關(guān)于旁路電路和去耦電容,，基本上有經(jīng)驗(yàn)的都知道如何處理，不過估計(jì)沒有幾個(gè)人會(huì)去完整總結(jié),?？吹骄W(wǎng)友的一篇博客比較完整的梳理整理了這兩個(gè)概念，轉(zhuǎn)發(fā)到這里供大家參考（原文鏈接http://blog.csdn.net/yx_l128125/article/details/18041115 ）

寫作原因：

最近工作重心由軟件漸漸向硬件偏移,畫pcb ,PCB 我是不感興趣的只當(dāng)復(fù)習(xí)玩玩,，無聊畫板之余研究一下原理圖硬件電路設(shè)計(jì)才真正接受畫板工作的原因(因?yàn)橛布浆F(xiàn)在還是我的“硬傷”).....

今天在看CAN總線資料時(shí)突然看到can原理圖TJA1050 CAN收發(fā)器 電源管腳 外接電源時(shí)節(jié)了一個(gè)電容到地,，突然想起昨天同事順子跟我說 布線時(shí)電源要先連接電容再接到芯片電源管腳那時(shí)不知所云，但是今天又遇到所以便開始了我的“瞎琢磨”....

我一連串的發(fā)問：

這個(gè)電容到底有什么用呢,？

為什么用的是0.1uf 大小的電容,，這個(gè)值有沒有要求？

一查百度,，發(fā)現(xiàn)他叫“旁路電容”,，如果放在另外的位置它叫“去耦電容”，神奇呀,！

下面我們來說是“旁路電容”和“去耦電容”：（有點(diǎn)抄百度的節(jié)奏）

一.定義和區(qū)別

旁路（bypass）電容：是把輸入信號(hào)中的高頻成分作為濾除對(duì)象,；

去耦（decoupling）電容：也稱退耦電容，是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象,。

去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用,，電容所處的位置不同，稱呼就不一樣了,。

高頻旁路電容一般比較小,，根據(jù)諧振頻率一般是0.1u，0.01u等,，而去耦合電容一般比較大,，是10u或者更大

二.作用

去耦電容:

去耦電容主要有2個(gè)作用：

（1）去除高頻信號(hào)干擾；

（2）蓄能作用,；（而實(shí)際上,，芯片附近的電容還有蓄能的作用，這是第二位的）

高頻器件在工作的時(shí)候,，其電流是不連續(xù)的,，而且頻率很高,，而器件VCC到總電源有一段距離，即便距離不長,，在頻率很高的情況下,，阻抗Z=i*wL+R，線路的電感影響也會(huì)非常大,，會(huì)導(dǎo)致器件在需要電流的時(shí)候,，不能被及時(shí)供給,。而去耦電容可以彌補(bǔ)此不足,。這也是為什么很多電路板在高頻器件VCC管腳處放置小電容的原因之一（在vcc引腳上通常并聯(lián)一個(gè)去耦電容，這樣交流分量就從這個(gè)電容接地,。）

附加：

所謂的藕合：是在前后級(jí)間傳遞信號(hào)而不互相影響各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)的元件 有源器件在開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高頻開關(guān)噪聲將沿著電源線傳播,。去耦電容的主要功能就是提供一個(gè)局部的直流電源給有源器件，以減少開關(guān)噪聲在板上的傳播和將噪聲引導(dǎo)到地,。 從電路來說,，總是存在驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大,，驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電,、放電，才能完成信號(hào)的跳變,，在上升沿比較陡峭的時(shí)候,，電流比較大，這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流,，由于電路中的電感,，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會(huì)產(chǎn)生反彈）,，這種電流相對(duì)于正常情況來說實(shí)際上就是一種噪聲,，會(huì)影響前級(jí)的正常工作。這就是耦合,。 去耦電容就是起到一個(gè)電池的作用,，滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾,。

三.為什么用的是0.1uf 大小的電容,，這個(gè)值有沒有要求？

有源器件在開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高頻開關(guān)噪聲將沿著電源線傳播,。去耦電容的主要功能就是提供一個(gè)局部的直流電源給有源器件,，以減少開關(guān)噪聲在板上的傳播和將噪聲引導(dǎo)到地。

去耦電容在集成電路電源和地之間有兩個(gè)作用：一方面是本集成電路的蓄能電容,，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲,。數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1μF,。這個(gè)電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF的去耦電容有5nH的分布電感,，它的并行共振頻率大約在7MHz左右,，也就是說，對(duì)于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果,，對(duì)40MHz以上的噪聲幾乎不起作用,。1μF、10μF的電容,，并行共振頻率在2MHz以上,，去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容,，或1個(gè)蓄能電容,，可選10μF左右。最好不用電解電容,，電解電容是兩層薄膜卷起來的,，這種卷起來的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容,。去耦電容的選用并不嚴(yán)格,，其電容值可按C=1/F來計(jì)算，即10MHz取0.1μF,，100MHz取0.01μF,。