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1333內(nèi)存掃入冷宮 高頻新品突出性價比

 langfeinaojin 2012-06-24

1333內(nèi)存掃入冷宮 高頻新品突出性價比


CBSi中國·ZOL 作者:中關村在線 鄭兆遠 責任編輯:孫玉亮 【原創(chuàng)】 2012年05月28日 05:27 評論(75)
產(chǎn)品:8GB DDR3 1333(萬紫千紅) 威剛 內(nèi)存 回到頂部閱讀

僅比4G/1333貴5元 威剛新品到貨

    內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的年度大戲在5月底上演,,各個內(nèi)存廠家以迅雷不及掩耳之勢拉開DDR3-1600內(nèi)存普及序幕。內(nèi)存廠家處于生死攸關之際,,誰也不想步爾必達后塵,,一線大廠如同諾曼底登搶灘登陸,搶奪DDR3-1600內(nèi)存鋪貨上市的節(jié)點,。  


1333內(nèi)存掃入冷宮 高頻新品突出性價比
高頻新品突出性價比 DDR3/1333內(nèi)存掃入冷宮

★僅比老條貴5元 威剛新品4GB/1600到貨

    上周四金士頓4GB DDR3-1600內(nèi)存接受全國各地代理預定,。令人出乎意料的是,間隔僅一天,,上周五下午不到2點,,威剛新品4GB DDR3-1600內(nèi)存搶先登陸中關村賣場,價格僅140元,,只比老版4GB DDR3-1333內(nèi)存貴5元,。

貴5元橫掃4G/1333 高頻新內(nèi)存搶先到貨
威剛新品4GB DDR3-1600內(nèi)存正反面特寫

    威剛新品4GB DDR3-1600內(nèi)存采用傳統(tǒng)紫色PCB板風格,它的做工和布線承續(xù)老版4GB DDR3-1333內(nèi)存,采用雙面16顆粒芯片設計,。

貴5元橫掃4G/1333 高頻新內(nèi)存搶先到貨
威剛新品4GB DDR3-1600內(nèi)存標簽特寫

    威剛新品4GB DDR3-1600內(nèi)存和老版4GB DDR3-1333內(nèi)存的最大區(qū)別在于標簽,,通過標簽我們能清晰看到DDR3 1600字樣,(11)代表該內(nèi)存時序為11-11-11-28,,4GBX16意思為16顆粒芯片組成的4GB內(nèi)存模組,采用U-DIMM240PIN內(nèi)存接口,。

貴5元橫掃4G/1333 高頻新內(nèi)存搶先到貨
威剛新品4GB DDR3-1600內(nèi)存顆粒芯片特寫

    威剛新品4GB DDR3-1600內(nèi)存顆粒芯片打磨上ADATA的相關LOGO以及編號,,但是我們依然能從右下角的“◎F209VBC09447”這個細節(jié)看出這款內(nèi)存的顆粒芯片來自日本爾必達。我們根據(jù)這款內(nèi)存的1.5V工作電壓和1600MHz默認頻率判斷它的芯片制造工藝為30nm,。

    我們在賣場搶先拿到了1.5V 某品牌兩款4GB/8GB DDR3-1600新品,,價格僅為135元和360元,非常適合Diy玩家使用,。其中單條8GB DDR3-1600內(nèi)存將于本次市場爆料中進行小型評測,,讓廣大網(wǎng)友對新版高頻內(nèi)存的性能有一個大概的了解。

產(chǎn)品:4GB DDR3 1600+(雙通道內(nèi)存套裝) 威剛 內(nèi)存 回到頂部閱讀

新條來勢洶涌 4GB/1333性價比盡失

    本次DDR3-1600普條來勢洶涌,,涵蓋2GB,、4GB、8GB三個版本,,其中數(shù)新版4GB DDR3-1600普條為重頭戲,,它們有什么鮮明的特點值得我們推崇呢?

