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F = Hl 其中,，H ：為磁場強度； l ：為兩點間的距離,。 （2）：均勻恒定磁場中,，垂直穿過某一面積的總磁通為： 
其中，B ：為磁通強度,； Ac：包圍所穿過磁通的面積,。 （3）：鐵芯中的磁通密度與磁場強度之間的關(guān)系： B = μH 其中，μ = μrμo：為鐵芯材料的導磁率,， μo 為真空的導磁率,， μr 為鐵芯材料的相對導磁率， μo = 4Π ×10-7 H /m,，μr= 103 ~ 106 （4）：法拉第電磁感應(yīng)定律： 
變化的磁通會在線圈中感應(yīng)電壓,，大小滿足上述公式，其中n 為線圈的匝數(shù),，方向由棱次定律判斷,。
（5）：棱次定律： 由磁通感應(yīng)的電壓,，企圖產(chǎn)生一個電流，此電流產(chǎn)生的磁通將使穿過線圈的總磁通減小,。具體是伸出左手,，用拇指對準磁通的方向，則四指所指的方向即為感應(yīng)電流的方向,。 （6）：安培定律： 
鐵芯內(nèi)的磁場是由外加線圈中的電流所產(chǎn)生的,，其大小滿足上述公式。
磁學與電學的相似性總結(jié)成下表： 磁學的基本單位總結(jié)成下表： 典型磁芯材料的 BH 曲線為： （1）：物理結(jié)構(gòu)：
（2）：數(shù)學關(guān)系：
F = ΦR 或磁路歐姆定律：Φ=F/R 其中：R=l/μAc為上述磁路的磁阻,。 （3）：磁路模型：
磁路的 KCL 定律： 進入節(jié)點的磁通和離開節(jié)點的磁通相等,。 磁路的 KVL 定律： 封閉磁路的磁動勢之和為零 第一步：將實際的磁路畫成等效的集中磁路； 第二步：計算各磁路元件的磁阻,； 第三步：用磁路 KCL,，KVL 定律計算磁通，磁密和磁場強度,； 第四步：計算其它的變量,。 (1): 鐵芯結(jié)構(gòu)：
(2): 鐵芯的磁滯損耗：
當磁芯材料一定時： -- 鐵芯的磁滯損耗與鐵芯的體積成正比； -- 鐵芯的磁滯損耗與激勵的頻率成正比,； -- 在不同拓撲中,，B-H 面積不同，由上式可知：一周期中,，因激磁,，去磁包圍的面積愈大，則磁滯損耗也愈大,，故各拓撲（如雙正激和半橋）都有最佳工作頻率,。 (1): 鐵芯結(jié)構(gòu)：
(2): 鐵芯的渦流損耗： 原因：鐵芯截面的感應(yīng)電壓，如鐵芯是電導體,，則此感應(yīng)電壓將產(chǎn)生圖中所示方向的感應(yīng)電流,。進而在鐵芯中產(chǎn)生功耗。
鐵芯的渦流,，與激勵頻率成正比,，與鐵芯的電阻成反比。
-- 與激勵頻率的平方成正比,，與鐵芯的電阻成反比,； -- 高飽和磁密的鐵芯，如硅鋼片,，因渦流損耗,，一般只能用作 DC 濾波電感和低頻變壓器； -- 高頻變壓器需要用高電阻率的鐵芯,，如鐵氧體,。 經(jīng)驗公式：
其中：公式中的系數(shù)可從鐵芯制造商的手冊中查得,。對于鐵氧體：β 在2.6~2.8 之間。 (1)：物理結(jié)構(gòu)：
(2)：電感量計算公式：
(3)：作為直流濾波電感不飽和的條件：
(1)：繞組的低頻等效電路：
(2)：繞組的低頻損耗：
其中： Irms為流過電流的有效值,； R 為繞組的低頻電阻,。
(1)：集膚效應(yīng)示意圖：
(2)：繞組的穿透深度（集膚深度）
其中： ρ為繞組的電阻率， μo 為真空的導磁率,。 (3)：100°的銅導體,，集膚深度為：
-- 頻率愈高，集膚深度愈??； -- 當導體載有高頻電流時，其真正導電的僅僅是表面,，故單根導線的線經(jīng)應(yīng)小于或等于集膚深 度,，否則將浪費材料； -- 高頻時,，導體的損耗更大,。因電流集中在表面，內(nèi)部的導體沒有導電,。 (1)：鄰近效應(yīng)示意圖：
(2)：多層繞組總的銅耗
(3)：多層繞組的低頻損耗：
(4)：多層繞組的總損耗/低頻損耗：
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