低至1.2V，搭配更高的帶寬,，讓DDR4的傳輸速率可達(dá)2133～3600 MT/s,。而且，在DBI,、CRC,、CA parity等功能的作用下，DDR4內(nèi)存明顯增強(qiáng)了信號的完整性,、改善數(shù)據(jù)傳輸及儲存的可靠性,。

綜合而言，我們在介紹了每代DDR內(nèi)存后,，大家可以明顯感覺到一個特點(diǎn)：一代比一代強(qiáng),。無論是主頻率還是數(shù)據(jù)讀取能力都是在逐漸上臺階，同時功耗逐漸下降,。但是由于不同版本的內(nèi)存價格也相差較大，大家可以根據(jù)自己對性能的要求,，選擇適合自己的即可,。建議首選三代或四代的產(chǎn)品，這樣電腦性能也能發(fā)揮的更出色,。

看內(nèi)存顆粒

內(nèi)存顆粒是內(nèi)存條重要的組成部分,，它的品質(zhì)好壞對內(nèi)存模組質(zhì)量的影響幾乎是舉足輕重的,。好的內(nèi)存顆粒將直接關(guān)系到內(nèi)存容量的大小和內(nèi)存體制的好壞。所以,，我們在挑內(nèi)存時,，如果其他參數(shù)都滿足的情況下，不具備優(yōu)良的顆粒這個條件,，也是無法發(fā)揮參數(shù)上標(biāo)注的全部性能的,。

我們在區(qū)分優(yōu)秀的內(nèi)存顆粒時，主要是通過品牌來區(qū)分的,。優(yōu)秀的內(nèi)存顆粒,，是需要在嚴(yán)苛的條件(恒溫、恒濕,，不得斷水,、斷電)下，經(jīng)過長達(dá)數(shù)個月的物理,、化學(xué),、光電反應(yīng)后，一塊合格的晶圓硅片才得以順利誕生,。

然后在復(fù)雜,、精密的高分子切割過程中，只有少部分效能質(zhì)量最好的中間精華部分被保留下來,，然后對這些精華進(jìn)行封裝,。封裝結(jié)束后，需要?dú)v經(jīng)最后一道嚴(yán)格的測試環(huán)節(jié),，以此來保證顆粒的兼容性(顆粒兼容性決定了內(nèi)存的兼容性)和耐用性(顆粒耐用性決定了內(nèi)存的超頻能力和使用壽命),。

所以，如此精密的工藝制造過程,，不容許出現(xiàn)一點(diǎn)差池,，只有有實(shí)力的大牌廠商才能做得到。目前在內(nèi)存市場,，份額比較大的是三星,、鎂光和海力士，相對的顆粒穩(wěn)定性也比較高,。我們在選購時,，需要認(rèn)準(zhǔn)這些知名的閃存顆粒品牌即可。

需要注意的是,，不同廠商的內(nèi)存顆粒,，都有自己的標(biāo)志，我們看內(nèi)存顆粒時,，一定要仔細(xì)觀察顆粒上原廠標(biāo)志是否清晰,、是否有磨過的痕跡來辨別真?zhèn)巍?br>