一、MIC的電路原理

FET：(場效應(yīng)管)MIC的主要器件,，起到阻抗變換和放大的作用,。

C：是一個可以通過膜片震動而改變電容量的電容，聲電轉(zhuǎn)換的主要部件,。

C1,C2：是為了防止射頻干擾而設(shè)置的,，可以分別對兩個射頻頻段的干擾起到抑制作用。C1一般是10PF,，C2一般是33PF,，10PF濾波1800Mhz,，33PF濾波GSM900Mhz。

RL：負(fù)載電阻,，它的大小決定靈敏度的高低,。

VS：工作電壓，MIC提供工作電壓,。

CO：:隔直電容,，信號輸出端。

二,、由聲信號到電信號的轉(zhuǎn)換：

由靜電學(xué)可知,，對于平行板電容器，有如下的關(guān)系式：

C=ε·S/L ①

即電容的容量與介質(zhì)的介電常數(shù)成正比,，與兩個極板的面積成正比,，與兩個極板之間的距離成反比。另外,，當(dāng)一個電容器充有Q量的電荷,，那麼電容器兩個極板要形成一定的電壓，有如下關(guān)系式,；

C=Q/V ②

對于一個駐極體傳聲器,，內(nèi)部存在一個由振膜，墊片和極板組成的電容器,，因?yàn)槟て铣溆须姾?，并且是一個塑料膜，因此當(dāng)膜片受到聲壓強(qiáng)的作用,，膜片要產(chǎn)生振動,，從而改變了膜片與極板之間的距離，從而改變了電容器兩個極板之間的距離,，產(chǎn)生了一個Δd的變化,，因此由公式①可知，必然要產(chǎn)生一個ΔC的變化,，由公式②又知,，由于ΔC的變化，充電電荷又是固定不變的,，因此必然產(chǎn)生一個ΔV的變化,。

由于這個信號非常微弱，內(nèi)阻非常高,，不能直接使用,，因此還要進(jìn)行阻抗變換和放大。

FET場效應(yīng)管是一個電壓控制元件，漏極的輸出電流受源極與柵極電壓的控制,。由于電容器的兩個極是接到FET的S極和G極的,，因此相當(dāng)于FET的S極與G極之間加了一個Δv的變化量，F(xiàn)ET的漏極電流I就產(chǎn)生一個ΔID的變化量,，因此這個電流的變化量就在電阻RL上產(chǎn)生一個ΔVD的變化量,，這個電壓的變化量就可以通過電容C0輸出，這個電壓的變化量是由聲壓引起的,，因此整個傳聲器就完成了一個聲電的轉(zhuǎn)換過程,。

三、參數(shù)

MIC在手機(jī)上的使用條件,，其中包括工作電壓,，負(fù)載電阻。另外在以下情況下還要對MIC的工作電流進(jìn)行限定,，例如有的手機(jī)給MIC的供電電壓為1.8V,，而負(fù)載電阻為2.2K，因?yàn)閂d=Vsd+Id*R,，

Id = (Vs- Vsd)/ RL

為了保證MIC中的FET工作在線性工作區(qū),，不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)使Vsd≥0.7V,，因此Id≤(1.8V- 0.7V)/ 2.2K=0.5 mA,，因此在這種情況下,選用的FET的電流不能大于500μA。

從下面這個MIC的參數(shù)就可以看的出來,。

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