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每輛電動車多賺248美元,功率半導體火了,!

 leafcho 2019-04-20
每輛電動車多賺248美元,,功率半導體火了!

智東西(公眾號:zhidxcom)編 | 司北

根據(jù)國際半導體巨頭英飛凌統(tǒng)計,,一輛傳統(tǒng)燃料汽車的電機驅動系統(tǒng)中功率半導體的價值為17美元,,而一輛純電動汽車中價值為265美元,增加了近15倍,。新能源汽車為功率半導體帶來了極大的增長潛力,。

本期的智能內參,我們推薦來自天風證券的功率半導體行業(yè)報告,,介紹了在新能源電動車熱潮中,,功率半導體行業(yè)的全球格局與市場新機遇。如果想收藏本文的報告(天風證券-電子行業(yè):“技術推進+應用驅動”,,功率半導體迎來新一輪發(fā)展機遇),,可以在智東西頭條號回復關鍵詞“nc352”獲取

以下為智能內參整理呈現(xiàn)的干貨:

一,、功率半導體:電能轉換核心器件

功率半導體器件是實現(xiàn)電能轉換的核心器件,,廣泛應用于消費電子、新能源交通,、軌道交通,、發(fā)電與配電等電力電子領域,。

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根據(jù)載流子類型,,功率半導體可以分為雙極型功率半導體和單極型功率半導體。

雙極型功率半導體包括功率二極管,、雙極結型晶體管(BJT),、電力晶體管(GTR)、晶閘管,、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等,。

單極型功率半導體包括功率MOSFET、肖特基勢壘功率二極管等,。

從市場格局來看,,目前國外功率半導體廠商制造水平較高,已經形成了較高的專業(yè)壁壘,。

歐美日廠商憑借其技術和品牌優(yōu)勢,,占據(jù)了全球功率半導體器件市場的70%。其中,,英飛凌器以18.6%的市場占有率排名世界第一(2017年英飛凌財報數(shù)據(jù)),。

我國開展功率半導體的研究工作比較晚,目前大陸,、臺灣地區(qū)主要集中在二極管,、低壓MOSFET等低端功率器件市場,IGBT,、中高壓MOSFET等高端器件市場主要由歐美日廠商占據(jù),。

不過,國際功率半導體廠商尚未形成專利和標準的壟斷,。相比國外廠商,,國內廠商在服務客戶需求、降低成本等方面具有競爭優(yōu)勢,。

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根據(jù)中商產業(yè)研究院數(shù)據(jù),,2022年全球功率半導體市場規(guī)模將達426億美元,,其中國產代替空間十分廣闊。

二,、電動汽車崛起,,點燃全球功率半導體市場

功率半導體是電動汽車的重要部件,比如特斯拉Model S車型使用的三相異步電機驅動,其中每一相的驅動控制都需要使用28顆IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片,,三相共需要使用84顆IGBT芯片,。

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因此,,新能源汽車產業(yè)的崛起為功率半導體帶來了極大的增長潛力。電機控制系統(tǒng)和充電樁是車用IGBT的主要增長點,。

IGBT在電力驅動系統(tǒng)中屬于逆變器模塊,,將動力電池的直流電逆變成交流電提供給驅動電動機。

IGBT約占新能源汽車電機驅動系統(tǒng)及車載充電系統(tǒng)成本的40%,,折合到整車上約占總成本的7~10%,其性能直接決定了整車的能源利用率,。

1,、IGBT:硅基功率半導體核心

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,。

IGBT可以實現(xiàn)直流電和交流電之間的轉化或者改變電流的頻率,有逆變和變頻的作用,。

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在結構方面,,IGBT比MOSFET(金氧半場效晶體管)多一層P+區(qū),,通過P層空穴的注入能夠降低器件的導通電阻。

隨著電壓的增大,,MOSFET的導通電阻也變大,,因而其傳導損耗比較大,尤其是在高壓應用場合中,。相較而言,,IGBT的導通電阻較小。

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IGBT多應用于高壓領域,MOSFET主要應用在高頻領域,。IGBT集中應用在逆變器,、變頻器等高壓產品;而MOSFET主要應用在鎮(zhèn)流器,、高頻感應加熱等高頻產品,。

2、IGBT市場格局

按電壓分布來看,消費電子領域運用的IGBT產品主要在600V以下,,如數(shù)碼相機閃光燈等,。1200V以上的IGBT多用于電力設備、汽車電子,、高鐵及動車中,。動車組常用的IGBT模塊為3300V和6500V。智能電網(wǎng)使用的IGBT通常為3300V,。

全球IGBT市場主要競爭者包括德國英飛凌,、日本三菱、富士電機,、美國安森美,、瑞士ABB等,前五大企業(yè)的市場份額超過70%,。

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目前國外廠商已研發(fā)出完善的IGBT產品系列:其中,,仙童等企業(yè)在消費級IGBT領域處于優(yōu)勢地位,。

ABB、英飛凌和三菱電機在1700V以上的工業(yè)級IGBT領域占據(jù)優(yōu)勢,。

在3300V以上電壓等級的領域,,英飛凌、ABB和三菱電機三家公司居壟斷地位,,代表著國際IGBT技術的最高水平,。

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國產追趕仍需時間,。中國功率半導體市場占世界功率半導體市場份額的50%以上,但在中高端MOSFET及IGBT器件中,,90%依賴于進口,。

