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原理圖的EMC設(shè)計(jì)

 xingwangjy 2018-12-25

1 整機(jī)原理圖設(shè)計(jì)時(shí)各功能電路要區(qū)分明確,,以便于電路分析,。

 

2 各部分是否盡量使用更低速的器件?(如74HC14 的Tr=Tf=6ns 而74AHC14 的Tr=Tf≤3ns,,這時(shí)我們就要考慮盡量選用74HC14 而不是74AHC14.)

 

3 對(duì)DVD 機(jī)芯的干擾是否有EMI 對(duì)策,,原理圖上要明確標(biāo)注。

     解釋說(shuō)明:DVD 機(jī)芯的干擾主要是激光頭電路本身產(chǎn)生的干擾(不同廠家的機(jī)芯干擾程度不一樣),,激光頭的干擾通過(guò)較長(zhǎng)的激光頭扁平線形成天線輻射,,所以要在電路上加小電容減少扁平線的天線效應(yīng),如下圖,。

 

4 DVD 機(jī)芯電源要有EMI 對(duì)策,不但要明確標(biāo)注而且要注明Layout  時(shí)的放置位置,。

     解釋說(shuō)明:由于激光頭讀取信息時(shí)電源瞬間變化所產(chǎn)生的干擾很大,。機(jī)芯電源要求就近有能提供瞬態(tài)電流的電容。如下圖虛線框內(nèi)的EMI 對(duì)策,,有的機(jī)芯電路有好幾個(gè)電源,,每個(gè)電源都要有電容濾波,至少要有一個(gè)102---104 的電容,。

 

5 原理圖上要標(biāo)注各功能塊的工作電壓,,尤其是時(shí)鐘信號(hào)工作頻率要描述清楚?(如:解碼芯片,、RAM 芯片,、DC/DC等)

     解釋說(shuō)明:原理圖上標(biāo)注清楚工作電壓和信號(hào)頻率不但有利于原理圖的評(píng)審,對(duì)PCBLayout 也有很大的指導(dǎo)作用,。

 

6 對(duì)于干擾較大的3,、5 次諧波頻率在230MHz 左右的時(shí)鐘頻率能否調(diào)整?(要求F3,、F5>230MHz+20MHz)

     解釋說(shuō)明:因?yàn)镃E 輻射測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)里有兩個(gè)頻率段(30MHz----230MHz 和230MHz---1GHz),,高段比低段要求低7dB。在EMC 整改時(shí)要降7DB 需要增加很多對(duì)策,尤其是針對(duì)LCD 屏的干擾,,我們很難對(duì)屏進(jìn)行處理,。 如下圖有一個(gè)時(shí)鐘的諧波在225MHz 左右超標(biāo)6db。如果時(shí)鐘頻率稍改大一點(diǎn)使其落在230MHz 以后,,那么EMC 整改就容易多了,。所以如果時(shí)鐘頻率能調(diào)的話,就盡量使干擾較大的頻率其3,、5 次諧波大于230MHz,。

 

7 對(duì)較高頻率是否有EMI 對(duì)策?如RAM 時(shí)鐘等,。

     解釋說(shuō)明:工作頻率比較高的時(shí)鐘信號(hào)不但其產(chǎn)生的諧波輻射很大,,其本身的基波輻射也很大,所以原理圖上一定要有EMI 對(duì)策,。如MTK1389 與DRAM 的工作時(shí)鐘,,  頻率為108MHz/128MHz/135MHz,在原理圖上要串聯(lián)電阻和并聯(lián)電容到地,。如下圖所示,。

 

8 振蕩電路里晶振的輸出腳要串聯(lián)EMI 磁珠。

     解釋說(shuō)明:晶振的輸出腳一般都會(huì)有諧波分量產(chǎn)生,,EMI 磁珠對(duì)高頻信號(hào)存在很大的阻抗,,使得時(shí)鐘信號(hào)的基波通過(guò),高頻諧波分量被衰減,,如下圖虛線框內(nèi)對(duì)策,。

 

