上世紀(jì)60年代，開(kāi)關(guān)電源的問(wèn)世,，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源,。40多年來(lái)，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化,，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件,、高頻化和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)、開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段,。

　　功率半導(dǎo)體器件從雙極型器件(BPT,、SCR、GTO)發(fā)展為MOS型器件(功率MOSFET,、IGBT,、IGCT等)，使電力電子系統(tǒng)有可能實(shí)現(xiàn)高頻化,，并大幅度降低導(dǎo)通損耗,，電路也更為簡(jiǎn)單。

　　自上世紀(jì)80年代開(kāi)始,，高頻化和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的開(kāi)發(fā)研究,，使功率變換器性能更好、重量更輕,、尺寸更小,。高頻化和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)是過(guò)去20年國(guó)際電力電子界研究的熱點(diǎn)之一。

　　上世紀(jì)90年代中期,，集成電力電子系統(tǒng)和集成電力電子模塊(IPEM)技術(shù)開(kāi)始發(fā)展,，它是當(dāng)今國(guó)際電力電子界亟待解決的新問(wèn)題之一。

　　關(guān)注點(diǎn)一：功率半導(dǎo)體器件性能

　　關(guān)注點(diǎn)二：開(kāi)關(guān)電源功率密度

　　關(guān)注點(diǎn)三：高頻磁與同步整流技術(shù)

　　關(guān)注點(diǎn)四：分布電源結(jié)構(gòu)

　　關(guān)注點(diǎn)五：PFC變換器

　　關(guān)注點(diǎn)六：電壓調(diào)節(jié)器模塊

　　關(guān)注點(diǎn)七：全數(shù)字化控制

　　關(guān)注點(diǎn)八：電磁兼容性

　　關(guān)注點(diǎn)九：設(shè)計(jì)和測(cè)試技術(shù)

　　關(guān)注點(diǎn)十：系統(tǒng)集成技術(shù)

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