第一,、新內(nèi)存的起始頻率更高 延遲更小


5元價差橫掃老條 新品8G/1600性能揭秘
新老兩款威剛4GB/DDR3內(nèi)存對比,,新內(nèi)存頻率提高267MHz

    新版4GB DDR3-1600普條和老版4GB DDR3-1333內(nèi)存相比,頻率提高一個檔次,,內(nèi)存帶寬速度顯著提升,,用戶能感受到硬盤CPU之間的傳輸速度得到提高。

    并且新內(nèi)存的時序也有了新的變化,,4GB DDR3-1600普條的時序為11-11-11-28,,而4GB DDR3-1333內(nèi)存的時序為9-9-9-24,新內(nèi)存的延遲更小,。

第二,、制造工藝更先進 內(nèi)存功耗更低

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二線某品牌4GB DDR3-1600內(nèi)存的工作電壓及1.5V

    新版DDR3-1600普條基于30nm制造工藝,而老版4GB DDR3-1333內(nèi)存基于40-50nm制造工藝,。更先進的制造工藝帶來更小的內(nèi)存功耗,,新版內(nèi)存發(fā)熱更小,超頻潛力更大,。

第三,、新老內(nèi)存價格持平或更便宜

主流4GB/8GB DDR3內(nèi)存性能價格對比

產(chǎn)品型號

威剛新版4GB
DDR3-1600內(nèi)存

威剛老版4GB
DDR3-1333內(nèi)存

金士頓駭客4GB DDR3-1600內(nèi)存

三星黑武士4GB
DDR3-1600內(nèi)存

價格

140元

135

179元

180元

工藝

30nm

40nm

40nm

30nm

頻率

1600MHz

1333MHz

1600MHz

1600MHz

時序

CL11

CL9

CL9

CL11

電壓

   1.5V

1.5V

1.65V

1.5V

    和價格高昂的老版1.55-1.65V 4GB DDR3-1600超頻內(nèi)存相比,新版4GB DDR3-1600普條的工作電壓只有1.5V,無需加壓即可默認1600MHz頻率工作,,并且無需任何散熱片,。

    換而言之,消費者只需要花費比4GB DDR3-1333內(nèi)存多5元甚至持平的價格,,就可以購買到和4GB DDR3-1600超頻內(nèi)存同樣效果的4GB DDR3-1600普條,。

    心語:長江后浪推前浪,新版4GB DDR3-1600MHz憑借“更為先進的制造工藝,,更高的性能規(guī)格,,更低的價格和電壓”將老版4GB DDR3-1333淘汰,它突出的性價比更將老版4GB DDR3-1600超頻內(nèi)存拉下馬普及,。

    消費者看到新版4GB DDR3-1600MHz普條,,還會買配著光鮮散熱片的老版4GB DDR3-1600老版超頻內(nèi)存么?  

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JS大禍臨頭 4GB/1333不甩爛手里

    新老交替引起的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)革命對內(nèi)存價格走勢產(chǎn)生什么樣的影響,?我們且看買賣雙方的心態(tài):

    內(nèi)存商家心態(tài):新內(nèi)存價格便宜,,頻率又高,2GB/4GB/8GB DDR3-1333庫存那么多,,怎么辦,?

    Diy玩家心態(tài):千呼萬喚始出來,一線品牌的DDR3-1600內(nèi)存終于到貨,!而且2GB,、4GB、8GB版本齊全,,高頻低價,,一個字,爽,!

1,、規(guī)模效應 威剛影響力不可小視


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金士頓原本應該成為DDR3-1600的領導推動者,無奈老內(nèi)存庫存積壓

    業(yè)界普遍認為金士頓方可推動DDR3-1600內(nèi)存普及,,即使二線廠商搶先上市DDR3-1600內(nèi)存也無關大局,。原因在于二線廠商的市場占有率低,即使它們采取低價策略快速出貨,,容易造成有價無貨的局面,。 

    本次鋪貨上市的DDR3-1600普條和以前不同,首次出現(xiàn)威剛這樣的一線內(nèi)存大廠參與推廣,,和二線品牌內(nèi)存每次到貨幾十條到幾百條不同,,威剛出手可謂闊綽,旗下4GB DDR3-1600內(nèi)存本次到貨數(shù)量高達1萬5000根,,售價僅比4GB DDR3-1333內(nèi)存貴5元,。

2、DDR3-1600普條轉(zhuǎn)換過渡極快

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DDR3-1600內(nèi)存具有良好的向下頻率兼容性