9 地址/數(shù)據(jù)線要串聯(lián)電阻。

     解釋說(shuō)明:在 EMI 測(cè)試時(shí)常發(fā)現(xiàn)一些密集噪聲干擾,,如下圖,。密集噪聲干擾與電路中的晶振、主頻信號(hào)沒(méi)有很大關(guān)系,,屬總線干擾,。是因?yàn)榭偩€匹配和布線的問(wèn)題,適當(dāng)調(diào)整匹配電阻,,并在 layout 時(shí)有針對(duì)性地對(duì)地址/數(shù)據(jù)總線處理可有效減少總線上的干擾,。見(jiàn)下圖。

 

10 656 信號(hào)線上要串聯(lián)匹配電阻,,同時(shí)也要串聯(lián)EMI 磁珠,。

     解釋說(shuō)明:我們目前用的656 數(shù)字信號(hào)一般為8 位,如上面所說(shuō)的數(shù)據(jù)總線會(huì)產(chǎn)生密集噪聲,,需要在656 信號(hào)線上串聯(lián)匹配電阻,。由于到屏的656 信號(hào)走線很長(zhǎng)(長(zhǎng)的PCB 走線+到屏的連接線),,656 的諧波分量很容易通過(guò)長(zhǎng)的連接線輻射,這時(shí)需要再在匹配電阻后面串聯(lián)EMI 磁珠,。如下圖,。最好是能夠在系統(tǒng)布局上優(yōu)先考慮,使得656 信號(hào)線盡量短,。

 

11 TV 產(chǎn)品主板到液晶屏的信號(hào)連接線上要預(yù)留電阻,。

     解釋說(shuō)明:到液晶屏的信號(hào)速率比較高,EMI 輻射也比較嚴(yán)重,。信號(hào)線上預(yù)留電阻方便EMC 整改,。

 

12 各電源及支路是否作隔離和濾波處理?

      解釋說(shuō)明:不同功能電路里電源所響應(yīng)的dv/dt 和di/dt 都不一樣,,也就是電源所受到的干擾也不一樣,,為防止干擾通過(guò)電源產(chǎn)生串?dāng)_、輻射,,我們要求各電源及支路都要作隔離和濾波處理,。一般用電感/磁珠作隔離,用電容做濾波,。如下圖點(diǎn)亮的5V 電源給CPU,、DC/DC、TV 供電,。DC/DC 大電流,,CPU/TV 高頻共用5V,而5V 沒(méi)有作隔離和濾波處理,。原理圖上沒(méi)有設(shè)計(jì)好,,PCBLayout  也沒(méi)有改正過(guò)來(lái)。

 

13 原理圖上盡量采用統(tǒng)一地,,需要地分割的電路可用磁珠隔離。

      解釋說(shuō)明:原理圖采用分割地,,對(duì)PCBLayout 會(huì)提出很高的要求,,如果PCB 工程師不精通原理圖,不完全了解每條信號(hào)的返回路徑,,地分割不合理很容易把信號(hào)的最佳返回路經(jīng)給切斷了,,被切斷最佳返回路經(jīng)的信號(hào)必須要通過(guò)別的途徑返回,這樣返回信號(hào)很可能會(huì)出現(xiàn)狼入羊群,、羊入狼群的不良現(xiàn)象,。環(huán)路面積的增加也會(huì)使得 EMI 輻射更加嚴(yán)重。所以盡量采用統(tǒng)一地,,對(duì)不同類型的地可用磁珠隔離,,如下圖虛線框內(nèi)磁珠隔離了AGND 和GND,。

 

14 按鍵板和遙控接收板地要與主板地在主板上用磁珠/電感隔離。

      解釋說(shuō)明:因?yàn)橹靼迳想娐反蠖鄶?shù)是數(shù)字電路,,數(shù)字電路的地存在很大的地彈,、地脈沖等干擾信號(hào)。這些干擾信號(hào)很容易通過(guò)比較長(zhǎng)的連接線產(chǎn)生輻射,。連接線的地與主板的地用磁珠/電感隔離可有效降低這種輻射干擾,,同時(shí)還能降低連接線上傳來(lái)的ESD 干擾主板電路。如下圖虛線框內(nèi)對(duì)策,。

 

