MOS為電壓控制電流的模式,，BJT（三極管）為電流控制電流,，因此MOS相比于BJT更常用一些。

最近一個(gè)項(xiàng)目用到了PMOS+NMOS作為開機(jī)信號,，開機(jī)要求為高電平開機(jī),，最小電壓為1.8V，耐壓可達(dá)17V，為使可靠,，選擇5V左右（14V4通過100K和56K分壓,，設(shè)計(jì)者是這么想的）。但生產(chǎn)時(shí)發(fā)現(xiàn)此開機(jī)按鍵并不起作用,，表現(xiàn)為按下開機(jī)按鍵和不按開機(jī)按鍵都是不開機(jī),。

說明：此處開機(jī)按鍵為撥動(dòng)開關(guān)，按下時(shí)不開機(jī),，說明輸出并不是高電平,。

按下按鍵：通過萬用表測量，發(fā)現(xiàn)前端PNP三極管的E極電壓只有1V多一點(diǎn),。C極0.17V,R148前端14.4V正常,。

實(shí)際電路如下：

畫出其大概的等效電路，如上圖草圖,，如不考慮三極管和NMOS導(dǎo)通時(shí)的壓降,，三極管C極電壓應(yīng)該為14.4x(1.5/100||1.5)=0.22V.但實(shí)際為0.17V左右。

查閱芯片CJX3439K手冊如上（NMOS和PMOS參數(shù)對稱）,，開啟電壓VGS最大為1.1V,，最小為0.35V，而此NMOS G極電壓為14.4與R105|R27分壓的值,，為5.2V,，因此NMOS完全導(dǎo)通。由于三極管VCE=1.13-0.17,，約為1V,，此時(shí)三極管并未導(dǎo)通,，處于放大狀態(tài),，此時(shí)PMOS VGS<-0.17V，比最小開啟電壓0.35V還小,，因此此時(shí)P-MOS處于關(guān)閉狀態(tài),，所以R32=1.5K太小是導(dǎo)致此問題出現(xiàn)的原因，將R32換做100K后開機(jī)正常,，PMOS良好導(dǎo)通,，此時(shí)P-MOS G極電壓為1.93V，實(shí)際測量值見上圖,。

三極管及MOS參數(shù)如下圖：

此電路的優(yōu)化：

整理整個(gè)電路的思路：要求低電平開機(jī),，即：按鍵按下時(shí)接地，整個(gè)開關(guān)電路輸出為高電平,，也即常用的反相器的作用,。用一個(gè)PNP BJT或一個(gè)P-MOS即可實(shí)現(xiàn)，但此電路多余了一個(gè)NPN+PNP，有點(diǎn)冗余,，考慮設(shè)計(jì)時(shí)還接入了遠(yuǎn)程開機(jī)方案,，必須使用N-MOS+P-MOS（遠(yuǎn)程開機(jī)為高電平起作用），因此應(yīng)保留P-MOS,，修改后的電路如下：