    歷史經(jīng)驗:我們根據(jù)5年前發(fā)生的DDR2-667升級DDR2-800時代,以及前年發(fā)生的DDR3-1066升級DDR3-1333時代的過渡規(guī)律,。內(nèi)存模組廠商對新內(nèi)存價格采取先漲后抑的做法,,避免老內(nèi)存出貨困難。后期讓新老內(nèi)存價格接近,,完成平穩(wěn)過渡,。

    新變化:新內(nèi)存的顆粒芯片普遍采用30nm制造工藝,對比4GB DDR3-1333所采用的40nm制造工藝,,其內(nèi)存芯片的制造成本降低45%,,產(chǎn)能提高50%左右。顆粒芯片占據(jù)內(nèi)存80%以上的成本,,新內(nèi)存的利潤顯而易見,它有相當大降價空間,。

    承上啟下:新一代的電腦平臺默認支持1600MHz頻率,,推動新內(nèi)存普及。使用其他非主流DDR3平臺的用戶無需擔心新版內(nèi)存的使用問題,,因為DDR3-1600內(nèi)存向下兼容DDR3-1333/1066,,我們可以預見新版DDR3-1600內(nèi)存的轉(zhuǎn)換速度將相當快。

3,、DDR3-1333已過時 今年行情在新內(nèi)存

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老謀深算的三星提早將”黑武士“4GB DDR3-1333庫存清空

    DDR3-1333內(nèi)存的芯片制造工藝橫跨40-50nm,,上游制造工廠林立。反觀DDR3-1600內(nèi)存的技術門檻起步都在30nm,,目前僅有三星,、海力士、美光,、爾必達,、華亞科技有能力生產(chǎn),其中三星剛發(fā)布基于20nm芯片制造工藝的內(nèi)存,。少數(shù)幾個內(nèi)存芯片廠家掌握相關生產(chǎn)技術,,有利于形成價格聯(lián)盟,避免去年小廠惡意壓價出貨的現(xiàn)象出現(xiàn),。,。

    同時上敘幾個廠家,除了三星和海力士之外,,其他廠家或多或少存在良品率的問題,,因此DDR3-1600內(nèi)存的芯片供給并不樂觀。作為普通消費者,,我們需要提防新版DDR3-1600內(nèi)存的后期價格走高,。

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提速降價 小測單條8GB/1600普條

    和去年末上市的單條8GB DDR3-1333內(nèi)存相比,剛上市的單條8GB DDR3-1600內(nèi)存在制造工藝方面進步更大,從30nm升級到25nm,,它的顆粒芯片面積更小,。先進的制造工藝不僅降低了生產(chǎn)成本,更將單條8GB DDR3內(nèi)存的頻率從1333MHz提升到1600MHz,。

    某品牌8GB DDR3-1600內(nèi)存售價僅360元,,比起大顆粒芯片的金士頓單條8GB DDR3-1333內(nèi)存便宜80元。我們能感受到價格上的明顯差異,,那么內(nèi)存頻率的提高對性能有何影響,?這需要我們對上面兩款內(nèi)存進行測試。


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某品牌單條8GB DDR3-1600內(nèi)存

1333內(nèi)存掃入冷宮 高頻新品突出性價比
采用第一代大顆粒芯片的金士頓單條8GB DDR3-1333內(nèi)存

    某品牌8GB DDR3-1600內(nèi)存售價僅360元,,比起大顆粒芯片的金士頓單條8GB DDR3-1333內(nèi)存便宜80元,。我們能感受到價格上的明顯差異,那么內(nèi)存頻率的提高對性能有何影響,?為此我們對上面兩款內(nèi)存進行測試,,通過它們的性能數(shù)據(jù)對比看出差距。

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某品牌單條8GB DDR3-1600內(nèi)存的CPU-Z識別

測試一:內(nèi)存帶寬測試

  AIDA64(原EVEREST)是一個測試軟硬件系統(tǒng)信息的工具,,32位的底層硬件掃描,,使它可以詳細的顯示出PC硬件每一個方面的信息。支持上千種(3400+)主板,,支持上百種(360+)顯卡,,支持對并口/串口/USB這些PNP設備的檢測,支持對各式各樣的處理器的偵測,。支持查看遠程系統(tǒng)信息和管理,,結果導出為HTML、XML功能,。

