LDO低壓差穩(wěn)壓器( LowDropoutRegulator)是一種經(jīng)典的穩(wěn)壓器，相比于傳統(tǒng)三端固定電壓穩(wěn)壓器,，它能實(shí)現(xiàn)更小的輸入/輸出壓差,。理想情況下LDO能夠提供固定的或是可調(diào)節(jié)的輸出電壓，不會因時間和溫度而發(fā)生變化,，并且不受線路與負(fù)載變化的影響,。

輸入電壓范圍;輸出電壓，固定或可調(diào)節(jié);隨線路,、負(fù)載和溫度變化的輸出精確度;負(fù)載電流需求;壓差;電源抑制比(PSRR);輸出噪聲;靜態(tài)電流和關(guān)斷電流,。

LDO的設(shè)計(jì)通常為特定值的負(fù)載旁路電容而優(yōu)化。增加負(fù)載電容值使其大于推薦值可以改善負(fù)載的瞬態(tài)響應(yīng),。然而,，當(dāng)選擇了更大值的輸出電容的時候，也應(yīng)該相應(yīng)增加輸入旁路電容的值,。請注意：輸入和輸出電容的放置應(yīng)該盡可能地靠近LDO,。

任何質(zhì)量好的陶瓷電容都可以用作旁路電容，只要它們能夠滿足LDO數(shù)據(jù)手冊上所列的最小電容和最大有效串聯(lián)電阻(ESR)技術(shù)指標(biāo),。極力推薦采用X5R或X7R介質(zhì)的陶瓷電容,，因?yàn)樗鼈兙哂泻芎玫臏囟确€(wěn)定性和非常低的電壓系數(shù)。

當(dāng)輸出負(fù)載增加時,，使用雙極性晶體管作為傳輸元件的設(shè)計(jì)會呈現(xiàn)更大的地電流變化,，可達(dá)到負(fù)載電流的5%。而基于LDO的MOSFET的功效更佳,，因?yàn)樗牡仉娏麟S負(fù)載增加而提升的程度被最小化,，一般小于滿負(fù)載時的0.1%。

電源抑制比(PSRR)表示LDO在輸入電壓變化時防止輸出電壓波動的能力,。

通常在特定頻率下指定PSRR值,，如120Hz下60dB電源抑制比。電池供電系統(tǒng)應(yīng)當(dāng)使用LDO,，以便能在電池電壓低(即低輸入輸出電壓差)時繼續(xù)保持很高的PSRR,。

LDO能夠抑制幾十乃至幾百kHz的輸入噪聲,。高頻(1MHz以上)開關(guān)噪聲主要通過輸出旁路電容網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行抑制;在1MHz以上,，LDO的回路帶寬太低以致無法提供任何噪聲衰減。LDO可與傳輸元件,、輸出電容網(wǎng)絡(luò)與負(fù)載形成阻抗分壓器,，這能在高頻時提供噪聲抑制。

LDO內(nèi)部的電壓參考是主要的輸出噪聲源,。它通常以特定帶寬內(nèi)的微伏均方根值來表示,，比如1至100kHz范圍內(nèi)的均方根值為25μV。這個低電平噪聲大大低于DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)瞬態(tài)和諧波,。

一些LDO在旁路引腳接一個電容到地以濾除參考電壓噪聲,。遵循數(shù)據(jù)手冊規(guī)定的輸入、輸出和旁路電容會令噪聲電平問題迎刃而解,。

ADI的LDO都沒有要求最小負(fù)載電流,。

然而，市場上很多競爭性LDO產(chǎn)品的確對最小負(fù)載電流有要求,，有些甚至達(dá)到數(shù)mA之高,。

包括一個用來控制LDO開啟和關(guān)斷以節(jié)省系統(tǒng)功耗的使能輸入;可編程的軟啟動，在啟動過程中限制浪涌電流,、控制輸出電壓上升時間，并實(shí)現(xiàn)電壓時序控制;追蹤功能,，允許LDO輸出跟隨外部電壓軌或參考電壓;一個旁路引腳,，允許外部電容減少輸出電壓噪聲并改善電源抑制;電源良好輸出，用以說明輸出處于穩(wěn)壓之中;熱關(guān)斷,，在溫度超出規(guī)定水平時關(guān)斷LDO;電流限制功能,，以控制LDO輸出電流和功耗。