15 功能切換時(shí)對(duì)暫時(shí)不用的功能電路要采用電源關(guān)斷,。

      解釋說(shuō)明:對(duì)暫時(shí)不用的功能電路,如果電源沒(méi)有關(guān)斷,,不但增加功耗,,芯片工作也會(huì)產(chǎn)生EMI。如帶FM 的DVD,,在DVD 狀態(tài)下FM 也在工作(只是被MUTE),,這時(shí)的FM 由于沒(méi)有信號(hào)控制,F(xiàn)M 的本振和其他諧波輻射非常嚴(yán)重,,直到切斷FM 電源問(wèn)題才得以解決,。所以建議對(duì)暫時(shí)不用的功能電路要采用電源關(guān)斷。如下圖FM 采用電源關(guān)斷,。

 

16 對(duì)于不用的時(shí)鐘腳不能懸空,。

     解釋說(shuō)明:解碼芯片暫時(shí)不用的時(shí)鐘腳其內(nèi)部電路仍在震蕩工作,內(nèi)部的諧波信號(hào)會(huì)通過(guò)懸空腳產(chǎn)生輻射干擾,,EMI 對(duì)策需要給懸空腳一個(gè)適當(dāng)?shù)亩私?。如FI8125 的93 腳像素時(shí)鐘會(huì)有很大的輻射,不能懸空,,需要如下圖加一個(gè)RC 端接,。其中電容C 為降低直流功耗所用。

      T101 的第35 腳也經(jīng)常懸空,,這個(gè)腳的EMI 輻射也很大,,需要給這個(gè)腳加一個(gè)RC 端接。如下圖虛線框內(nèi)對(duì)策,。

 

17 對(duì)于其他有重要功能的懸空腳都要給適當(dāng)?shù)纳侠蛳吕?span> 
      解釋說(shuō)明:給懸空的I/O 口一個(gè)適當(dāng)?shù)纳侠蛳吕?,可以確保I/O 口有一個(gè)固定的邏輯電平,外來(lái)干擾(如ESD)不會(huì)輕易引起I/O 口的邏輯電平發(fā)生變法,,確保芯片能穩(wěn)定的工作,。干擾比較大的懸空腳還可以通過(guò)下拉降低EMI。


 
18 耳機(jī)插座上左右聲道要并680p----1000P 的電容到地,。耳機(jī)檢測(cè)腳要并104 電容再串10Uh 電感,。 
      解釋說(shuō)明:在對(duì)耳機(jī)端口進(jìn)行 EMS 測(cè)試時(shí),,左右聲道上的對(duì)地電容會(huì)把干擾信號(hào)耦合到地,達(dá)到提高抗干擾的能力,,ESD 測(cè)試很容易使耳機(jī)檢測(cè)腳電平發(fā)生變化,,使系統(tǒng)誤判(喇叭無(wú)聲音),耳機(jī)腳并電容串電感提高耳機(jī)抗靜電的能力,。如下圖虛線框內(nèi)對(duì)策,。

 

19 音頻端子要并680p---1000p 電容到地。 
       解釋說(shuō)明:同上面的解釋一樣也是提高抗擾度和降低EMI,。如下圖虛線框內(nèi)對(duì)策,。

 

20 喇叭插座端子要并680P---1000P 電容到地。 
       解釋說(shuō)明:由于喇叭端子有較長(zhǎng)的連接線,,長(zhǎng)的連接線會(huì)把主板上的emi 能量輻射出去,,尤其是數(shù)字功放的干擾。有一些在喇叭線上夾磁環(huán),,也是一種降低emi 的對(duì)策,,如果在喇叭插座端子上并電容加上layout 合理就可以不加磁環(huán)而又降低emi。如下圖虛線框內(nèi)對(duì)策,。

 

21 芯片電源是否有旁路,、去耦、儲(chǔ)能電容,?尤其是高速芯片是否有不同數(shù)量等級(jí)的電容,?(濾除不同頻率段 的干擾) 
       解釋說(shuō)明:芯片邏輯電平的快速變化勢(shì)必引起電源的瞬變,瞬變的電源上就會(huì)有 EMI 產(chǎn)生,。給電源放置不同數(shù)量等級(jí)的電容可以濾除不同頻率段的干擾,。一般要求電容相差2 個(gè)數(shù)量級(jí),因?yàn)橄嗖? 個(gè)數(shù)量級(jí)的電容在其諧振特性上剛好互補(bǔ),。如104/102,,103/101。 
       另外強(qiáng)烈建議今后原理圖上濾波電容的放置一定要靠近芯片引腳,,如下圖所示,。這樣不但便于評(píng)審、閱讀,,而且對(duì) PCBLayout 也有很大的指導(dǎo)性,,不會(huì)出現(xiàn)電容放置不合理的現(xiàn)象,。這一點(diǎn)很重要,,希望能過(guò)引起重視,寧可原理圖的紙張篇幅多幾頁(yè),,也要把原理圖整的更規(guī)范,、更專業(yè),。