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某品牌單條8GB DDR3-1600內(nèi)存帶寬測試

    某品牌單條8GB DDR3-1600內(nèi)存帶寬測試:讀17843MB/s,;寫入19090MB/s;復制20526MB/s,;延遲:47.6納秒,。

測試二:實際應用測試

    WinRAR電腦用戶普遍使用的日常壓縮工具,它的界面友好,,使用方便,,在壓縮率和速度方面都有很好的表現(xiàn)。其壓縮率比之WINZIP之流要高,,3.x采用了更先進的壓縮算法,,是現(xiàn)在壓縮率較大、壓縮速度較快的格式之一,。

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某品牌單條8GB DDR3-1600內(nèi)存的WinRAR壓縮測試

某品牌單條8GB DDR3-1600內(nèi)存的WinRAR壓縮速率為2314KB/秒,。

測試三:實際游戲測試 

    CryTek公司的新作《CRYSIS孤島危機》是以朝鮮為背景的游戲,。游戲以朝鮮的一個小島上掉下隕石并出現(xiàn)外星人為題材,描述了美國派遣的特種兵和朝鮮軍一起對抗外星人的故事,。

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某品牌單條8GB DDR3-1600內(nèi)存的《CRYSIS孤島危機》場景實測幀數(shù)

    某品牌單條8GB DDR3-1600內(nèi)存的《CRYSIS孤島危機》場景實測幀數(shù):場景1為83.42幀,;場景2為99.77幀;場景3為100.22幀,;場景4為100.06幀,。

測試成績
測試子項目某品牌單條8GB DDR3-1600金士頓單條8GB DDR3-1333差距
AIDA64 Cache&Memory Benchmark(單位:MB/s、毫秒)
Rrad讀取17843164218.66%
Write寫入19090186962.11%
Copy復制205261842011.43%
Lctency延遲47.649.94.61%
WinRAR壓縮速度測試(單位:KB/秒)
處理速度231421656.88%

 《CRYSIS》GPU Benchmark(單位:幀數(shù))

場景183.4279.594.81%
場景299.7796.193.72%
場景3100.2296.423.94%
場景4100.0696.333.87%
總計
+5.55%

    小結:某品牌單條8GB DDR3-1600內(nèi)存,,對比金士頓單條8GB DDR3-1333內(nèi)存,,前者價格便宜80元,并且高出267MHz的內(nèi)存頻率帶來總體5.55的內(nèi)存性能提升,。新版內(nèi)存的突出性價比顯而易見,。

    內(nèi)存行業(yè)將臨來新一輪洗牌,二線品牌為了避免淘汰出具,,搶先一線廠家推出DDR3-1600內(nèi)存,,受限于影響力,未能對一線品牌造成真正沖擊,。一線品牌之間的競爭同樣激烈,威剛跟進二線品牌,,搶先于金士頓推出4GB DDR3-1600內(nèi)存,,形成了一線、二線品牌DDR3-1600內(nèi)存齊頭并進,。

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芯片的秘密 8GB/1600竟有兩個版本

●芯片的秘密 8GB/1600竟有兩個版本

    內(nèi)存正處更新?lián)Q代之際,,單條8GB DDR3-1600內(nèi)存出現(xiàn)兩個版本,工作電壓同為1.5V,,區(qū)別在于芯片面積的大小,。單條8GB DDR3內(nèi)存經(jīng)歷大小30nm/25nm兩個版本的芯片,消費者從內(nèi)存芯片的面積大小可以直觀看出頻率的區(qū)別,。


為IVB而生 光威單條8G/1600內(nèi)存評測
光威戰(zhàn)將單條8GB DDR3-1600內(nèi)存的正面

為IVB而生 光威單條8G/1600內(nèi)存評測
光威戰(zhàn)將單條8GB DDR3-1600內(nèi)存的標簽

5元價差橫掃老條 新品8G/1600性能揭秘
光威單條8GB/1600內(nèi)存芯片與某品牌8GB/1600內(nèi)存芯片的大小對比

5元價差橫掃老條 新品8G/1600性能揭秘   5元價差橫掃老條 新品8G/1600性能揭秘
光威8GB DDR3-1600內(nèi)存的顆粒芯片的正面長12mm,寬10.5mm

