一、功率場效應(yīng)晶體管對柵極驅(qū)動電路的要求主要有：

1,、觸發(fā)脈沖須具有足夠快的上升和下降速度,，脈沖前后沿要陡峭。

2,、開通時,，以低電阻對柵極電容充電，關(guān)斷時為柵極電荷提供低電阻放電回路,，以提高功率MOSFET的開關(guān)速度,。

3、為了使功率MOSFET可靠觸發(fā)導(dǎo)通,，柵極驅(qū)動電壓應(yīng)高于器件的開啟電壓,，為了防止誤導(dǎo)通，在功率MOSFET截止時最好能提供負的柵-源電壓,。

4,、功率,MOSFET開關(guān)時所需的驅(qū)動電流為柵極電容的充放電電流，為了使開關(guān)

波形有足夠的上升和下降陡度,，驅(qū)動電流要大,。

二,、過電壓保護主要有：

1、防止柵-源過電壓,。如果柵-源間的阻抗過高,，則漏-源間電壓的突變會通過

極間電容耦合到柵極而產(chǎn)生相當高的柵-源尖峰電壓。這一電壓會使柵!源氧化層擊穿,，造成永久性損壞,。如果是正方向的Vgs瞬態(tài)電壓，還會引起器件的誤導(dǎo)通,，導(dǎo)致該器件或電路其它器件產(chǎn)生瞬態(tài)電流過載,。解決的辦法是適當降低柵極驅(qū)動電路的阻抗，在柵-源間并接阻尼電阻,，或并接約20V 的齊納二極管,，尤其要防止柵極開路工作。

2,、防止開關(guān)過程的漏-源過電壓,。如果器件接有感性負載，則當器件關(guān)斷時,，漏極電流的突變（di/dt）會產(chǎn)生比外電源還高的漏極尖峰電壓,，導(dǎo)致器件擊穿。功率MOSFET關(guān)斷得越快,，產(chǎn)生的過電壓越高,。為此，需在MOSFET中設(shè)置保護電路來吸收浪涌電壓,。解決方法一般為加入RC緩沖電路和感性負載的二極管箝位電路,。

發(fā)生短路時，功率MOSFET漏-源電流迅速增加并超過額定值,，此時由于在功率MOSFET上加了高電壓,、大電流，必須在過流極限值所規(guī)定的時間內(nèi)關(guān)斷功率MOSFET,，否則器件將被燒毀,。