 

22 主要芯片的防靜電等級(jí)是多少?是否符合要求,? 
       解釋說(shuō)明:一個(gè)芯片的使用不但要了解芯片所能實(shí)現(xiàn)的功能,,還要關(guān)注芯片的防靜電等級(jí)是多少。對(duì)于防靜電等級(jí)很低的芯片原理圖上要體現(xiàn)出來(lái),,在原理圖評(píng)審時(shí)再重點(diǎn)評(píng)審,。


 
 
23 對(duì)達(dá)不到防靜電等級(jí)的芯片是如何處理的? 
       解釋說(shuō)明:防靜電不但是 EMC 對(duì)策人員所考慮的問(wèn)題,,也是項(xiàng)目工程師和項(xiàng)目經(jīng)理在開(kāi)發(fā)階段應(yīng)重點(diǎn)考慮的課題,。對(duì)達(dá)不到防靜電等級(jí)的芯片要有明確的處理對(duì)策,最好是更換芯片,。


 
 
24 復(fù)位電路的抗干擾性能是否良好,。復(fù)位電路的電解電容盡量用貼片的膽電容或者陶瓷電容。 
       解釋說(shuō)明:復(fù)位電路的電解電容由于個(gè)子比較高,,靜電測(cè)試時(shí)電解電容像天線一樣容易接收靜電能量,,如果芯片的防靜電等級(jí)很低,那么極易引起芯片復(fù)位,。再加上電解電容的等效阻抗和等效感抗都很大,,不能及時(shí)把靜電泄放到地。  故復(fù)位電路的電解電容盡量用貼片的膽電容或者陶瓷電容,。


 
25 復(fù)位電路的電源是否有隔離濾波措施,。 
        解釋說(shuō)明:在對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行 ESD 測(cè)試時(shí),如果靜電屏蔽不能做得很好,,靜電能量串入到電路里面去,,電源線上就會(huì)感應(yīng)到靜電,復(fù)位電路的電源如果沒(méi)有做濾波隔離措施,,靜電能量就會(huì)引起芯片復(fù)位,。尤其是 DVD  MT1389極容易復(fù)位,便攜式DVD 由于外殼電鍍,,靜電屏蔽做得很好,,靜電測(cè)試容易通過(guò)。而LCD_TV 產(chǎn)品由于系統(tǒng)復(fù)雜(連線較多),、靜電屏蔽不可能像便攜式DVD 做得那樣好,,所以LCD_TV 產(chǎn)品抗靜電等級(jí)很差。在這里解釋說(shuō)明了同樣的電路在便攜式DVD 里抗靜電很好,,在LCD_TV 產(chǎn)品里就很差的原因(因?yàn)橛腥速|(zhì)疑,、不理解)。 
        解釋被復(fù)位的過(guò)程:如下圖復(fù)位電路,,在系統(tǒng)工作正常后,,CE9 正極電壓與復(fù)位電路電壓相等,,當(dāng)復(fù)位電源上有一串負(fù)向的ESD 脈沖信號(hào),CE9 正極電壓就會(huì)通過(guò)D1 向負(fù)脈沖放電而引起芯片復(fù)位,。當(dāng)復(fù)位電源上有一串正的ESD脈沖信號(hào),,比較高的ESD 電壓會(huì)通過(guò)電阻R2 對(duì)電容EC9 充電,充電時(shí)間T=RC,,如果這一充電過(guò)程還不足以使芯片復(fù)位,,那么當(dāng)電源上高達(dá)幾千伏的正ESD 脈沖消失時(shí),充電后的EC9 會(huì)通過(guò)D1 放電,,這一放電過(guò)程一定會(huì)引起芯片復(fù)位,。所以復(fù)位電路的電源做隔離和濾波是很有必要的,如下圖虛線框內(nèi)對(duì)策,,必要時(shí)可把磁珠改為10UH 的電感加強(qiáng)隔離,。