三、第三代化合物半導體——前景廣闊,,產業(yè)變革

1,、碳化硅SiC:高壓器件領域的破局者

而在功率半導體材料方面,SiC(碳化硅)是第三代半導體材料的代表,。相較于Si(硅),,SiC能降低更多能量損耗、更易實現(xiàn)小型化,、更耐高溫,。

SiC主要應用在光伏逆變器(PV),、儲能/電池充電、不間斷電源(UPS),、開關電源(SMPS),、工業(yè)驅動器及醫(yī)療等市場,它可以用于實現(xiàn)電動車逆變器等驅動系統(tǒng)的小量輕化,。

2017年全球SiC功率半導體市場總額達3.99億美元,。預計到2023年市場總額將達16.44億美元,年復合增長率26.6%,。從應用來看,,混合動力和純電動汽車的增長率最高,達81.4%,。

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目前,,英飛凌和科銳占據(jù)了全球SiC市場的70%,。

羅姆公司在本田的Clarity上搭載了SiC功率器件,Clarity是世界首次用Full SiC驅動的燃料電動車,,由于具有高溫下動作和低損耗等特點,可以縮小用于冷卻的散熱片,,擴大內部空間,。豐田的燃料車MIRAI可以坐4個人,本田的Clarity實現(xiàn)了5人座,。

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在國家政策方面,,目前我國正在大力推動第三代半導體產業(yè)彎道超車,。2018年7,月國內首個《第三代半導體電力電子技術路線圖》正式發(fā)布,,提出了中國第三代半導體電力電子技術的發(fā)展路徑及產業(yè)建設,。

2、氮化鎵GaN:手機快充占最大份額,,5G射頻迎來發(fā)展機遇

除了SiC之外,,GaN(氮化鎵)也是是第三代半導體材料的代表。

GaN器件可以分為射頻器件和電力電子器件,,其中電力電子器件產品包括SBD,、FET等面向無線充電、電源開關等市場,;射頻器件則包括PA,、MIMO等面向基站衛(wèi)星、雷達市場。

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目前,手機快速充電占據(jù)功率GaN市場的最大份額,。但隨著5G應用的臨近,,GaN射頻器件市場也正在處于快速發(fā)展階段。

GaN應用于充電器時可以有效縮小產品的尺寸,。目前市面上的GaN充電器支持USB快充,,以27W、30W和45W功率居多,。Apple也考慮將GaN技術作為其無線充電解決方案,,這有可能帶來GaN功率器件市場的殺手級應用。

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要想滿足5G對于更高數(shù)據(jù)傳輸速率和低延遲的要求,需要GaN技術來實現(xiàn)更高的目標頻率,。利用GaN的小尺寸和功率密度高的特點可以實現(xiàn)高度集成化的產品解決方案,,如模塊化射頻前端器件,滿足5G關鍵技術MassiveMIMO的需求,。

目前,,英飛凌、安森美和意法半導體是全球GaN市場的行業(yè)巨頭,。

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根據(jù)Maximize Market研究數(shù)據(jù),,預計到2026年全球GaN功率器件市場規(guī)模將達到4.4億美元,,復合年增長率29.4%。

近年來越來越多的公司加入GaN的產業(yè)鏈,。如初創(chuàng)公司EPC,、GaN System、Transphorm等,。它們大多選擇臺積電或X-FAB為代工伙伴,。行業(yè)巨頭如英飛凌、安森美和意法半導體等則采用IDM模式,。

四,、全球格局:產業(yè)巨頭優(yōu)勢明顯

2017年全球功率分立器件和模塊市場總額達186億美元。其中,,英飛凌以18.6%的市場份額排名第一,。第二為安森美,,第三為意法半導體。

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而在細分領域方面:2017年全球功率分立IGBT市場總額達11億美元。其中,,英飛凌以38.5%的市場份額排名第一,,第二為富士電機。2017年全球功率分立MOSFET市場總額達66.5億美元,。其中,,英飛凌以26.3%的市場份額排名第一。第二為安森美,。

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2017年全球功率器件市場中恩智浦的營業(yè)收入排名第一,。營業(yè)收入60.48億元,,凈利潤14.47億元,凈利率0.24,。英飛凌排名第二,,營業(yè)收入55.26億元,凈利潤6.19億元,,凈利率0.11,。

各功率器件廠商都有其獨特的優(yōu)勢產品。安森美是第一大汽車圖像傳感器企業(yè),。在全球ADAS市場中,安森美的圖像傳感器占據(jù)了70%的市場份額,。微控制器和SoC是瑞薩電子的主要產品,。瑞薩電子在全球微控制器市場中占據(jù)領先地位。

智東西認為,,汽車電子由于其市場廣闊,、體量巨大,一直都是半導體廠商們的兵家必爭之地,。而隨著當前新能源汽車產業(yè)浪潮在全球領域的興盛與崛起,,功率半導體——這一電動汽車關鍵零部件——則更是迎來了一次前所未有的時代新機遇。報告中提及的IGBT與SiC/GaN三代化合物半導體功率器件,,有望成為這一輪功率半導體浪潮中的行業(yè)引領者,,在技術推進和應用驅動下迎來一波新的發(fā)展機遇。

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