1 三極管和MOS管的基本特性

三極管是電流控制電流器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化,。有NPN型三極管和PNP型三極管兩種,，符號如下：

MOS管是電壓控制電流器件,，用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。有P溝道MOS管（簡稱PMOS）和N溝道MOS管（簡稱NMOS），符號如下（此處只討論常用的增強型MOS管）：

2 三極管和MOS管的正確應(yīng)用

（1）NPN型三極管,，適合射極接GND集電極接負載到VCC的情況。只要基極電壓高于射極電壓（此處為GND）0.7V,，即發(fā)射結(jié)正偏（VBE為正），NPN型三極管即可開始導(dǎo)通,。

基極用高電平驅(qū)動NPN型三極管導(dǎo)通（低電平時不導(dǎo)通）；基極除限流電阻外,，更優(yōu)的設(shè)計是，接下拉電阻10-20k到GND,；優(yōu)點是，①使基極控制電平由高變低時,，基極能夠更快被拉低,，NPN型三極管能夠更快更可靠地截止,；②系統(tǒng)剛上電時,，基極是確定的低電平,。

（2）PNP型三極管,，適合射極接VCC集電極接負載到GND的情況。只要基極電壓低于射極電壓（此處為VCC）0.7V，即發(fā)射結(jié)反偏（VBE為負）,，PNP型三極管即可開始導(dǎo)通,。

基極用低電平驅(qū)動PNP型三極管導(dǎo)通（高電平時不導(dǎo)通）,；基極除限流電阻外,，更優(yōu)的設(shè)計是，接上拉電阻10-20k到VCC,；優(yōu)點是,，①使基極控制電平由低變高時，基極能夠更快被拉高,，PNP型三極管能夠更快更可靠地截止,；②系統(tǒng)剛上電時,，基極是確定的高電平,。

所以,，如上所述

對NPN三極管來說,，最優(yōu)的設(shè)計是,，負載R12接在集電極和VCC之間,。不夠周到的設(shè)計是,，負載R12接在射極和GND之間,。

對PNP三極管來說,，最優(yōu)的設(shè)計是，負載R14接在集電極和GND之間,。不夠周到的設(shè)計是,，負載R14接在集電極和VCC之間,。

這樣,，就可以避免負載的變化被耦合到控制端,。從電流的方向可以明顯看出。

（3）PMOS,，適合源極接VCC漏極接負載到GND的情況,。只要柵極電壓低于源極電壓（此處為VCC）超過Vth（即Vgs超過-Vth），PMOS即可開始導(dǎo)通,。

柵極用低電平驅(qū)動PMOS導(dǎo)通（高電平時不導(dǎo)通）,；柵極除限流電阻外，更優(yōu)的設(shè)計是,，接上拉電阻10-20k到VCC,，使柵極控制電平由低變高時，柵極能夠更快被拉高,，PMOS能夠更快更可靠地截止,。

（4）NMOS，適合源極接GND漏極接負載到VCC的情況,。只要柵極電壓高于源極電壓（此處為GND）超過Vth（即Vgs超過Vth）,，NMOS即可開始導(dǎo)通。

柵極用高電平驅(qū)動NMOS導(dǎo)通（低電平時不導(dǎo)通）,；柵極除限流電阻外,，更優(yōu)的設(shè)計是，接下拉電阻10-20k到GND,，使柵極控制電平由高變低時,，柵極能夠更快被拉低,，NMOS能夠更快更可靠地截止,。

所以,，如上所述

對PMOS來說,，最優(yōu)的設(shè)計是,，負載R16接在漏極和GND之間。不夠周到的設(shè)計是,，負載R16接在源極和VCC之間,。

對NMOS來說,，最優(yōu)的設(shè)計是，負載R18接在漏極和VCC之間,。不夠周到的設(shè)計是，負載R18接在源極和GND之間,。

3 設(shè)計原則

為避免負載的變化被耦合到控制端（基極Ib或柵極Vgs）的精密邏輯器件（如MCU）中，負載應(yīng)接在集電極或漏極,。

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