5元價差橫掃老條 新品8G/1600性能揭秘   5元價差橫掃老條 新品8G/1600性能揭秘
某品牌8GB DDR3-1600內(nèi)存的顆粒芯片的正面長10.5mm,寬9mm

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AIDA64軟件顯示該內(nèi)存確為1.5V 8GB DDR3-1600,,廠家并無虛標

    采用第一代大芯片設計的光威8GB DDR3-1600內(nèi)存,,光威精心挑選超頻潛質(zhì)強悍的內(nèi)存芯片,默認1.5V電壓即可超頻至1600MHz頻率,。不過采用第二代小芯片設計的某品牌8GB DDR3-1600內(nèi)存輕而易舉就能達到1600MHz的頻率,,超頻潛力更強。

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手段齷齪 假DDR3/1600將泛濫成災

    我們可以通過芯片面積大小辨別新老兩個版本的單條8GB DDR3內(nèi)存,,但是2GB/4GB DDR3內(nèi)存卻難以分辨,,因為30nm和40nm芯片的面積大小一致,。消費者恐怕日后將看到假冒2GB/4GB DDR3-1600內(nèi)存泛濫成災。

一,、加電壓改時序 1333內(nèi)存超頻1600MHz


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一念之差,,4GB DDR3-1333就可以搖身一變1600MHz

    廠家將2GB/4GB DDR3-1333內(nèi)存超頻至1600MHz銷售并不違法,只要如實標注電壓即可,。 

    原生2GB/4GB DDR3-1600內(nèi)存的默認電壓為1.5V,,時序為11-11-11-28/29。采用40nm芯片的2GB/4GB DDR3-1333內(nèi)存需要將工作電壓加到1.55V-1.65V方可穩(wěn)定在1600MHz工作,,時序仍為9-9-9-24,。

    筆者擔心不法內(nèi)存廠家將DDR3-1333加電壓超頻至1600MHz,并通過改寫SPD芯片,,固定時序至11-11-11-28/29,,同時標稱1.5V冒充銷售。

二,、直接更換標簽 DDR3/1333搖身變1600MHz

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庫存積壓最多的金士頓2GB/4GB DDR3-1333內(nèi)存將成為防范重點

    如果說第一種方法還算厚道,,至少還有那么一點技術含量。第二種造假法則相當齷蹉,。不法商家造價的根源在于大量2GB/4GB DDR3-1333內(nèi)存庫存積壓,,低價出貨虧本。JS們更換內(nèi)存標簽,,將標簽的1333改成1600MHz,,至多再修改內(nèi)存時序。

    大部分消費者不具備硬件知識,,容易上當受騙,。正品40nm的2GB/4GB DDR3-1333內(nèi)存普遍能超頻至1600MHz內(nèi)存,裝機商只需要進入BIOS手動將內(nèi)存頻率超頻至1600MHz就可以蒙混過關,。這無疑增加了消費者的識別難度,。

三、如何分辨真假DDR3/1333內(nèi)存

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CPU0Z軟件識別(圖中所列為威剛單條8GB DDR3-1333內(nèi)存)

   1,、我們建議用戶可下載“CPU-Z”軟件識別DDR3/1600內(nèi)存的相關參數(shù),,比如生產(chǎn)廠家、初始頻率,、生產(chǎn)周期等等,。

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Everest檢測內(nèi)存相關參數(shù)(圖為三星4GB DDR3-1333金條)

    由于“CPU-Z”無法識別電壓,我們建議用戶下載Everest(又名AIDA64)軟件進行輔助驗證,,點擊“主板”--“SPD”--“模塊電壓”,。我們根據(jù)電壓和頻率的變化來識別DDR3-1333或者1600內(nèi)存。

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三星30nm制造工藝的“K4B2G0846D”內(nèi)存芯片

    2,、識別芯片法:目前可以生產(chǎn)30nm芯片的廠家寥寥可數(shù),,共計三星,、海力士、爾必達(廣島和瑞晶廠),、美光,、華亞科技(美光和南亞科技的合資廠),我們通過識別內(nèi)存廠家的芯片代碼辨別30nm,。令人遺憾的是,,這些30nm芯片的圖片尚無法收集完全,我們將繼續(xù)收集相關圖片,,第一時間更新頁面,。

 

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