 

 26  復(fù)位電路的地要做好隔地措施。 
         解釋說(shuō)明:電容對(duì)交流信號(hào)是直通的,,ESD 能量是很強(qiáng)的交流脈沖,,如果復(fù)位電路的地線上有ESD 脈沖,那么ESD 能量會(huì)通過(guò)電容耦合到復(fù)位線上引起芯片復(fù)位,。所以復(fù)位電路的地要做好隔地措施,,如下圖虛線框內(nèi)串接一個(gè)磁珠到地,如果地線上的ESD 干擾很大,,磁珠可考慮更換為電感,。

 

27 復(fù)位電路到復(fù)位腳要串聯(lián)一個(gè)磁珠或者電感。 
       解釋說(shuō)明:同樣的道理,,如果 ESD 能量很大,,電源和地線不能徹底隔離,這時(shí)需要在復(fù)位線路上串聯(lián)一個(gè)電感或者磁珠,,如下圖虛線框,。

         以上對(duì)復(fù)位電路的電源、地和復(fù)位信號(hào)的ESD 對(duì)策可以解決即使芯片抗靜電等級(jí)很低的ESD 測(cè)試出現(xiàn)的復(fù)位問(wèn)題,。 所以對(duì)抗靜電等級(jí)比較高的芯片可以只考慮復(fù)位信號(hào)線上的對(duì)策,。


28 按鍵信號(hào)線上是否有電感、電容,。 
        解釋說(shuō)明:在對(duì)產(chǎn)品按鍵進(jìn)行ESD 測(cè)試時(shí),,按鍵線上的靜電能量傳入到芯片I/O 口,會(huì)引起系統(tǒng)復(fù)位,、死機(jī),、按鍵功能錯(cuò)亂等不良現(xiàn)象。需要在按鍵線路上作隔離和濾波措施阻礙 ESD 能量進(jìn)入到控制芯片內(nèi),如下圖虛線框內(nèi)串聯(lián)10UH 電感再并103—104 電容到地,。

         對(duì)于動(dòng)態(tài)掃描方式的按鍵電路,ESD 對(duì)策要求并小電容和串聯(lián)磁珠,,因?yàn)榇胖樵诘皖l段阻抗很低,,不會(huì)破壞掃描波形。如下圖虛線框內(nèi)的對(duì)策,。如果按鍵線路上的ESD 能量很強(qiáng),,此對(duì)策還不能解決ESD,可把100p 的電容改為壓敏電阻,,封裝一樣,。

 

29 其他的I/O 口如VGA、SCART 口等都要有防EMI,、防靜電處理,,音頻信號(hào)腳都要有并100P 左右的電容到地。 
       解釋說(shuō)明:因?yàn)镋SD 測(cè)試時(shí),,對(duì)所有的I/O 口都會(huì)進(jìn)行測(cè)試,,在電路上都要有ESD 對(duì)策。對(duì)信號(hào)頻率比較高的I/O 口不能用串電感和并電容的方式來(lái)防護(hù)ESD,,這時(shí)要用上專用的ESD 器件,。如下圖虛線框內(nèi)對(duì)策。

 

30 對(duì)封裝很大的I/O 口防ESD 器件盡量用分立元件,。 
       解釋說(shuō)明:因?yàn)榉繣SD 器件原則上要求靠近I/O 口,,而大封裝的I/O 口空間距離比較遠(yuǎn),如果用集成度高的防ESD 器件會(huì)導(dǎo)致部分I/O 因離防ESD 器件太遠(yuǎn)而得不到靜電保護(hù),。


 
 
31 DC/DC 電路開(kāi)關(guān)波形的改善,。 
        解釋說(shuō)明:在DC/DC IC 的SW 腳和BST 腳串一個(gè)低于33 歐的電阻可以降低開(kāi)關(guān)波形的過(guò)沖,從而降低EMI,。如下圖R224,。電阻大小根據(jù)信號(hào)波形(過(guò)沖情況)來(lái)調(diào)整。

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